Патенты с меткой «моп-транзисторах»

Номер патента: 277856

Опубликовано: 01.01.1970

Автор: Карахан

МПК: G11C 11/40

Метки: запоминающий, моп-транзисторах, элемент

...транзистора 4 и стоковой области транзистора 2. Запоминающий эле мент имеет вход 9 для подачи восстанавливающего сигнала. Описываемый элемент не требует постоянного источника питания,Открытое состояние одного из транзисторов 1 или 2 и закрытое состояние другого поддерживаются за счет наличия или отсутствия заряда на паразитных конденсаторах 7 и 8 благодаря подаче на вход 9 восстанавливающих сигналов медленно нарастающего и медленно спадающего напряжения (цепи записи информации в запоминающий элемент и цепи считывания на чертеже не показаны).Предположим, что транзистор 1 открыт, а транзистор 2 закрыт. Такое состояние запоминающего элемента может сохраняться, если паразитный конденсатор 7 заряжен, а паразитный конденсатор 8 разряжен. Если...

Номер патента: 326641

Опубликовано: 01.01.1972

Автор: Карахан

МПК: G11C 11/00

Метки: моп-транзисторах, памяти, ячейка

...с подложкой.Периодическое открывание транзистора Т создает цепь под аряда конденсатора С, вход Ф 1, конденсатор С, транзистор Ть конденсатор С, земля. Одновременно открывается транзистор Т . Однако конденсатор С, зарядиться не может, так как он зашунтирован открытым транзистором Т.Таким образом, периодически медленно изменяющееся напряжение на входе Ф, дает возможность поддерживать заряд конденсатора С ца необходимом уровне, а так как отсутствует делитель сопротивлений, подключенный к источнику питания, то отсутствует связанное с ним рассеяние энергии,326641 Составитель М. ЗиминаТехред 3. Тараненко Редактор Л. Утехина Корректор А, Васгльева Заказ 513112 Изд.107 Тираж 448 ПодписноеЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете...

Номер патента: 333683

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Липовецкий, Проценко, Сивобород, Солод

МПК: H03K 3/33

Метки: импульсов, моп-транзисторах, формирователь

...напряжения источника питания на величину, равную двум пороговым напряжениям МОП-транзистора, Кроме того,они имеют большое потребление мощности встатическом режиме.С целью получения амплитуды выходного 15импульса, равной по величине напряжениюисточника питания, и уменьшения потребляемой мощности в статическом режиме в предлагаемом формирователе времязадающий конденсатор включен между истоком транзистора, 20затвор которого соединен со стоком и минусом источника питания, и выходом двухтактного усилителя,На фиг. 1 приведена схема предлагаемогоустройства; на фиг. 2 - временные диаграммы, поясняющие работу устройства.Устройство состоит из МОП-транзисторов1 - 5 и конденсатора б.Напряжение, подаваемое на вход транзистора 5 двухтактного...

Номер патента: 335720

Опубликовано: 01.01.1972

Автор: Горбань

МПК: G11C 11/40

Метки: запоминающий, моп-транзисторах, элемент

...чается к откр ток, являющ другой разря который нам 8,4 адподклюсоответподклюляетсяния. Впомехи,тывания апоминающий эле чертеже пока сторы 1, 2; рядную шинулей б и транз ,4, ра шину Изобретение относится к области вычислительной техники.Известен запоминающий элем МОП- транзисторах, содержащий триг двух активных и двух нагрузочных торов, 5 адресные транзисторы, разршины единиц и нулей, адресные шину восстанавливающих импульсов.Недостатком известного запоминающего элемента является сложенная схема и относи тельно большая площадь, занимаемая на подложке,Предлагаемый запоминающий элемент (ЗУ) отличается тем, что сток одного нагрузочного транзистора соединен с разрядной шиной 15 единиц, сток другого - с разрядной шиной нулей, а их затворы...

Номер патента: 342222

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Атанов, Васильев

МПК: G11C 11/40

Метки: интегральная, матрица, моп-транзисторах

...шины, являются кроме того буферными, элементами, работающими на конкретную емкостную и нелинейно-омическую нагрузку, что в свою очередь, снижает требования к мощности разрядных формирователей записи информации и обеспечивает возможность парафазной записи информаци,иПредложенная матрица более техпологична по сравнению с изливестны 1 ми, так как ее изготовление сводится к изготовлению матрицы со словарной организацией ис относительно неболышой по количеству активных компонебритов (транзисторов) лот,ической приставкой, объединяющей в себе групну транзисторов. Это значительно уменьшает количеспво пересечений потонкому окисному слою, так ,как все пересечения, связанные с организацией коорджйатной светемы, коиструкгивно вы 1 полня)рщщщрзна...

Номер патента: 343308

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Милославский, Паштно

МПК: G11C 11/40

Метки: запоминающий, моп-транзисторах, элемент

...элемента; выходы собирательных схем связаны соответственно с затвором координатного транзистора и с его истоком.На чертеже показана принципиальнаяэлектрическая схема предлагаемого устрой ства.Триггер с непосредственными перекрестными связями образован МОП-транзисторами Т 1 и Те, на объединенные истоки которых подается напряжение от постоянного источника пи тания Е. Одно плечо триггера через проходнойМОП-трапзистор Т, соединено с разрядной шиной 1 (РШ 1), второе в чер проходной МОП-транзистор Т 4 - с разрядной шиной О (РШ 0), Затворы МОП-транзисторов Т, и Т 4 15 соединены с истоком координатного МОПтранзистора Т 5, который по стоку и затвору через две собирательные схемы ИЛИ связан с шинами выборки элемента по координатам Х и У и...

Номер патента: 349085

Опубликовано: 01.01.1972

Автор: Мишин

МПК: H03K 3/353

Метки: моп-транзисторах, триггер

...что в каждое плечо предлагаемого триггера включены дополнительные на грузочные транзисторы, затворы которых подключены к противоположным входам триггера, а стоки объединены и подключены к шине питания через управляющий транзистор, затвор которого соединен с первым управляю щим входом триггера, а затворы нагрузочных транзисторов соединены со вторым управляющим входом.На чертеже представлена принципиальная электрическая схема устройства. 20Триггер на МОП-транзисторах 1 - 10 содержит вход 11 управления установкой в нуль и единицу, противоположные входы 12 и 13, выходы 14 и 15, первый и второй управляющие входы 1 б и 17 соответственно и 25 шину питания 18. Транзисторы 1 - 3 образуют схему И - НЕ установки в нуль и единицу. Стоки...

Номер патента: 358722

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Милославский, Роговцев

МПК: G11C 11/40

Метки: запоминающий, моп-транзисторах, элемент

...истоки которых подается напряжение от постоянного источника питания 3. Одно плечо триггера через проходныетранзисторы 4 и б соединено с разрядной шиной 1 по записи б, а через транзисторы 7 и 8 - разрядной шиной 1 по считыванию 9. Второе плечо триггера через проходные транзисторы 10 и 11 соединено с разрядной шиной О по записи 12, а через транзисторы 13 и 14 - с разрядной шиной О по считыванию 15.Затворы транзисторов 4 и 11 подключены к координатной шине выборки по записи Х, 1 б, затворы транзисторов 5 и 11 - к координатной шине выборки по записи У 17, затворы транзисторов 8 и 13 - к координатной шине выборки по считыванию Х 18, а затворы транзисторов 7 и 14 - к координатной шине выборки по считыванию У,19.В режиме записи...

Номер патента: 374706

Опубликовано: 01.01.1973

МПК: H03H 11/24

Метки: делитель, импульсный, моп-транзисторах

...от генераторов 9 и 10, обеспечивающих также разнаполярные напряжения. Результирующее напряжение выделяетсяна фильтре 11 и снимается с клеммы 12.15 Генераторы 1 и 2 поочередно подключаютсяк фильтру 11 через пары транзисторов 8 и 4 или б и б соответствующими напряжениями с генераторов 7 и 8, 9 и 10. Сопротивления открытых ключей, образованных этими парами 20 транзисторов, слабо зависят от входных напряжений, так как при увеличении настряжения сопротивления открытых транзисторов 8 и 5 участка сток-исток уменьшаются, а у транзисторов 4 и б увеличиваются, в результате 25 чего суммарное изменение сопротивлений парсущественно уменьшается.Кроме того, уменьшается и сопротивлениеоткрытого ключа, так как он состоит из параллельного соединения...

Номер патента: 420125

Опубликовано: 15.03.1974

Авторы: Высочина, Солод, Яровой

МПК: H03K 3/353

Метки: импульсов, моп-транзисторах, формирователь

...состояние) ца выходе формирователя (клемма 11) возникает отрицательный потенциал, который открываеттранзисторы 4, 5 и 6, при этом в точке а устанавливается низкий потенциал, близкий к потенциалу земли (фцг. 2, КД. В точках б и втакже устанавливаются низкие потенциалыь (фиг. 2, Уа, l,), так как транзисторы 5 ц 7заперты низким напряжением, поступающимна их затворы с выхода открытого транзистора 4,конденсаторы 10 и 13 в исходном состоянии30 заряжены до напряжения, равного потецциа420125 Предмет изобретения Г Йсл Составитель Ю. ЕркинРедактор Т, Морозова Техред Л, Богданова Корректор Л. Чуркина Изд.13сударственпопо делам иМосква, Ж6 Тираж 811о комитета Совета Министровобретений и открытий, Раушская наб д. 4(5 аказ 185813ЦНИИПИ одписьлзе...

Номер патента: 441592

Опубликовано: 30.08.1974

Автор: Зосимова

МПК: G11C 15/00

Метки: ассоциативный, запоминающий, моп-транзисторах, элемент

...осуществляется подачей высокого логического уровня напряжения на шину 1 Ф, что приводит к отпиранию по затвору транзистора 7, разреОающаго запись, и к подаче напряжения питания ка стоки транзисторов 8 и 9 при считывании. В 15 20 зо г 41 2Фзависимости от состояния триггера, транзистор 8 или 9 находится в открытом состоянии по затвору. При считывании ток течет из числовой шины 14 через открытый транзистор 8 или 9 в одну из разрядных шин 12 ДЗ, находящихся под низким потайциалом, фиксируя на выходе состояние элемента. В режиме сравнения внешняя информация подается в пароФазной Форме на разрядные шины 42 и 13 так, что в случае несовпадения хранящейся в триггере и внешней информации из соответствующей раз.ридной шины 12 или 15 через юран....

Номер патента: 455488

Опубликовано: 30.12.1974

Авторы: Жеребцова, Мансуров, Ободзинский, Поликанов, Талибов

МПК: H03K 17/60

Метки: ключевой, моп-транзисторах, элемент

...рацзцстора 1 подключен к стоку транзистора 2, ца затвор которого также псдаются сигналы управления. 11 сток транзистора 2 соединен с шиной выходных сипи455488 оставитель Е. КовалевРслак)ор Е. Караулова скосл Т, Курилко Корректор О. Тюрин Е пгниг Ззкз 127Тирзж 8 ЦИИ 1 и ло)в схемы. Транзисторы 3 и 4 образуют схему индикации, которая подключает напряжение питания индикации +Е; - Е а на выход коммутатора )в за)висио)ст)и от того, какой знак у пе)рена)пряже)ния на )входе ключа. На затворы транзисторов 3 и 4 подается напряжение, В обычном режиме оба транзистора индикации закрыты. К стоку транзистора 1 подключен истоком транзистор 5, на затвор которого подается постоянно уровень - ЕНа стоке транзистора тот же потенциал, что и ца затворе...

Номер патента: 493027

Опубликовано: 25.11.1975

Автор: Лебедев

МПК: H03K 17/60

Метки: ключ, коммутации, моп-транзисторах, напряжений, разнополярных

...устройствеподложкапервого МОП -транзистора соединена с истоком второго МОП -транзистора,подложка которого соединена с истокоМпервого МОП транзистора.На чертеже представлена принпипиальнаясхема предлагаемого ключа,Устройство содержит два МОП-транэис":тора 1 и 2 одного типа проводимости. Под-ложка 3 МОП -транзистора 1 соединена систоком 4 МОП -транзистора 2, подложка Устройство работает следуюшим образом, На вход 10 подается переменное напряжение, При подаче на затворы 7 и 8 МОП- транзисторов 1 и 2 запирающего управляющего напряжения коммутируемое напряжение на выходе 12 устройства отсутствует. Действительно если какая-либо из полуволн входного напРяткения в зависимости от типа МОП-транзисторов пройдет через МОПтран зистор 1, то...

Номер патента: 493029

Опубликовано: 25.11.1975

Авторы: Бочко, Высочина, Мерхалев, Солод, Яровой

МПК: H03K 19/08

Метки: импульсов, моп-транзисторах, формирователь

...прнатом в выходной двухтактный усилительвведен транзистор в двухполюсном включеена прннципиальная20редлагаемого устройформироватепь импульсов на МОП-т знсторах содержащих двухчактный усили на транзисторах 1, 2, инвертор с токоНа затворе транзистора 3 потенциалиравен Епып-ОиОргде удар- порогавое напряжение транзистора 5.При уменьшении отрицательного потенци- ала на входе 20 (конец импульса) транзисторы 2 и 4 закрываются, и потенциалына левой обкладке конденсатора 8 й на затворе транзистора 1 повышаются. По . вышение потенциала передается на правук обкладку конденсатора 8, что повышает потенциал нв затворе транзистора 1. Пос дний еще больше открывается. Процесс открывания транзистора 1 протекает лавинообразно до тех пор, пока...

Номер патента: 500577

Опубликовано: 25.01.1976

Автор: Солод

МПК: H03K 3/281

Метки: моп-транзисторах, мультивибратор, симметричный

...10, последний начинает проводить и отрицательный потенциал,в точке Я уменьшается. Изменение потенциала в точке с через времязадающий конденсатор 5 поступает на вход пер,вого инвертора, инвертируется и усиливается и через времязадаюший конденсатор 6 поступает в точку с, т. е, на вход 30второго инвертора, где в свою очередьинвертируется и усиливается и через кон-денсатор 6 поступает на вход первого ин-;вертора.Таким образом, при достижении на вхо- фде второго янвертора Ь точке с) потен-циала, равного пороговому уровню транзистора 10, благодаря положительным об+ратным связям через времязадаюшие конденсаторы и при достаточном коэффициенте 4 Оусиления инверторов происходит быстрыйпрокесс опрокидывания схемы во второесостояние, при...

Номер патента: 513476

Опубликовано: 05.05.1976

Авторы: Высочина, Солод, Яровой

МПК: H03K 3/281

Метки: моп-транзисторах, одновибратор

...подключен ко входу одновибратора, выходы 5 обоих элементов "ИЛИ-НЕ" подключены ко , входам двух инвергоров, причем выход первого инвергора подключен через конденсатор к выходу второго, а выход второго инвертора - непосредственно к одному из вхо О дов второго элемента ИЛИ-НЕ".На фиг. 1 приведена принципиальная электрическая схема предложенного однст.вибратора; па фиг. 2 - временные диаграммы..М С приходом на вход одновибратора (точка й ) отрицательного сигнала транзистор 2 открывается, и в точке Е устанавливает ся низкий потенциал. Так как в точке Ъ в этот момент тоже низкий потенциал, го ча выходе одновибратора устанавливается высокий потенциал. Низким потенциалом в точке 5 закрывается транзистор 8, а транзистор 11 открывается,...

Номер патента: 650212

Опубликовано: 28.02.1979

Авторы: Бочко, Мерхалев, Солод, Яровой

МПК: H03F 3/34

Метки: моп-транзисторах, усилитель

...цепи истоков121.Ф На че ная элекУстрой циальньп транзист даются в зисторов напряже и генера рой диф из входи которых теже представлена принципиальтрическая схема устройства, ство содержит первый дифференкаскад, состоящий из входных оров 1 и 2, на затворы которых походные сигналы, нагрузочных тран и 4, на затворы которых подается ие положительной обратной связи, ора тока на транзисторе 5, и втоференциальный каскад, состоящий ых транзисторов 6 и 7, на затворы подаются сигналы с вых, 1 и вых. 2,аказ 2721/5 Изд.170 Тираж 1059 Подписно НПО Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, )К, Раушская наб., д. 4/5Типография, и р. Сапунов нагрузочных транзисторов 8 и 9 и генератора тока на транзисторе...

Номер патента: 752480

Опубликовано: 30.07.1980

Авторы: Кибирев, Коняев, Наймарк

МПК: G11C 15/04

Метки: ассоциативный, запоминающий, моп-транзисторах, элемент

...первого 5 и второго 6 транзисторов элемента "Неравнозначность"соединены с шинами 13 и 14 стокис шиной 15, а истоки - со стоками 15третьего 7 и четвертого 8 транзисторов, истоки которых соединены с шиной 12, а затворы - соответственнос выходами триггера, затворы управляющих транзисторов 9 и 10 соединены щс шиной 16, а стоки - соответственнос выходами триггера. Анод фотодиода11 подключен к стоку транзистора 10,катод - к шине 12. Шина 17 соединенас затвором транзистора 3.Элемент работает следующим образом,Для предустановки триггера на разрядные шины 13 и 14 подаются напряжения, соответствующие парафазномукоду бита, который необходимо эапи- З 0сать в триггер по диэлектрическомуканалу. Затем на шину 16 подаетсяразрешающий сигнал и...

Номер патента: 790335

Опубликовано: 23.12.1980

Авторы: Высочина, Сидоренко, Солод

МПК: H03K 19/08

Метки: импульсов, моп-транзисторах, формирователь

...до величины потенциала 40и -и, ,(точка а) . При поступлении на вход устройства отрицательного потенциала открываются транзис торы 7,12 и 14. В точках д,е, ж устанавливается нулевойпотенциал, что принс-ит к закрываниютранзистора 3 и установлению на выходе дополнительного инвертора, благо"даря токостабилизирующей нагрузке,отрицательного потенциала равногоБИП, а н точке - потенциала равного -2ип -1) я . Транзистор 9 открыти происходит заряд конденсатора 10в точке г цо потенциала Ф 1)ьП , гдеьП - падение напряжениямежду стоком и истокомтранзистора 559, н результате протекания токаи заряд конденсатора 8 до величиныПя -Б. При подаче на вход устройства положительного перепада напряжения транзисторы 7,12,14 закрываются,щОтрицательный...

Номер патента: 797070

Опубликовано: 15.01.1981

Авторы: Золотаревский, Покровский

МПК: H03K 17/60

Метки: ключевой, моп-транзисторах, элемент

...к затвору первогоключевого транзистора.15На чертеже изображена принципиальная схема ключевого элемента на МОПтранзисторах.устройство содержит первый ключевой транзистор 1, сток которого соединен с истоком блокиРующего транзистора 2, затворами выходных транзисторов 3 и 4 индикации, затвором введенного транзистора 5 и входной шиной б.Сток блокирующего. транзистора 2 соединен с затвором первого ключевоготранзистора 1 и с истоком ограничительного транзистора 7, затвор исток которого объединены и подключены к затвору второго ключевого транзистора 8 и шине 9 управляющих сигналов. Исток первого ключевого транзистора 1 подключен к истоку транзистора 3, стоку транзистора 4 истоку второго ключевого транзистора8, исток которого соединен с...

Номер патента: 883968

Опубликовано: 23.11.1981

Авторы: Кассихин, Романов

МПК: G11C 7/06, H03K 5/02

Метки: варианты, моп-транзисторах, считывания, усилитель

...6, проводимость которого обеспечена в режиме считывания связью затвора с положительным входом 14, непрерывно имеющим высокий потенциал в режиме считывания (равный, например, потенциалушины питания 16) . При налиции транзистора 6 с определенной проводимостью переходной процесс не носит ко- зОлебательного характера, а исчерпывается некоторым превышением напряженияв выходном узле 12 его конечного значения и последующим почти незамедлительным возвратом к этому конечномузначению, близкому к порогу включения элемента 9, Такое выходное напряжение предпочтительно, потому что вобычном слуцае достижение заданногоуровня со стороны низких значенийиапрякения происходит с уменьшающейсяскоростью а в этом случае криваянарастания потенциала...

Номер патента: 1140245

Опубликовано: 15.02.1985

Авторы: Высочина, Копытов, Солод

МПК: H03K 19/08

Метки: выходных, запоминающих, моп-транзисторах, постоянных, сигналов, усилитель-формирователь, устройств

...триггер 1,первый выход 2 которого соединен с1входом первого инвертора 3, второй выход 4 - с входом второго инвертора 5, ключевой транзистор 6, включенный между истоками ключевых транзисторов триггера 1 и общей шиной устройства, а затвор ключевого транзистора соединен с шиной 7 тактового сигнала, выходной усилительный каскад 8, инверсную и прямую шины 9 и 10 ввода данных, третий инвертор 11,нагрузочный транзистор 12, первый и второй переключающие транзисторы 13 и 14, первый и второй парафазные усилительные каскады 15 и 16, причем первый вход первого парафазного усилительного каскада 15 соединен с входом первого инвертора 3, а второй вход - с выходом этого инвертора, первый вмод второго парафазного усилительного каскада соединен с...

Номер патента: 1221740

Опубликовано: 30.03.1986

Авторы: Высочина, Копытов, Солод

МПК: H03K 19/094

Метки: моп-транзисторах, усилитель-формирователь

...к высокому потенциалу, и на выходной шине 20 потенциал начинает нарастать. В определенный момент напряжение на выходной шине 20 оказывается достаточным для отпирания транзистора 8, низкий потенциал стока которого после его отпирания запирает транзисторы 5, 12, 17 и 18, В этот момент включаются в работу смещающие конденсаторы, Правая обкладка конденсатора 19 через открытый транзистор 14 оказывается подключенной к шине 21 питания, а поскольку транзисторы 10 и 12 к этому времени заперты, потенциал его левой обкладки оказывается выше напряжения питания. Это бутстрапное напряжение, воздействуя на затвор транзистора 4, ускоряет его отпирание, Одновременно на сток транзистора 4 также воздействует бутстрапное напряжение левой...

Номер патента: 1236604

Опубликовано: 07.06.1986

Авторы: Буй, Животовский, Копытов, Солод

МПК: H03K 19/094, H03K 5/01

Метки: импульсов, моп-транзисторах, формирователь

...транзисторов 9 и 12, способствуя ускоренному заряду емкости выходной шины 16 и разряду емкости транзистора 10 и, следовательно, его эапиранию. На выходной шине устанавливается сигнал с уровнем логической единицы.Поскольку Формирующие бутстрапное напряжение второй и третий каскады в устройстве непосредственно к выходной шине не подключены, скорость нарастания этого напряжения оказывается вьипе, что способствует повышению общего быстродействия устройства, 1(роме того, здесь вплоть до момента включения цепи ускоряющей обратной связи потенциал кочденсатора 8 поддерживается равным напряжению питания, что позволяет новы- сить амплитуду потенциала стока транзистора 5 и, тем самым, повысить быстродействие устройства эа счет более полного...

Номер патента: 1249695

Опубликовано: 07.08.1986

Авторы: Буй, Животовский, Копытов, Солод

МПК: H03K 5/153

Метки: адресного, интегральном, исполнении, моп-транзисторах, обнаружения, сигнала, смены

...транзистора 5. Кроме того, с самого начала переходного процесса (момент , ) транзистор 51249695 3начинает закрываться по затвору, Таким образом, от момента времени 1, до - напряжение в точке 14 начинает возрастать за счет зарядного тока нагрузочного транзистора 9 и уменьшения напряжения на затворе транзистора 5. С момента времени 1й до момента 1 скорость возрастания напряжения в точке 14 увеличивается за счет двух дополнительных про О цессов, в . дополнительного. запирания транзистора 5 по его истоку (точка 17), разряда точки 18 на точку 14 за счет открытия транзистора 7 прямым входным сигналом. 15С момента времени 1 (уровеньздвух пороговых напряжений входного прямого сигнала) начинается понижение напряжения в точке 18 через20...

Номер патента: 1336112

Опубликовано: 07.09.1987

Авторы: Варшавский, Кравченко, Мараховский, Цирлин

МПК: G11C 11/40

Метки: запоминающее, моп-транзисторах

...входах 19 и 20 устройства, совпадает с ранее записанной в ячейку 1, то изменения состояния последней не происходит, и после того, как на выходе элементов 12 и 14 появится высокий потенциал, на выходе элемента 13 появится низкий потенциал, а затем на выходе инвертора 15 и выходе 21 устройства - высокий потенциал, что является признаком завершения переходных процессов. Если же информация, установленная на информационных входах 19 и 20 устройства, противоположна ранее записанной в ячейку 1, то происходит переключение последней. При этом, несмотря на высокий потенциал на выходе элементов 12 и 14, переключения элемента 13 не произойдет до тех пор, пока в ячейке 1 не установится требуемое состояние. В этом случае сначала на обеих шинах 16 и...

Номер патента: 1357945

Опубликовано: 07.12.1987

Авторы: Варшавский, Мараховский, Тимохин, Цирлин

МПК: G06F 7/50

Метки: моп-транзисторах, одноразрядный, сумматор

...(С; = 0). При единичном значении на входах обоих слагаемых (Х= У; = 1) на затворе транзистора 8, как и на затворе транзистора 5, имеется единичное значение и он открыт, но из-за того, что такое же значение имеется и на стокеэтого транзистора, это не вызывает уменьшения значения на выходе переноса. Теперь при нулевом значении на выходе суммы, что возможно только при нулевом значении на входе переноса (С ,= 0), транзистор 9 закрыт и на выходе переноса единичное значение (С; = 1), При единичном значении на выходе суммы (Я; = 1), возможным только при единичном значении на входе переноса (С.,= 1),транзистор 9 открыт, но закрыт транзистор 10, на затворе которого имеется нулевое значение, вследствие того, что транзистор .7 открыт...

Номер патента: 1365129

Опубликовано: 07.01.1988

Авторы: Варшавский, Кравченко, Мараховский, Цирлин

МПК: G11C 11/40

Метки: запоминающее, моп-транзисторах

...састояния последней не лрсисха,:,и, . после того, как на выходе элемента 1 появляется высокий потенциал, та зыхаде элемента О появляется:иэкий лстенциал, а затем на выходеипвертора 12 и выходе 18 устройства -вьсокийт чта, как и в режще ттения,25 является признакзавершения переходных пг 1;де с сов. Есни ттнфарматтия,устаовгенная на информационных входах 16 и 17 устройства, противоположна ра;.ее записан; , в элемент 1,з раис ходт те рекзпслззие последнего..".зи:там, .несмотря на высокий потенцал на гг ходе элем=нта 1 , переключенс элемента 10 не происходит дотех лар, пака в элементе 1 не устанавливается требуемое состояние. Вэтом случае сначала на обеих шинах13 и 14 появляется низкий потенциалЗатем, когда информация записываетсяв...

Номер патента: 1381490

Опубликовано: 15.03.1988

Авторы: Варшавский, Мараховский, Тимохин, Цирлин

МПК: G06F 7/50

Метки: моп-транзисторах, одноразрядный, сумматор

...нулевое значение (Я; = О), что возможно только при единичном значении на входе переноса (С;., = 1), то закрыт и транзистор 9 и на выходе переноса - единичное значение (С; = 1). Если на выходе суммы имеется единичное значение (8; = 1), что возможно только при нулевом значении на входе переноса (С;, = 0), то транзистор 9 открыт.Кроме того, открыт и транзистор 10, на затворе которого имеется единичное значение, вследствие того, что транзистор 7 закрыт нулевым значением, поступающим с выхода элемента РАВНОЗНАЧНОСТЬ 1, В результате на выходе переноса будет нулевое значение (С; = О)При единичном значении на входах обоих слагаемых (х,у = 1) на затворе транзисторов 8 и 5 имеется единичное значение. Транзистор 5 будет открыт, но из-за того,...

Номер патента: 1411823

Опубликовано: 23.07.1988

Авторы: Варшавский, Гольдин, Кондратьев, Цирлин

МПК: G11C 11/40

Метки: запоминающее, моп-транзисторах

...подается на вход 23 управления записью устройства и на выходе элемента 17 появляется высокий потенциал, который открывает транзисторы 6 и 7, через которые на вход инвертора 13 поступает сигнал с информационного входа 22 устройства, а на вход инвертора 14 - его инверсия.Если информации, поступающая на вход 22 устройства, совпадает с ранее записанной в элемент 1, то изменения состояния последней не происходит и после того, как сработает один из инверторов 13 или 14 и на его выходе появится высокий потенциал, на выходе элемента 18 появится низкий потенциал, который вызовет появление высокого потенциала на выходе инвертора 15, т.е. на выходе 25 устройства, что свидетельствует о завершении переходных процессов в этой фазе работы...