Новосядлый

Номер патента: 1786542

Опубликовано: 07.01.1993

Авторы: Карплюк, Новосядлый

МПК: H01L 21/66

Метки: доз, ионного, легирования, малых

...цель достигается тем, что вспособе определения малых доз ИЛ, включающем измерения неравновесных импульсных ВФХ предварительно легированнойтестовой МДП-структуры, предварительноелегирование тестовой структуры осуществляют ионной имплантацией примеси, создающей тип проводимости, противоположныйтипу проводимости подложки до концентра. ции, равной или большей концентрации.примеси в подложке, ВФХ измеряют на легированной контролируемой дозой примесии нелегированной частях тестовой структуры, прикладывая к тестовой структуре импульсы пилообразного напряжения соскоростью развертки 10 -10 В/с и с поляргностью, переводящей поверхность этойструктуры из состояния инверсии (обеднения) в состояние обогащения основныминосителями подложки...

Номер патента: 1718303

Опубликовано: 07.03.1992

Авторы: Безрук, Благий, Новосядлый

МПК: H01L 23/28

Метки: больших, интегральных, корпус, пластмассовый, схем

...микротрещин в корпусе при термоциклировании, ф-лы, 2 ил,К тыльной стороне выводной рамки 1 приклеивают ободок 2, изготовленный из железоникелевого сплава и имеющий теп- СО локомпенсирующие условные прорези 3, (,) расположенные по периметру зоны монта- ) ка кристалла. Ободок имеет форму шестиугольника, большую ось которого при, приклейке ориентируют вдоль продольной оси выводной рамки, Угол шестиугольникапри вершинах, располокенных на продольной оси выводной рамки, выбирают равным 30 - 400 Для увеличения мощности рассеивания корпуса наружную сторону ободка выполняют с демпфирующей теплопроводящей пленкой из силицида титана, карбида кремния или меди, После насадки кристалла1718303 Составитель С.Манякинедактор И,Шулла Техред М.Моргентал...

Номер патента: 1164613

Опубликовано: 30.06.1985

Авторы: Галкина, Кочан, Новосядлый, Пеленский, Саваневский, Собенко

МПК: G01R 17/10

Метки: интегральных, контактов, омических, сопротивлений, схем

...элемент с тремя наборами дискретныхрезисторов, причем два из них обра.зуют первое и седьмое плечи семиплечего моста, а третий - включенпоследовательно с источником питания и регулируемым резистором в диагональ питания семиплечего моста,а зажимы для подключения объектаизмерения соединены соответственнос общим выводом третьего и шестогоплеч моста, другим выводом индика 1тора, первым плечом с седьмымплечом.В качестве индикатора может бытьприменен цифровой вольтметр,На чертеже изображена схемаустройства, Устройство содержитнабор дискретных резисторов 1 первого плеча семиплечего моста, трехплатный уравновешивающий элемент 2,набор дискретных резисторов 3 седьмого плеча, набор дискретных резисторов 4 цепи питания моста, зонды...