Способ изготовления мощных биполярных транзисторов

СС 1 Н 3 ССЬЕТСг 11 г СС.)1,нп.и"Т 11 Сс1 РЕСП.РБП. Я 15 Н 01 1 21 ЗЗ АТЕНТУ опеед (1 е астг 11 ГОСЫАРСТБЕННОЕ ПчТЕ 4 ТНС 1 ЕВЕ.ЦОи ТНО СССРГО 1:ПАТЕНТ СС Р)(57) )1 спопьэанание н те налоги. ц аготанцч палу 11 роеодни овы пр 1,баров в 1 эабретение атнаситсч . ге н 1 эпогц изГОтавпенцч папупзОеадн 1.1 гавыприборон, в гастностцте нопопиц иэготовпенцч г 1 ашн цб 1 ПОп чрн ытра н 11 ста ран11 зее те 1 способ павцшенцч пробивного напрпи енцч олпеторного р-и-пере одэ бипопчрны, гранзцстарав, н 1 отор 1 эг 1 по перцг 1 етру 15 з:11 звоц Области Д 11 ффузич г 1 рцг 1 есц проводцтсч нэ бочьшую чслн остапьноэ частц базы глубин, (о:рэнное напьцаНедосгат ом этого спо:аба чвпчетсч неаб-од 11 гость раздельного праведенич диффузии приг 1 еси е периферийную и Остапьн,ю часть бзц чта ппвыша т тррдое Ость иэготовп нцч транзистораНзцбОПЕЕ 5 П 11:.1 цГ тв НцЧеС Иг рЕШЕ- нисг и иэогретен 1 ио чепчетсч гпосаб изготовпенич попупраноднц Очога прибора в соответстец 1. сотарына падпо 11 е с и"А 2 ,785581 АЗ ности н ге нала.ц 1 цзготанпенцч мощны: 51.1 попчрны: пр 1.баронущность изабретен 11 ч дпч поеышенц 1 ч гран.чного л 1 апрч г,енцч транзистора фариру 1 от на г 1 пн 1 з рцсталпес ой ре Нцева 1 пласт,1- НЕ Стр 1/1.Туру П-П -ТГПа НЭНОСЧТ ППЕН 1 у 01 ьс 1 да г ре;1 нцч, ,армир рют о на, соответстеующг 1 е базоваи области транзистора, и рте 1 фата п 1 тографцц па ог сидр 1 ре 1111 гл, правадчт допоплцтепьн рю фатопТогрзф 11 ю после чего цэотапное травгел 1 е лре 11 нич п(з 1 зе 1 здт таль 0 по перг 1 етру бээоеои обпастц трэн:цсторэ Затем фор Гцрр 1 ог базовую область и дррппе элементы транзисторной стрр 1 турц 1 Р 11 п споем плен Ои диалс 11 да г ремнцч путег цза 1 ропнаго трэеленич фарг и 1 ррют еысггн у, в гаторой путем дц ф зц 11 цзготанлинаетсч баэоеач область транзистора после чего 1,1 эеесгнц 1 способа 1 фар 1 и 1 ррютсч -ии 1 ттер и эпе грады трэнэ 11 сторэНедаста о, - зтага способа чепчетсч СНИЕНЦЕ ГРаНЦЧНОГО НчПРЧ 1 ЕНЦЧ ТРЭНЗИ- стара зз счст уг 11 ньшенч гала ны и-сп пад эт 1,днаи(на адчще 11 сч пац э и 1 ттеро частью базы, паата 1е пц н 1 на соранит деп 1,1 ч 11 н / Гр знцч 110 ГО нэг 1 рпенцч необ-од 11 о уве 1 и и,вать топшцн, и споч путвырэщ 11 еич более цзп 1.того и-спач на цсоцной пластине .-то треб ет нопопн 1.1 тепьНЫЭатРат МЗГЕР 11 аПОЕ Ц СНЦ Ь Эот пр 011 энаД 1 тепьно ь те налагг 1 чес ОГО Оборудован ич-ОГГ 4 ОЛМИКХлЙЮРЩМЮ Цепью иэобретенич чвпчетсч повышенгн граничного напрчгкенич транзистораПастэвпеннач цепь дастигаетсч тем, что и способе, вн пючанэщем формирование на гюна рцстаппвесной ппастцне стру.туры и-Трпа, нанесение ппенни онсида кремнии, фарг гцрованце окна, соответствующего базовой области транзистора, путем фатапгТографв. по ансиду нремнцч и изатрапнога травпенич 1 ремнич, формированц 1 эз 1 эв 1 эй абпасгц транзистора путег дцффуэии ан цептарной примеси, формировании транзисторной струнтуры, форщчровднце и на, соответствующего бааваи абпастц транзистора, проводчт допопнитепьуО фатапцтаграфцю, а цэатропнае травпенйе 1 ремнич праводчттопьно по пери",егру базовой Обпасти транэ стараЗа счет того соцрвнчетсч папностью и-спой на эанцюаегой эмиттером ппащади транз 1,сторнай структуры, чем устранчетсч ПОВЫШЕНЦЕ НаПРЧгНЕННОСТИ ЗПЕКтР 11 ЧЕСГ ОГО папч в обпасти пространгтвеннаго зарчда (С 13)1 ОППЕ .тарНОГО р - П-ПЕрЕнада, И ПОЗТО- му повышаетсч граничное напрчн.ение транзистора, т . прц бапьшем напрчкениц прочвпчетсч у анан ение насцтепей эарчда в ОПЗ н оппен-тарного р - и-переода, упучшаютсп усповцч дпп выпопненич фогапитограФцц при формировании эмиттера,онтднтны, он.он и нантантав1 р ц г е р При цэготавпенцц мощного б 1 папчрного транзистора на ис одной ппастине, например н ремниеаой эпцтансцапьнай 1-,трунтуре и - и -типа путем нанесеничэвесгнымц способами, напрмер тер п 1 чесн цм окцспенцег, формируетсч масн црующ.й спац дца с.да нремнцч, неаб адиг 1 ый цпч праведенич пан апьной дцфф 11 эиц ан цапгарнаг примеси (н,зпрцмер бар) с а ног на месте будушега распопо ненцч баэовоц обпасти Затем по пер,гн тру а на г 1 етадом фотопитогрзфцц и иэатрапнога травпенич в травцтеле,состоч щегц ( части 45;- най фтористоводородной нцспоты ц 1 О част и 5 7 О -но азотной кцспоты,форгцруетгч кананн а, гп 11 бцнд катораи сравн 1 гма с гпубн 1 най эапеганич будущега р-и-пере ода Далее методом фатопитографцц и дцффузцц фармйруетсч транз. сто рна ч стру н тура10 С ема цэготовпенич мощного бцпопчрного транэцстара пред тавпена на фцг,) - 18Те ника-эн а ног и 1 чес ач ффе чти в нос гьизобретенцч эакпючаетсч в снц ген 1, тру доегности и рас ада матерцапав ц цснопьэовании более дгшавы (с бапее тоннцм и- паем) зпцта сиоп.ны струнтур по сравненцнэ с прототипа прц повышений рабочего напрч;1,енцч транзистораОО Фапгупа цзабретенич Спагаб йэготовпенич мощны бипопчрны: транзисторов, в пнэфающй армцро ван 1 е на гонакргстаппической гренниеОгпластине струнтуры и - и-типа, нанесение ппен 111 онс 11 дз н рамнцч, фарм,1 раванце ан- наа, соответствую Щего базОвой Об пасти транэистсра, путем фатапцтаграфии по ан- ЗО сиду н регнич и цэатрапнпго траепенцчнре"Нич, форгсир 1 эвание базаьай обпасти транзистора путем д 11 фуэци ан цепторнай примеси, фарг ирои знце транэгсторноц струнтуры, от и и ч а ю щ и и с ч те, что, с 35 цепыа повышенич граничного напрчн"нцчтран истора прц формцран эн 1 н 1 О на соответствующего базовой абпзст 1 трзнэ 11 стора, проводчт допопнтепьннэ фОтоп 1,1 таграфн 1 н, а цзатрапнОа тр,впенце 40 н ремнцч проводчт топь о по перги еьтр / базовой абпастцО/770/7