Файфер

Номер патента: 1785054

Опубликовано: 30.12.1992

Авторы: Дюков, Митюхляев, Петросян, Сагань, Файфер, Шистик

МПК: H01L 21/66

Метки: дефектности, пластин, полупроводниковых, структур

...16 сигнала.,;,.; приведет к тому, что с Момента времени ЙУстройство работает следующим обра-. интегратор 16 будет интегрировать выходзом., : .:ной сигнал логарифмического усилителя 14,Лазер 1 под действием импульса под По истечении времени 2 Ж цифровойжига, сформированного в блоке, управления, Код, сформированйый Счетчиком 5, будет . 2, вырабатывает оптический импульс, кото- совпадать с цифровымкодом Кз, соответсгрый через приемопередающую оптическую вующим моменту времени тз. В момент совсистему 3 излучается в атмосферу по гори- паденйя кодов схема 9 вырабатывает зонтальной трассе. В момент излучения ла-30 импульс, по которому интегратор 16 законзера 1 датчик 4 формирует опорный чит интегрирование информационного сигимпульс,...

Номер патента: 906291

Опубликовано: 30.08.1992

Авторы: Инкин, Киселев, Малинов, Москвичева, Савранская, Туманов, Файфер

МПК: H01J 17/04, H01J 19/30

Метки: долговечных, искровых, материал, разрядников, электродов

...свойства сомпозиции Пластичность резко возрастает при измеокись сгпонция при следующем соот 1(ошег(1.1 комОгентогз, ма с, 4:О (:, и ;. , Г т)1 ц , я 2)0-5,5Г) (с:.1 ь 2,0-3,5ВО г(ьф а )"1 (ЗС та П ЫОР1 л -.о ) (и 1( вещес Гвами для полУОкись стронция - 3)54) вольфрамОстальное, в 600 мл дистиллированнОЙ воды растворяют 1(6,8 г азотнокислого сгронция Бз.(г 10 ) марки ЧДА3 2и 85 г азотнокислого никеля 11(110 з) л3)6 Н О марки 11 Лд, Е раствору добавляют при перемешивании порошок вольфрамового ангидрида УО, марки Чз(Д585 г,В полученную суспензлю прл непрерЫвном перемешивании вводят растворуглекислого аммония (1)1 Н,) СО марки4 2 3(1 Ю (107 г в 950 мл воды), ОсадокотделяЮт фильтрованием, сушат прио130-150 С, восстанавливают в водороде при...

Номер патента: 1578770

Опубликовано: 15.07.1990

Авторы: Борисов, Дюков, Кибалов, Файфер

МПК: H01L 21/66

Метки: полупроводников, характеристик, электрофизических

...квантов 1,3 эВ. Свет модулирован частотой 1 к Гц, Ге гистрируемое п ространственное разрешение сигнала 0,1 мкм, Коэффициент усиления выбирался равным 20, Далее понижали 1 ок зонда и его энергию до выхода регистрируемОго сигнала в насыщение, Для пластины КДБэто 0,1 нА и 15 кВ соотвутственно, Для пластины КДБ,1 насыщейие достигалось при токе 50 пАи энергии 2 кэВ., Далее изменяли частоту модуляции в диапазоне 0,1 - 10 Гц. Уменьшение сигнала фотоЭДС наблюдалось при частотах выше 5 кГц, При частоте 1 кГц в полосе 3 Гц снимали зависимость сигнала фотоЭДС от интенсивности освещения (кривая 11 на фиг, 2). По значению насыщения сигнала определяли поверхностные потенциальные барьеры участков поверхности, т,е. наведенной фотоЭДС. Измеренные...

Номер патента: 1101924

Опубликовано: 07.07.1984

Авторы: Бобрецов, Каменцев, Коржавый, Файфер, Чигринец

МПК: H01J 1/15

Метки: катод, металлопористый, накала, прямого

...по радиусу ного отрицательного заряда электронов в этой полости. В противном жеслучае будет нарушено условие однородного токоотбора с эмиттирующейповерхности катода. Для равномерноготокоотбора с поверхности эмиттирующего элемента необходимо, чтобыплазма омывала" всю поверхностьс одинаковой плотностью тока. Исходяиз этого, на практике размеры по Оперечного сечения тела спиральногокатодаи щели между втиками выбираютпримерно равными. И с технологической точки зрения предпочтение следует отдать пути наращивания площадисечения по радиусу, поскольку всеуниверсальное металлорежущее оборудование при нарезании резьб сохраняетпостоянным размер шага резьСы. Изготовление из металлопористой заго- щотовки катода спирали, обладающейпеременным шагом,...

Номер патента: 947644

Опубликовано: 30.07.1982

Авторы: Бажин, Белик, Каменцев, Коржавый, Кулаков, Ступак, Файфер, Шестов

МПК: G01B 15/02

Метки: металлических, пленок, подложках, толщины

...нов, прошедших через гнализатор б, и представляет собой цилиндрический стакан с отношением длины к диаметру 5/2.Далее устройство содержит блок 7 питания, генератор 8 напряжения задержки, электрометрический усилитель 9, дифференциальный усилитель 10, двухкоординатный самописец 11, мишень 12 цил.ндрической Формы с измеряемой пленкой на внутренней поверхности, неподвижную штангу 13 корпуса измерительного преобразователя 1 и шток 14 держателя цилиндрической мишени 12.Лнализатор выполнен в виде трех- сетчатых диафрагм, внешние сетки соединены между собой и находятся под нулевым потенциалом относительно измеряемого образцг, что исключает влияние напряжения задержки на первичный пучок. Нг среднюю сетку от генератора 8 напряжения задержки...

Номер патента: 421308

Опубликовано: 30.03.1981

Авторы: Демиденков, Жданов, Зуболеев, Коржавый, Кунец, Пролейко, Файфер

МПК: H01S 3/00

Метки: газовый, генераторс, катодом, квантовый, оптический, холодным

...кзии материалае самой катодноуменьшает весструкцию.Формула изобре Такое чстарматуры. Она внутреннеза счет алгена материалс щественнощает его кон ен генератор и газоразтью, в кои(ийся тем, сти катода грузкам и д выполненной непо- оверхность Изобретение относится к ооласти квантовой радиотехники и может быть использовано при изготовлении газовых оптических квантовых генераторов (ОКГ) с холодным катодом.Известен газовый оптический квантовый генератор с холодным катодом, содержащий газоразрядную кювету с катодной полостью. В этой конструкции катод выполнен в виде платинового или никелевого цилиндра, покрытого окисной пленкой и размещенного в катодной полости с помощью крепежной арматуры.С целью повышения устойчивости катода к ударным и...

Номер патента: 734829

Опубликовано: 15.05.1980

Авторы: Беляев, Гугнин, Жданов, Лучин, Редега, Файфер

МПК: H01J 1/148

Метки: материал, термоэлектронного, эмиттера

...0,5 -4 вес.%;ф.Таким образом, наилучшими эмиссионными свойствами в совокупности обладаютсплавы, в которых содержится 0,5 - 4 вес,%сложного гексаборида с соотношением ЕаВ,::ВаВ, от 0,9:0,1 до 0,6:0,4.Эмиссионные свойства предложенных материалов превышают аналогичные для спла 5вов на основе рения с добавками гексаборида лантана.Высокие и стабильные эмиссионные характеристики предлагаемых материалов обусловлены свойствами сложного металлоподобного соединения и процессом взаимодейсте вия материала основы с активными добавками. Известно, что образование моноатомн"й пленки атомов РЗМ и ЩЗМ на поверхности тугоплавких металловзначительно улучшает эмиссионные свойства такой системы. При нагреве предложенных материалов до рабочей...

Номер патента: 725115

Опубликовано: 30.03.1980

Авторы: Есаулов, Жданов, Ильин, Казаков, Мясников, Редега, Файфер

МПК: H01J 1/32

Метки: вторичноэлектронных, материал, эмиттеров

...(до 60 в 1 тА/см),725115 Максимальный КВЭЭ при Т, С Содержание окислов, вес. %Основа 100 400 200 600 2,7 3,1 3,0 2,3 Медь 3 6 10 12 2,02,052,051,95 2,2 2,5 2,4 2,0 2,6 3,0 2,9 2,2 Формула изобретения Составитель, Т. Лакомкина Техред В. Серякова Редактор Н. Коляда Корректор В. Дод Заказ 148/16 Изд.216 Тираж 857 ПодписноеНПО Поиск Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий113035, Москва, Ж, Раушская наб., д, 4/5 Типография, пр. Сапунова, 2 ют высокими и стабильными вторично-эмиссионными свойствами при температурах от100 до 600 С и плотности тока бомбардирующих электронов до 100 мА/см. Сплавы, содержащие окисной фазы больше 10% вес, имеют значение КВЭЭ ниже, чем сплавы с меньшим содержанием, по-видимому, за счет...

Номер патента: 600635

Опубликовано: 30.03.1978

Авторы: Быков, Воробьев, Дудковский, Инкин, Пинчук, Савранская, Туманов, Файфер

МПК: H01J 9/04

Метки: газоразрядных, приборов, электродов

...200 - 233,/, от расчетного по химической реакции.Примеры осуществления пОспособа,Г 1 рихср 1. Полусвис исхолцого материалдля электродов состава %+3,0+4,0%ВаО. В 750 мл дистиллированной воды растворяют 51 г азотцокислого бария Вт чОз) змарки ЧДА и 81 г дзотцокислого шксляХ 1(ХОз)з 6 Н.О марки ЧДА. К раствору добавляют порошок вольфрамового ангцдридаОз марки ЧДА - 585 г. В полученную суспсцзшо при непрерывном перемешиваниивол ят уг тс к иглы 0 а м мои ий (88 г (МН 4) .СОзхярки ь 1 ДА в 700 мл Н О). Осадок отлеляютфильтрованием, сушат при 130 150 С, восстанавливают в водороде при 850 С (точкаросы 40 С). Выхол порошка 500 г. По химическох ацдлизм состав пО 1501 пкя: никель - 3%,Окись оария, вольфрам - остальное,600635 Составитель Л,...

Номер патента: 548909

Опубликовано: 28.02.1977

Авторы: Быков, Савранская, Туманов, Файфер

МПК: H01J 61/04

Метки: дуговых, импульсных, источников, материал, света, электродов

...веществами для получения электродного материала, например состава Ф=4,5% ЬгпзОз+0,03% М 1, ЯВлЯютсЯ Вольфрамовыи ангидрид, азотнокислый самарий и азотнокислый никель. Г 1 орошкообразную смесь вольфрама с окисью самария получают методом химического смешивания осаждением в водной среде смеси вольфрамового ангидрида и оксалата самария с последующей авранская и А. Н. Тумано фильтрацией, прокалкой и избирательнымвосстановлением в водороде,При изготовлении предлагаемого материала для электродов смесь порошков пропиты 5 вают раствором азотнокпслого никеля, сушат на воздухе, прессуют методом холодногопрессования в заготовки (Регресс=10 т/смз) испекают в водороде при 1450 - 1500 (точкаросы - 40) и в ваккуме (110 - " мм рт. ст,)0 при 1800=С в...

Номер патента: 543039

Опубликовано: 15.01.1977

Авторы: Арцыхович, Каменцев, Кондратенко, Кулаков, Стрелов, Трофимов, Файфер

МПК: H01J 3/38

Метки: катодов, окисления, полых, разряде, тлеющем, цилиндрических

...колпака 1, соединенного с основанием 2 через уплотнение, держателя 3, установленного на нем катода 4, подлежащего обработке, и анода 5, расположенного коакспально внутри катода 4,Для ограничения рабочей зоны внутреннюю полость 6 катода 4 снизу закрывают изолятором 7.Держатель 3 катода имеет центральное отверстие 8, диаметр которого равен диаметру внутренней полости 6 катода 4. Для наполнения внутренней полости 6 окисляющей газовой средой держатель 3 катода имеет боковые отверстия 9, расположенные по окружности центрального отверстия 8. Соотношение диаметра и длины боковых отверстий 9 выбирают такими, чтобы исключить проникновение разряда через них на внешнюю поверхность катода 4.Элементы конструкции, находящиеся ниже изолятора 7, имеют...

Номер патента: 513410

Опубликовано: 05.05.1976

Авторы: Бусол, Козлов, Меерсон, Мороков, Туманов, Файфер

МПК: H01J 9/02

Метки: высокоинтенсивного, импульсных, источников, материал, света, электродов

...требуемой эрозионной ст костью, стабильностью в работе и достаточной долг вечностью, необходимой для работы целого рида ис точииков высокоинтенсивного света.ый материал, отличающн ой стойкостью, стабнльнботы в приборах высокозионнфульснлой, сре рий Предлагается электроднся более высокой эрозноннстью и долговечностью раинтенсивного света. енном м соотношенииам - остальное лектро.ольфра 1 чб агаемого материал амн могут служит учения дными пряп дов исхо Это достигается тем, что в предло ле компоненты взяты прн следующ вес%: окись иттрия,4-15; воль Я ЭЛЕКТРОДОВ ИМПУЛЬСНЫХ ИСТОЧНИКОВВЫСОКОИНТЕНСИВНОГО СВЕТА Смесь порошков вольфрама и окиси иттрня полунс.чают путем смешивания вольфрамовой кислоты и ок., салата иттрня, полученного путем...

Номер патента: 492950

Опубликовано: 25.11.1975

Авторы: Быков, Савранская, Туманов, Файфер

МПК: H01J 9/04

Метки: газоразрядных, приборов, электродов

...аммония), а послеобразования карбоната никеля полученную смесь отфильтровывают, прокаиивают на воздухе и восстанавливают в зо (водороде. 392950 ФОРМУЛА ИЗОБРЕТЕНИЯ Составитель А КИСВЛЕВРедакторя,АНдрвеВа Техред Е,П 1 дурушина Корректор ЕРЫЖОВЯ 11 зд, ЛЪ ЩЯ Тираж 3 ЪЬ Подписное Заказ ЯД Я 1111111 ПГосударственного кот гета Совета Министров СССР но делам изобрете ий и открытий Москва, )КРаув:кая наб., д. 4/5 ППП Гатент" Москва, Г. Бережковская наб 24 Предлагаемый способ закдючается в с дедующем.В водную суспензню, содержащую в растворе азотнокислый никель, в вндв5 твердой фазы водьфрамат бария и вольфрамовый ангидрид, прндивают осадитель - раствор, углекислого аммония. Поду о ченный осадок, содержащий частицы вольфрамового ангидрида...

Номер патента: 444269

Опубликовано: 25.09.1974

Авторы: Дигоев, Ионов, Короткий, Кузнецов, Мороков, Савранская, Файфер

МПК: H01J 61/04

Метки: дуговых, импульсных, источников, материал, света, электродов

...материала не обладают требуемой эрозионной стойкостью и не обеспечивают достаточную долговечность приборов, Кроме того при изготовлении электродов из торированного вольфрама используется токсичная двуокись тория, которая значительно усложняет технологию зготовления.1 звестно также применение сплавов из плавких металлов - вольфрама, рения угих - с окислами редких металлов, в числе самария, диспрозия и тербия, электродов источниковсвета, В частти, известен сплав вольфрама с окисью ария с содержанием последней не бо вес; %, который имеет низкую эро(53) УДК 621,327,032.Корректор А,Дзесова ЗаказфО Изд. гй д 6 Тираж 760 Подписное ЦНИИПИ 1 осударствениого комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий Москва, 13035, Раущская...

Номер патента: 442012

Опубликовано: 05.09.1974

Авторы: Жданов, Меерсон, Мороков, Савранская, Солонникова, Файфер

МПК: B22F 3/12

Метки: металлов, основе, спеченных, тугоплавких

...комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий Москва, Ж, Раушская наб., д, 4(5Типография, пр, Сапунова, 2 Способ получения спеченных материалов на основе тугоплавких металлов, содерхкащих дисперсные тугоплавкие окислы, включающий приготовление суспепзии тугоплавкого окисла в растворе соли металла-основы, осаядение окисла металла-основы на поверхности тугоплавкого окисла, сушку смеси, прокаливание и ее восстановление, отличающий. с я тем, что, с целью упрощения технологии,повышения эрозионной стойкости н эмиссионных свойств, готовят суспензию окисла металла-основы в растворе соли металла, образующего дисперсный тугоплавкий окисел, проводят его осаждение на частицах окисла металла-основы путем введения в раствор...

Номер патента: 371632

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Жданов, Мороков, Файфер

МПК: H01J 1/148

Метки: yuiwec, г-г, катодовi, материал, ооюзнаяjj

...в шихту добавляют 5%-ный водный раствор поливинилового спирта. После сушки шихты в вакуумных шкафах ее подвергают холодному прессованию при удельных давлениях - 25 т/см. Полученные заготовки спекают при температуре 2300 С в течение 1 час в вакууме не хуже 5 10 -мм рт. ст. Для изготовления эмиттеров требуемых размеров и допусков спеченные полуфабрикаты подвергают электроискровой или механической обработке.Введение в вольфрамовую матрицу (основу) катода тетраборида иттрия обуславливает появление новых положительных свойств,Эффективная работа выхода катодов из сплава вольфрама с тетраборидом иттрия при температурах 1200 и 1700 С составляет соответственно 2,8 и 3,2 эв. Коэффициент вторичной электронной эмиссии сплава при содержании в...

Номер патента: 389888

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Жданов, Кунец, Тищенко, Файфер, Чигринец

МПК: B22F 3/11, H01J 9/02

Метки: металлокерамических, пористых

...С. 25Способ осуществляют следующим образом.Сферический порошок вольфрама, смешанный с пятипроцентным раствором поливинилового спирта в дистиллированной воде (на100 г порошка 10 мл раствора) прессуют при 30 носится к области порошков частности к способам изстых металлоке амических давлении 1 - 2 т/слР, Спекание изделий проводят в вакууме при температуре 2000 - 2200 С в течение 0,5 - 1 час со скоростью подъема и снижения температуры 3 - 5 град/мин. После спекания изделия подвергают механической обработке шлифованием с припуском 30 - 40 лк на размер, который снимают электрохимическим травлением в 20%-ном растворе едкого натра в дистиллированной воде при плотности тока 20 - 50 а/слР и температуре раствора 18 - 20 С. Скорость съема...

Номер патента: 320851

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Жданов, Звонецкий, Коржавый, Роо, Тихонов, Файфер

МПК: H01J 1/32

Метки: втбричмбэлёктрбнных, материал, эмиттеров

...основы и бериллатов щеЛочйоземельных металлов прийбдйт к перехо ду бериллатов в новое активированное со.стояние. Это состояние является метастабиль.ным и определяется динамическим равнойе сием процесса диссоциации бериллатов с Образованием в приповерхностном слое сплава атомов бериллия и щелочноземельного металла и процесса удаления этих атомов за счет термического испарения;и диффузии в метал лическую основу сплавов и взаимодействияс последней,Лктивированная таким образом окиснаяфаза обладает высокой устойчивостью к воз действию потока электронов высокой энергиии плотности, что значительно повышает стабильность вторичноэмиссионных свойств сплава, содержащего диспергированные бериллаты щелочноземельных металлов. Метал...

Номер патента: 258469

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Кофтелев, Файфер, Шишкина

МПК: H01J 9/08

Метки: металлокерамичнекого, подогревателя

...термическое оборудование с приспособлением, позволяющим быстро опускать подогреватель в горячую зону печи, пропускать ток через подогреватель и извлекать его из печи, предварительно охладив в операционной камере.Предлагаемый способ позволяет получать металлокерамические подогреватели катодов практически со 100% -ным выходом годных по сопротивлению подогревателей. Так как сопротивление подогревателей при спекании контролируется, то технологические отклонения на предварительных операциях изготовления подогревателей (смешивание шихты; прес- сование и начальная стадия спекания) на конечное сопротивление подоне оказывают.Ток, пропускаемый через подогреватель наконечной стадии его спекания и достигающий5 значения нескольких ампер,...