C30B 29/22 — сложные оксиды

Номер патента: 148016

Опубликовано: 01.01.1962

Авторы: Касаткин, Петров, Трейвус

МПК: C30B 29/22, C30B 7/04

Метки: выращивания, йодноватокислого, калия, монокристаллов

Номер патента: 161690

Опубликовано: 01.01.1964

МПК: C30B 29/22, C30B 7/04

Метки: 161690

...температуры, степень переохлаждения, содержание примесей и их природа.Предложен способ стабилизации скорости роста монокристаллов типа бромноватокислого натрия изоляцией растущего кристалла от всяких источников света при постоянстве основных параметров, влияющих на скорость роста. 3Пр и мер. В случае выращивания монокристалла бромноватокислого натрия при температуре 10 С и цпереохлаждении 42 С, с точностью поддержания температуры в районе затравки О,О 17.С на кристаллах до 2 мм сред ТЗЛЛОВ ОрОМНОВЗТОКИСЛОГОнее отклонение скорости роста при свете составляет 0,21 лак/лиан, без света0,07 мн/мин.При температуре 4 ОС и Переохлаждении 4,2 С влияние света не обнаружено.Способ стабилизации скорости роста криснатрия при постоянных величинах...

Номер патента: 171382

Опубликовано: 01.01.1965

Автор: Бажал

МПК: C30B 29/22, C30B 7/04

Метки: выращивания, монокристаллов

...заявкил. 12 с, 2 МПК В 01 д ДК 66,065.5(088,8 иоритет Опубликовано 26.Ч.1965. Бюллетень11 Дата опубликования описания 28.И.1965 ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛО редмет изоб Известныйсталлов метоных растворолен. посоо выращивания монокрим кристаллизации из насыщендлителен и малопроизводитеени Предлояенныи способ лишен этих недостат. ков и состоит в том, что кристаллизацию ве дут при темпер ату ре кипения насыщенного раствора в строто герметизированном объеме и постоянном давлении,одписная группаГосударственный комитет по делам изобретений и открытий СССРСпособ выращивания монокристаллов, например алюмоаммониевых квасцов, методом 5 кристаллизации из насыщенных растворов,отлссчаюи 1 ийся тем, что, с целью интенсификации процесса,...

Номер патента: 273175

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Золотухин, Цветков, Шустов

МПК: C30B 29/22, C30B 7/00

Метки: вырашивания, искусственных, кальцита, кристаллов, оптического, шихты

...искусственных кристаллов оптического кальцита путем использования всех отходов от обогащения и обработки естественных кристаллов оптического кальцита, полученных из одного месторождения.Основным недостатком известного способа является невозможность обеспечения химической и оптической однородности выращиваемого кристалла.Для устранения этого предложено исходную шихту обогащать материалом из пирамид роста граней одной простой формы,П р и м е р. Из кристаллов месторождения Крутое вырезают, пластины, нормальные к оптической оси, плоскости пластин полируют. Пластины просматривают при помощи люминоскопа, в котором ультрафиолетовые лучи, образованные лампой БУВ, пропускают через фильтр из стекла УФС, поглощающий видимое излучение.Объем...

Номер патента: 397477

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Винник, Громзин, Зверева, Филиппов

МПК: C30B 29/22, C30B 9/12

Метки: baamgafeioozs, выращивания, гексаферрита, монокристаллов, шихта

...%):Окись железа 30,9 - 31,0 Ъглскислый барий 58,0 - 58,2 Окись магния 2,5 - 2,6 Окись бора 8,3 - 8,5 8,5 мешают в печьИзооретение относится к получению ВагМдг 1 е 1 гОгг ферромагнитных гексагональцых монокристаллических материалов, применяемых в различных сверхвысокочастотных устройствах миллиметрового диапазона длин волн.Известна шихта для выращивания моцокристаллов гексаферрита ВагМдгГе,гОгг ца основе окиси железа, углекислого бария, окиси магния и соединения, образующего раствори- тель. При этом отмечается малая магнитная добротность монокристаллов, Для получения монокристаллов с высокой магнитной добротностью (ЛН (30 э) предлагается в качестве соединения, образующего растворитель использовать окись бора, а исходные компоненты...

Номер патента: 407575

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Вител, Сычева, Тимашев

МПК: C30B 29/22, C30B 7/14

Метки: эттрингита

...продуктов р мината и суолученпя эттрингпта трехсульфатгидросульфоаломнната кальция раствора алюмнната и сульфата тличающийся тем, что, с цения эттрннгнта в виде монокриоцесс ведут встречной диффузией астворения трехкальцпевого алольфата кальция. Изобретение относится к технологии выращивания монокристаллов из водных растворов и может быть использовано для расширения возможностей излучения составляющих цементного камня.Известен способ получения эттрингита трехсульфатной формы гидросульфоалюмината кальция путем сливання раствора сульфата кальция и раствора, образовавшегося над трехкальциевым алюминатом, По известному способу образуются кристаллы игольчатой формы длиной 15 - 20 мкм, которые непригодны для структурных и физико-химических...

Номер патента: 400137

Опубликовано: 25.02.1974

Авторы: Вахндопа, Вители, Лобачсв, Мельников, Триедина

МПК: C30B 29/22, C30B 31/20

Метки: кристаллов, фотохромного

...юв 1,8 0" и/с.,е сск. В тсчси;е 23 члс при 40 С исхОдцып 1:.рпс.1,1 л Окр 11 пп влетел до плотпости .0=2. р е д м с Г 11 3 0 бе т с 1 и;1 1. Способ полного солллп-л,с целПо обсспсПИЯ КРИСТЛ,ЛОВпроцесса, Образта облучлются2. Спосоо почто в кт 1 ествспользуют екесткИ 15 .3. Способ почто в качествепользуют быстр кристаллов фотохром члющцйсл тем, что Озмогкиости возбу 5 кде ., 001 с.;с и процтсци 5 стлллпчсского смилли лмОпим излучец 1 юм.Т Л И Ч: 1 О ИИ 1 С 51 ТС М эующсго излучения ис ктромлгиитие излуче 1 СЦИЛОТЛ и 1 СП 1; В во все Ц) КР 1 цоцизп и. 1, о оппзи ие эле кристалл гидросо 11 зли. а мм помеш,ают в полИзобретение отцоситсл к способам получсция кристаллов фотохромиого содалитл, которые могут использоваться в виде поликриста 1...

Номер патента: 421355

Опубликовано: 30.03.1974

Авторы: Артамонова, Гликин, Николаева

МПК: C30B 29/22, C30B 7/08

Метки: бифталата, выращивания, калия, монокристаллов

...способов, гсмпературы задают пепосле чего ведут кривке. При выращивании снижения температуры а кристалла постепенно Изобретение относится к области выращивания монокристаллов бифталата калия.Известсн способ выращивания монокристаллов бифталата калия методом осаждения вещества, например, снижением температуры из водного раствора с добавками.Известньш способ не позволяет кристаллизовать бифталат калия из его стехиометрического водного раствора при температурах ниже 25 С, так как при этих температурах стехиометрические составы располагаются в пределах поля устойчивости соли КС 8 Н 404 ( М 4 С 8 Н 604 Х 4 НеО.Зто обстоятельство слов при их выращиватем пер атуры.Цель изобретения - расширение температурного диапазона процесса...

Номер патента: 992617

Опубликовано: 30.01.1983

Авторы: Копылов, Кравченко, Куча, Соболев

МПК: C30B 29/22

Метки: висмута, германата, материал, монокристаллического, основе, силиката, электрооптический

...ческую пленку, состав ветствует эмпирическо В 18 СеМ 9 р 210 р, Полуво ние в полученной плен ны 633 нм на 25 меньтаваПример 4 Ан ру 3 из шихты, содерж В)0 92,896; 510 2, выращивают монокрист ку, состав которой со пирической формуле В Полуволновое напряжен монокристаллической п волны 633 нм на 22 м ,пленке состава В 2 51П р и м е р 5, Ана ру 2 из шихты, содерж В 2 03 97,886; 5 Од 2, готовят расплав и мет ского выращивают моно которого соответствуе ФОРМУЛЕ В 11 зиа 651 Вао,о волновое напряжение и нокристалла на длине меньше, чем у монокри В 12 5102 р,Как видно из приве ров, предлагаемое реш по сравнению с извест 35 снизить полуволно электрооптических мон ких материалов на осн или германата висмута венно уменьшить управ...

Номер патента: 1643633

Опубликовано: 23.04.1991

Авторы: Бичурин, Пополитов, Цейтлин

МПК: C30B 29/22, C30B 7/10

Метки: монокристаллов, соединения

...градиента температуры 1,6-2,1 град/см, Получают мснокристаплы в виде удлиненныхксаганальных призм длиной 3-б мм. Выд кристаллов 83 - 90;4 2 табл. клава происходит образование манакристаллав Яс 2 ЯЬ 409. Полученные манокристаплы кристаплизуются в виде удлиненных гексагональных призм, длина которых колеблется от 1 до 3 мм, Указанная область получения манокристаппов Яс 2 ЯЬ 409 ограничена параметрами: ЯЬ 20 з:Яс 20 з= 1.2;1=620 С; Л 1= 1,6 град/см, СсзР = 18 мас.,4.П р и м е р 2. Исходные компоненты шихты ЯЬ 20 з и Яс 20 з, взятые в мапьнам отношении 1,5;2,4, помещают на дно автоклава, устанавливают перегородку и затем заливают водный раствор фтаристага цезия концентрацией 36 мас,0/ Отношение жидкой фазы к твердой составляет б:1. Автоклав...

Номер патента: 1656014

Опубликовано: 15.06.1991

Авторы: Бичурин, Бондарева, Дыменко, Ломонов, Пополитов, Телегенов

МПК: C30B 29/22, C30B 7/10

Метки: выращивания, монокристаллов, оn

...р и м е р 2. В автоклав, футерованный фторопластом, помещаютхимические реактивы тетрабората литияи борной кислоты при их массовомсоотношении 2, 0: 1, О, затем заливаютэтанол (98 мас.7) и размещают перегородку для регулирования конвекциидля заданного температурного перепада, Отношение жидкой фазы к твердой3,0:1,0. Автоклав герметически закрывают и помещают в двухзонную печьсопротивления, где его нагревают дотемпературы (Т) 300 С (зона растворения) с температурным перепадом ( Т)о35 С. При данном нагреве давлениежидкой среды составляет 125 атм,20Процесс получения монокристаллов протекает по схеме, описанной в примере 1. Выход монокристаллов 98,1 Е,размеры до 5,7 мм.П р и м е р 3. В автоклав, футеро 25ванный фторопластом, помещают...

Номер патента: 1673654

Опубликовано: 30.08.1991

Авторы: Осецкий, Панченко

МПК: C30B 15/04, C30B 29/22

Метки: материал, фотохромный, электрооптический

...коэффициентом реверсивности (возможность стирания информации)0 -- ( - 100 7 ь и относительным контрЛТ,сЬТоастом записи ц - в диапазоне частотТо16000ч15000 см, где То - начальное значение оптического пропускания;Т 1 - пропускание после фотоактивации втечение г; Тф - бегущие значения пропускания в процессе длительной фотоактивации;Тс - значение пропускания после стиранияинформации светом с ч16000 смПолученные зависимости е(ч) и ЬТпредставлены на фиг.1 и 2 соответственно,значенияИО приведены в таблице.Данные фиг.1 свидетельствуют о такихнедостатках кристаллов ВЯО + Мп (кривая 1) и ВЯО+ Сг(кривая 2), как малые скорости окрашивания в спектральном диапазоне 16000ч11000 см считывания ин.1формации (включая наиболее практически значимый...

Номер патента: 1675408

Опубликовано: 07.09.1991

Авторы: Барабошкин, Вакарин, Калиев

МПК: C30B 29/22, C30B 9/14

Метки: бронз, кристаллов, оксидных, электрохимический

...медную проволоку диаметром 0,37 мм, в качестве анода - платиновую проволоку диаметром 0,5 мм. Между электродами пропускают постоянный электрический ток плотностью 3 мА/см. Наблюдают образование на катоде зародыша кристалла и его рост в виде иглы, ограненной по бокам плоскостями 1110), а по вершине 1 ОЯ). Через 2 мин по достижении кристаллом заданной длины 3 мм плотность тока увеличивают в 1000 раз до 3000 мА/см. Наблюдают разращивание кристаллической иглы в боковых направлениях и по истечении 5 мин преобразование ее в бипирамиду, ограненную плоскостями типа 1310). Получают кристалл калий-натрий-вольфрамовый бронзы размером во всех направлениях 2,8 - 3,2 мм.Пример 2. Процесс проводят, как в примере 1, но изменяют плотность тока и...

Номер патента: 1675410

Опубликовано: 07.09.1991

Авторы: Карепов, Крашенинников, Кулаков, Николаев, Рязанов, Сидоров

МПК: C30B 29/22, C30B 33/02

Метки: высокотемпературных, монокристаллов, сверхпроводников

...до комнатной температуры, Температурный интервал перехода об165410 Формула изобретения Способ обработки монокристаллов высокотемпературных сверхпроводников на основе сложных оксидов путем их выдержки при повышенной температуре в атмосфере, содержащей кислород, отличающийся тем, что, с целью сокращения времени процесса, выдержку осуществляют при 250 - 380 С в кислородно-озонной смеси, содержащей в 5 об.Я озона, в течение 1 - 2 ч. Таблица 1 оТемпература отжига, С Температуратермообработки,С,(время 1,5 ч) 230 250 280 300 330 350 380 400 Температурный интервал перехода дТ, КУВаСц 3 О,Т КВ. Бг СаСц О 94-93 94-85 94-93 94-93 94-75 94-90 94-92 94-93 80-22 80-75 80-76 80-76 80-77 80-65 80-77 80-77 Т а б л и ц а 2 Время термообработки,...

Номер патента: 1687649

Опубликовано: 30.10.1991

Авторы: Кузьмина, Мошкин, Нардов

МПК: C30B 29/22, C30B 9/12

Метки: кристаллов

...по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 13035, Москва, Ж, Раушская наб 4/5Производственно-издательский комбинат "Патен", г. Ужгород, ул.Гагарина, 101 Те, Пеоатурц В 3 сЗС 3 воре, ОдиНВКОВОИ для Всех о,ьггов являлась "акже методика обрабп ки зксга-,име-п.ащ нцх результатов, котора."; заключалась в следующем. Из ка 3 кдого Опыта отбиралось 30 наиболее ;.) пнь 1 х кристаллов.,Салее с испОльзовднием микроскопа МИН-б с гониометрической гол Овкой, на котОрой закреплялись кристацлц, для каждОГО к)3 исталла В отраженном свете Определялось нличие взаимно О-, кло- НЯЮЩИХСЯ УЧВСТКОВ ПОВ 8 РХНОСТИ, ПРИнслдлеиащим разным блокам, и измерялся размер Оло;ОВ, Затсм подсчитывалось суммарное число моноблоков размером более 1 х 1 х 0,1 мм для Всех...

Номер патента: 1691433

Опубликовано: 15.11.1991

Авторы: Курлов, Редькин

МПК: C30B 15/34, C30B 29/22, C30B 29/30 ...

Метки: выращивания, кристаллов, оксидов, профилированных, сложных

...Включение материала формообразователя и дефекты,связанные контактом с формообразователем, наблюдаются только на поверхностнойчасти кристалла,Измерить давление в замкнутом объемене представляется возмокным но онолегкорассчитывается из следующих условий;рЧ = сопэт(закон Бойля-Мариотта) и Р -Р.= рцэр,где Р - давление в замкнутом объеме;Р - давление в камере;р - плотность расплава;о - ускорение свободного падения;Ь - высота поднятия расплава в замкнутом обьеме относигельно уровня расплава.Но в данном случае наиболее вахнойхарактеристикой является расстояниеотпластины затравки до места схлопывания(фиг. 4), в зависимости гп Р - давления в 10 15 20 25 30 35 40 45 50 камере. Зто расстояние рассчитывают поформуле Н-Н+ Нф,Ну р цРгде Н -...

Номер патента: 1693135

Опубликовано: 23.11.1991

Автор: Мамаджанов

МПК: C30B 29/22, C30B 33/04

Метки: изменения, минералов, окраски

...образцы кальцита облучают у -излучением со средней энергиейу -квантов 1,25 МэВ, интегральной дозой(1,1 - 1,3).10 Р. Окраска кальцита слабо-чайвная, а после отжига при 30-40 С в течение15 - 20 мин - чайная,П р и м е р 3, Серые, белые, серовато-белые некондиционные образцы кальцита облучают у -излучением со средней энергиейу -квантов 1,25 МэВ, интегральной дозой(2,1 - 2,3).10 Р. Окраска слабая медово-жел 8тая, а после отжига при 40 - 50 С в течение20 - 25 мин - медово-желтая средней интенсивности,П р и м е р 4. Серые, белые серовато-белые некондиционные образцы кальцита облучают у -излучением со средней энергиейу-квантов 1,25 МэВ, интегральной дозой(2,8 - 3,2),10 Р, Окраска образца - медовожелтая, а после термообработки при 40...

Номер патента: 1701756

Опубликовано: 30.12.1991

Авторы: Демьянец, Косова

МПК: C30B 29/22, C30B 7/10

Метки: монокристаллов, нефелина

...автоклава, в верхней его части (высотой 20 мм) наблюдается даже при минимальном ЛТ (10 С) значительное образование спонтанных кристаллов нефелина, вплоть до образования "крыши", толщиной 5 - 7 мм. Границы интервала концентраций также определяются, с одной стороны (ниже 3 мас.%), низкими скоростями роста, с другой (выше 17 мас.) - образованием спонтанных кристаллов гидроканкринита, нефелина или содалита, в зависимости от температуры.При проведении процесса в растворах йаОН (С 1 чаон 3 - 17 мас.) скорость роста кристаллов низка, Урюк0,02 мм/сут, при использовании КОН образуется другая фаза - КА 31 О 4 со структурой кальсилита, При использовании смеи 3 анного раствора йаОН + КОН с объемным соотношением меньше 1:2 при тех же исходных...

Номер патента: 1708946

Опубликовано: 30.01.1992

Авторы: Горошенков, Заболотнов, Козлов, Комоликов, Лебедев, Пейчев, Плинер, Поротников, Прокопьев, Пургин, Романенко, Ямов

МПК: C30B 29/22

Метки: материал, монокристаллический

...(К 1 с) проводили на 3-4 параллельных образцах, выпиленных из монокристаллов, размером 3,04,045 мм. Измерения К 1", проводились методом пропила.(57) Изобретение относится к монокристаллам на основе диоксида циркония (2 г 02) и может быть использовано при изготовлении инструмента для обработки металлов (волок, плавающих оправок и др,). Цель изобретения - повышение ударной вязкости. Монокристаллический материал представляет собой кристалл кубической сингонии с мелкодисперсными выделениями тетрагональной фазы и содержит компоненты в следующем соотношении, мол.: диоксид циркония 95,2-97,3; диоксид церия 0,8-.3,5; оксид иттрия 1,3-1,9, Монокристаллы получают плавлением в "холодном" тигле. Ударная вязкость (Кс) таких образцов изменяется от...

Номер патента: 1733515

Опубликовано: 15.05.1992

Авторы: Денисевич, Радучев, Штейнберг

МПК: C30B 11/02, C30B 29/22

Метки: высокотемпературных, монокристаллов, сверхпроводников

...сверхпроводников в системе В 1 Зг-Са-Сц-О с одинаковой температуройперехода в сверхпроводящее состояние.Использование скоростей свыше 5 мм/чухудшает условия гомогениэации расплава.С момента изменения напряжения наиндукторе (т 4) скорость перемещения тигля устанавливают 0,01 - 0,8 мм/ч и поддерживают до полной кристаллизациирасплава, после чего увеличивают скорость.перемещения тигля до 10 мм/ч, реализуетсяотжиг полученного материала (область Ч).Уменьшение скорости перемещениятигля меньше 0,01 мм/ч не улучшаетсвойств полученных монокристаллов повоспроизводимости температуры переходав сверхпроводящее состояние Тс измененной при сопротивлении, близком к нулю, носущественно снижает Тс этих кристаллов.Увеличение скорости перемещения тигля...

Номер патента: 1733516

Опубликовано: 15.05.1992

Авторы: Бойков, Грибанова

МПК: C30B 29/22, C30B 33/02

Метки: пленок, системы

...обогащенной20 висмутом, а также пленка становится неоднократной по толщине. Отклонения составапрослоек между кристаллами от стехиометрического проявляются, таким образом, привыходе времени отжига как за верхнюю, так25 и за нижнюю границы заявляемого диапазона, что влечет за собой снижение критического тока,. Также необходимым признаком предлагаемого способа является величина пар 30 циального давления активных компонентоватмосферы, в которой производится обработка, Парциальные давления кислорода -Ро и паров В 1-Рв должно находится в интервалах 1,5 - 15 и 0,1 - 1,5 Па соответствен-35 но. При величинах Ро1,5 Па происходитобеднение приповерхностного слоя пленкии областей вблизи границ кристаллитов кислородом и вследствие этого падение 1 кр,...

Номер патента: 1737036

Опубликовано: 30.05.1992

Авторы: Гришин, Мезин, Старостюк

МПК: C30B 29/22, C30B 33/10, C30B 9/12 ...

Метки: затвердевшего, извлечения, монокристаллов, раствора-расплава

...травителя приводит к загрязнению поверхности монокристаллов1737036 Режим Концентрацияводного раствора лимон- нОЙ кислоты, о Температуратравления, С Время травления, чРезультаты травления после отмывки водой 25 24 Травления не наблюдается Частичное селективное травление Полное отделение монокристаллов УВа 2 Сцз 07-х То же Травление монокристаллов Образуются нерастворимые кристаллы посторонней азы80 30 10 24 24 14 10 24 40 10 24 36 фазой СиО. Кроме того, существенным не достатком этого травителя является высокая агрессивность и токсичность формамида и ацетонитрила.Цель изобретения - облегчение отделения монокристаллов, обеспечение чистоты их поверхности, уменьшение агрессивности селективного травителя,Поставленная цель достигается...

Номер патента: 1738876

Опубликовано: 07.06.1992

Авторы: Карасик, Качарава, Тогонидзе, Цинцадзе

МПК: C30B 29/22, C30B 9/12

Метки: выращивания, монокристаллов

...малую площадь контакта с шихтой, что исключает растрескивание кристаллов за счет разности температурных коэффициентов расширения,Целью изобретения является увеличение размеров, повышение выхода кристаллов и облегчение их извлечения из шихты.Поставленная цель достигается тем, что приготовленную смесь из ВаО, СцО и У 1 ВагСозО-х нагревают в алундовом тигле до 970 - 990 С и выдерживают в течение 24 - 30 ч, после чего тигель перемещают через градиент температуры1,5 С/мм со скоростью 1 - 2 мм/ч, при этом в температурной области 700 - 600 С охлаждение производят со скоростью 15 - 20 С. Весь процесс роста происходит в атмосфере воздуха.На фиг. 1 дача установка зонной плавки; на фиг. 2 - температурный профиль установки.Сущность изобретения...

Номер патента: 1738877

Опубликовано: 07.06.1992

Авторы: Безрукавников, Емельченко, Малюк, Масалов

МПК: C30B 29/22, C30B 9/12

Метки: выращивания, монокристаллов

...ниже температуры спонтанной кристаллизации, но выше 1050 С, после чего изменяют направление температурного градиента на противоположное и ведут рост монокристаллов в охлаждаемой верхней части раствора-расплава при постоянной температуре.В предлагаемом способе рост монокристаллов происходит за счет массопереноса кристаллообразующих компонентов путем естественной конвекции от питателя к кристаллоносцу(либо затравке) в поле температурного градиента при постоянной температуре на фронте кристаллизации. Питатель формируется в нижней части кристаллизатора в ходе охлаждения расплава со скоростью 10 - 50 град/ч в поле температурного градиента от температуры выше температуры ликвидуса до температуры ниже температуры начала спонтанной...

Номер патента: 1354798

Опубликовано: 15.07.1992

Авторы: Абаренкова, Иванова, Саенко, Харинская, Шильников

МПК: C30B 29/22, H01F 1/10

Метки: кристаллический, материал, ферритовый

...порошок измельчают в вибромелькице, после чего из него прессугот таблетки диаметром 5,8 мм и высотой 8 мм. Таблетки обжиГают при 1300 С в потоке азота.Выращивание мококристаллов производят модифицированным методом Бриджмека, позволягошим получать крупногабаритные и однородные кристаллы диаметром 50 мм и длиной 100 - 150 мм. Температура выращивания 1620-1640 С,о скорость выращивания 2 мм/ч, температурный градиект в зоне роста -10 град./см, давление кислородао ,1 атм, скорость охлаждения по 50 С/ч до 1200 С и 25 С/ч от 1200 До 300 С. Состав кристалла (лгас.%) определяется микроректгекоспектральным анализом, а содержание оксида железа (111) химическим анализом; 4798 2МпО 16,8ЕпО 12,9РеО 2,3Ре 0 67,8Полученный материал имеет следующие...

Номер патента: 1761824

Опубликовано: 15.09.1992

Авторы: Егоров, Копьев, Леденцов, Максимов, Мамутин

МПК: C30B 23/08, C30B 29/22

Метки: выращивания, оксидных, слоев, сложных, соединений

...по толщине слоев, Для калибровки потоков атомов металлов слои металлов напылялись на холодную подложку, часть поверхности подложки маскировалась, После выращивания измерялась толщина слоев в электронном или интерференционном микроскопе, Интенсивности потоков молекул ВаО и ВаР 2 калибровались по толщине эпитаксиальных монокристаллических слоев ВаО и ВаЕ 2, выращенных при температуре подложки 400- 600 С, Интенсивности потоков рассчитывались из измеренной толщины слоев и их плотности.В процессе выращивания интенсивность потоков атомов и молекул контролировалась масс-спектрометром Ва 1 еггОМа 140. Все слои выращивались на подложках ОаАз(100), прошедших химическую очистку, травление и пасси вацию поверхности слоем естественного окисла,...

Номер патента: 1772222

Опубликовано: 30.10.1992

Авторы: Булышев, Парфенов, Серых, Шнейдер

МПК: C30B 29/22, C30B 9/12

Метки: выращивания, высокотемпературного, монокристаллов, сверхпроводника

...С в течение6 . Затем смесь доводят до плавления ичерез 2 ч хлажда ат с печью до комнатнойтемп "а.уры, Приготовленную таким обра:ам ш хту помещают в вертикальную ци"рическую печь, выдержлвают 60 мин.,ри 950 С, затем охлаждаот до 850 С в теп; овом поле с градиентом 40 град/см со скоростью 1 град/ч и далее до комнатнойтемпературы со скоростью 200 град/ч, Изполученного слитка выкалывают пластинчатые монокриста/лы, Максимальные размеры кристаллов дастигаот 2025 х 0,1 мм .Дополнительный отжиг, проводят при 80 Гв,ечсние 4 ч, Выращенные таким. Спосоосммонокристаллы имеот температуру перехода в сверхпроводящее состаян е 87-89 К: перекристаллизацию путем охлаждениярасплава в неоднородном тепловом поле ипоследующий отжиг, процесс охлажденияведут в...

Номер патента: 1775509

Опубликовано: 15.11.1992

Авторы: Водолазская, Воронкова, Леонтьева, Петровская, Яновский

МПК: C30B 29/22, C30B 9/12

Метки: монодоменных, монокристаллов, сверхпроводниковых, типа

...до температуры 1030 С. При этой температуре расплавы выдерживают в течение часа и охлаждают до температуры 2000 С1775509 Составитель И. ЛеонтьеваТехред М.Моргентал Корректор,Л, Филь Редактор Заказ 4024 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г, Ужгород, ул.Гагарина, 101 со скоростью 4 С/час. Кристаллы освобождают из застывшего расплава механическим путем.При наблюдении в поляризованном свете были найдены кристаллы размером до 1 мм, свободные от двойников, а также.кристаллы с крупнодоменной структурой с размерами двойников 0,5-1 мм.П р и м е р 2. Смесь состава 3 мол.% ТагОз, 27 мол.7 ь Ва 0, 3 мол.7...

Номер патента: 1589690

Опубликовано: 30.11.1992

Авторы: Зосим, Пузиков, Семенов

МПК: C30B 23/02, C30B 29/22

Метки: высокотемпературных, пленок, сверхпроводящих

...6 высокотемпературной сверхпроводящей керамики УВа 2 Соз 07-х размером частиц 1-5 мкм под1589690 ают со скоростью 50 мкг/мин на испаритель3 вдоль поверхности на расстоянии 1-2 ммперпендикулярно потоку 7 испаряемого вещества, Поток бесконтактно испаренногопорошка в течение 4 мин осаждают на подложку 5, выполненную в виде диска диаметром 15 мм из мо окристалла ЯгТ 10 з,расположенную на расстоянии 3 см от испарителя и нагретую до 300 С. Охлаждение докомнатной температуры подложки с пленкой проводят естественным путем,В результате без дополнительного отжига получают высокотемпературнуюсверхпроводящую пленку УВа 2 Сцз 07-х диаметром 15 мм и толщиной 0,8 мкм. Поверхность пленки является зеркально гладкой ине содержит включений других...

Номер патента: 1309836

Опубликовано: 15.01.1993

Авторы: Буташин, Каминский, Милль, Писаревский, Сильвестрова, Ходжабагян

МПК: C30B 29/22, H01L 41/18

Метки: материал, пьезоэлектрический

...лантаноида Ьп,включающий дополнительно оксид элемента М, о т л и ч а ю щ и й с я тем,что, с целью расширения диапазона рабочих частот и повышения температурной стабильности, он дополнительно содержит оксид галлия Са при соотношении компонентов в соответствии с эмпирической формулой Ьп Са МО,; где 0,5 сх е 1.,0.2, Материал по п.1, о т л и ч а ющ и й ся тем, что он содержит лантаноид иэ группы, включающей Ьа, Ы и Рг нли их смесь", и дополнительно оксид элемента группы, включающей Бэ., Се, Т 1, Ег, Бп, НГ, ИЬ, Та и БЬ. Поглощение продольныхупругих волн, дб/см,при частоте Температура фазового пео рехода, С Материал Пример 10 МГц 1000 МГц, 14701470 0,90 0,50 Составитель В. БожевольновРедактор Л, Курасова Техред И,Попович Корректор А....