H01L 31/12 — связанные с одним или несколькими электрическими, например электролюминесцентными, источниками света конструктивным путем, например путем формирования на общей подложке или внутри нее, и кроме того электрически или оптически связанные с этими источниками света

Номер патента: 298080

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Клюкин, Николаев, Степанов, Фабриков

МПК: H01L 31/12, H04N 5/335

Метки: изображения

...3, фотоди одный 4, светодиодный 5 слои, тонкая магнитная пленка 6, магнитный коллоид 7 и герметизирующее покрытие 8. К светодиодному слою 5 и полупрозрачному проводящему покрытию 2 прикреплены электроды 9.10 Преобразователь изображений работаетследующим образом,Несущий изображение свет проходит черезпрозрачную подложку, полупрозрачное проводящее покрытие, диэлектрический слой и 15 попадает на фотодиодный слой, где он преобразуется в электрический ток, заряжающий конденсатор, состоящий из полупрозрачного проводящего покрытия, диэлектрического и фотодиодного слоев.20 По окончании экспозиции полярность напряжения переключают, и заряд конденсатора стекает через фотодиодный и светодиодный слои, вызывая короткую вспышку свечения...

Номер патента: 329602

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Благидзе, Гойхман, Накашкдзе, Нзобретепи, Элизбарашзмли

МПК: H01L 31/12

Метки: 329602

...отечественные КС, тЧБК, МБК) имс)ОТ желтую окраску разли шой интепс:)впссти, поэтому при Осуществлении Оптической сВ 513 и 25через них передача световой энерги 1 ограничивается узкой спектральной область)о.Целью изобретения является уменьшениепотерь световой эперг)и в оптропс:. его герметизация для надежной изоляции от окру- З 0жающей среды,Предлагасмьш оп трои отлпчастся от пзвсст- НЫХ ТСМ, Что В КЗЧЕСТВЕ ОПТИтСОКО 013 СДЫ, через которую:ерсдается сьстошя энергия, используются сополтМс;)ы эфиров акриловоймета к) ил ОВОЙ ).Пс.) От, Ооладающие Высоким сзетопро:ускаппсм и относительно высоким показателем:)рсломления, 11 спользт смые полимеры являются одновреме)ино герметиком дл 51 Опт 130 П 2, так как иъе 10 т высокуО 2 д гсзию и...

Номер патента: 551730

Опубликовано: 25.03.1977

Авторы: Костюкевич, Осинский

МПК: H01L 31/12

Метки: оптрон

...р-й-переход 1 светодиода, пе. редающую среду из двуокиси кремния 2 и р-нпереход 3 фотоприемника. При изготовлении оптрона в пластине кремния 4 т-типа толщиной 200-300 мк вытравливают сквозные отверстия 5 диаметром 200-ЗООмк. По известной планарной технологии формируется р-и-переход 3 фотоприемника методом диффузии примесей р-типа. Окислением создается слой двуокиси кремния 2 толщиной 0,1-0,2 мк, осуществляющий электрическую развязку светодиода и фотоприемника. Окисленные сквозные отверстия апитаксиально заращиваются полупроводниковым материалом 6 светодиода, например арсенидом галлия п-типа, по одному из известных способов, Затем создаются р.%переход 1 светодиода и омические контакты 7 и 8 фотоприемника и светодиода по известной...

Номер патента: 434873

Опубликовано: 25.08.1977

Авторы: Именков, Царенков, Яковлев

МПК: H01L 31/12

Метки: оптоэлектронный, прибор

...собой полупра водниковое тело, на гранях которого расположены источник света и фотоприемник, Источник света и фотоприемник выполнены на ос- нове Р - б-структуры. 19Известная конструкция обеспечивает достаточно высокий коэффициент передачи излучения от источника к фотоприемнику, так как отсутствуют потери света на отражение от границы раздела источник света-световод и световод - фотоприемник. Однако коаффи 1 циент передачи в ней существенно снижаеъся, если фотоприемник не покрывает всей площади грани. В тоже время для увеличения быстродействия прибора стремятся сделать Е площадь фотоприемника как можно меньше, так как при атом уменьшается емкость фото приемника ( - п-структуры), Таким образом известная конструкция не позволяет...

Номер патента: 660509

Опубликовано: 15.05.1985

Авторы: Кротова, Павличенко, Скарин, Сушков

МПК: H01L 31/12

Метки: источник, многоэлементный, света

...к данному изобретению является многоэлементный источник света, содержащий герметизированный корпус, в котором размещена керамическая подложка, кристаллы широкозонных полупроводниковых соединений с электролюминесцирующим р - и- переходом, расположенные на параллельных металлизированных полосках керамической платы и соединенные проволочными выводами с проводниками, расположенными перпендикулярно метаплизированным полоскам керамической платы 12.Однако этот элемент имеет недостаточную оптическую изоляцию и контрастность излучения.Цель изобретения - повышение оптической изоляции и контрастности его излучения.Для этого в многоэлементном источнике света, содержащем герметизированный корпус, в котором размещена керамическая подложка,...

Номер патента: 1787297

Опубликовано: 07.01.1993

Авторы: Корольков, Орлов, Рожков, Степанова, Султанов

МПК: H01L 31/12

Метки: оптоэлектронное

...предпороговом режиме генерации.Конструкция оптоэлектронного устройстватакова, что большая часть потока фотоновпопадает в коллектор 4 и поглощается вобласти обьемного заряда коллекторного ри-перехода фототранзистора, Для локализации большей части перепада потенциала напряжения в области оптического поглощения (характерный размер области собственного поглощения 10 мкм) коллекторный 5 р-и-переход фототранзистора сформированна основе слоев с концентрацией легирующей примеси й 10 см . При этом нижний предел значений концентрации определяется лишь возможностями технологических 10 режимов формирования и+ - р - и-структурыфототранзистора и составляет в настоящий момент М 10 смз.Инжектированные носители за времяпролета области пространственного...

Номер патента: 1329510

Опубликовано: 10.07.1996

Авторы: Костенко, Самойлова

МПК: H01L 31/12

Метки: оптоэлектронный, прибор

Оптоэлектронный прибор, содержащий излучающий и фотопреобразующий р-n-переходы, оптическую среду между ними и омические контакты к р- и n-областям, отличающийся тем, что, с целью расширения функциональных возможностей, р- или n-область излучающего и фотопреобразующего p-п-переходов соединены каналом из полупроводника одноименного типа проводимости, что и соединяемые области, при этом на поверхности канала выполнен МДП управляющий затвор.