Патенты с меткой «кристаллографических»

Номер патента: 68639

Опубликовано: 01.01.1947

Авторы: Ильин, Тюльпанов

МПК: B28D 5/00

Метки: кварца, коэффициентом, кристаллографических, кусков, малым, наружных, ориентировки, осей, пластины, признаков, разрезки, температурным, частоты

...плоскости пилы. Отрезаетсяпробный срез и на рентгенгониометре измеряется отклонение от плоскости базиса, При отклонении, превышающем 30 вносятся соответствующие поправки и производится окончательное вскрытие гальки.При измерении на рентгенгониометре используется отражение рентгеновского луча от атомной плоскости 0003 (плоскость базиса). УголБрэгга для данной плоскости равен 2530.Затем, не снимая гальки, производится поворот суппорта на 90 иделается пробный срез перед вскрытием гальки в направлении параллельном оптической оси, На рентгенгониометре измеряется отклонение плоскости резания от плоскости У 2 (атомная плоскость 1120), вносится соответствующая поправка и производится окончательное вскрытие гальки (куска) по плоскости...

Номер патента: 79793

Опубликовано: 01.01.1949

Авторы: Ильин, Тюльпанов

МПК: G01N 21/23

Метки: кварца, кристаллографических, кусках, осей, прибор, произвольной, формы

...точкой пересечения нитей окуляра. После этого столик стопор ится.При таком положении куска оптическая ось является перпендикуляром к поверхности площадки, а грань положительного ромбоэдра лежит в плоскости, образуемой источником света и осью трубы,Затем горизонтальная шкала 0 поворачивается на необходимое (по условиям среза) количество граду. сов, в соответствующем для каждого среза направлении плюс или минус, и закрвпляется стопором, Разметочная дуга устанавливается в нужное положение (по условиям среза), и кистью наносится направление разделки куска на нластины,Первоначальное юстирование прибора производится посредством черного зеркала с двумя перекрещивающимися линиями, устанавливаемого под углом 5147, на площадку (при снятом столике...

Номер патента: 920895

Опубликовано: 15.04.1982

Авторы: Кисель, Рыбалко, Тихонов

МПК: H01J 37/28

Метки: исследований, кристаллографических, сканирующее

...и укрепленныйв объектодержателе 2, облучаетсяострофокусированным электронным зон 920895 4дом. При этом отклоняющая система 5 разворачивает зонд в растр, причем сигнал развертки растра на объекте и на индикаторном блоке 8 синхронизирован и осуществляется от одного задающего генератора 9. Строцная развертка - шаговая, число шагов (импульсов) равно числу элементов на строке, импульсы идут с часто- той где и - число элементов на строке; о- ВРемЯ РазвеРтки стРоки. При этом импульсы-биполярные, что обеспечивает последовательное облучение каждой точки растра дважды.Величина угла отклонения пучка йриоблучении объекта определяется соотношением токов возбуждения на двухдолинзовых ярусах отклоняющей системыи ее третьем, послелинзовом...

Номер патента: 1052956

Опубликовано: 07.11.1983

Авторы: Агеев, Гоганов, Казанский, Комяк

МПК: G01N 23/20

Метки: варианты, его, заданного, кристалла, кристаллографических, ориентации, отклонения, относительно, плоскостей, поверхности, среза, угла

...разности измеренных углов 2.5 Наиболее близким кпредлагаемомуявляется способ определения отклонения угла ориентации кристаллографических плоскостей от заданного угла относительно поверхности среза кристалла, включающий облучение поверхности среза исследуемого кристалла пучком рентгеновских лучей и регистрацию отраженных от него лучей с помощью детектора 13Недостаток способа состоит в том,что необходимо поворачивать исследуемый кристалл для лоиска отражения и нахождения углового положения его максимальной интенсивности, что существенно снижает экспрессность анализа. Кроме того, точность определения угла отклонения таким способом зависит от точности изготовления узлов, обеспечивающих поворот и определение углового поло.ения кристалла,...

Номер патента: 1176457

Опубликовано: 30.08.1985

Авторы: Адищев, Потылицын, Хакбердиев

МПК: H05H 6/00

Метки: кристаллографических, монокристаллов, направлений

...плоскостью (см.фиг.2).В .том случае, когда ось вращения перпендикулярна пучку, искомое направление пучка совпадает с прямой соответствующей пересечению кристаллографической плоскости, в данном случае (110), с плоскостью, перпендикулярной оси вращения и про. ходящей через начальное направление пучка.Зная количество максимумов вориентационной зависимости выходаэлектромагнитного излучения, рас30 45 50 55 стояние между ними и направлениерезультирующего вектора поляризации в каждом максимуме ориентационной зависймости, можно построитьграфически систему проекций кристаллографических направления. Сравнивая стандартные проекции для различных направлений данного типарешетки с полученной системой проекций, определяют разориентацию...

Номер патента: 1364964

Опубликовано: 07.01.1988

Авторы: Зюзин, Рябочкина

МПК: G01N 24/00

Метки: кристаллографических, методом, направлений, пленках, резонанса, феррит-гранатов, ферромагнитного

...100, являющегося осью 50 трудного намагничивания. В результате кривая азимутальной зависимости резонансного поля будет периодической с периодом 2 й/3, Проекции направлений внешнего магнитного поля, соот ветствующие максимумам зависимости Нр( Д, ца плоскость пленки будут, таким образом, совпадать с направлениями (2111121,(121, а соответствующие минимумам - с направлениями 2 111, 112 1, Г 121, Оси 1113 и 100 3 лежат в плоскостях Г 1101, перпендикулярных плоскости пленки, причем оси 11 1 , составляют угол 71 с нормалью к плоскости пленки, а оси 100- угол 55 , Таким образом, зная расположение осей Г 1121 и С 123 в плоскости пленки (111), легко определяются необходимые кристаллографические направления.П р и м е р. Для определения...

Номер патента: 1704048

Опубликовано: 07.01.1992

Авторы: Ефимов, Иванов, Лучинин, Павленко, Флоринский

МПК: G01N 23/203

Метки: кристаллографических, однородности, структур, характеристик

...кодтраст за счет каалираоаияэлектронов на фоне более сльцых видовКантРаСта (таК Х, Ках ТОПОДРс;. -=-СК 1 й ИЛИ:страст за счет атамцадо цал ера).Сда кснтГ "стг.Поставленая цель;,эстдается тем,:.о .а.ч," й -О, с с". Г аз рс тс 1 ргруют,СЛЭО 1 Я Брэдда, даСтатаОЭ ловтЬ УГОЛ:-здда ца оелу, саотоетстсусш, ю удло 5 10 15 20 25 30 35 л 0 45 50 55 сай,; 1 е "че,",нсй" ли раоцсй ей "белсй" ца ти линии каналирооания.Сущность предлагаемого изобретения с тсцки зре:я пост: лсцОй цел;1 заклачается в следующем. Необходимым услооием реализации изоестнода способа яоляется РЕДИСтРсЦЯ МаЛЫХ ИЗМЕНЕН ЧИСЛа ОтРаженьх электроноо, вызоачцых эффектом каналирооания электронов.На чертеже приведена схема реализации способа.Образец помещают о микроскоп 1.В...

Номер патента: 1718070

Опубликовано: 07.03.1992

Авторы: Глазов, Путивцева

МПК: G01N 23/20

Метки: координат, кристаллических, кристаллографических, поверхностей, тел

...прохождения рентгеновского луча, в. которую вставляется рентгеновская. пленка, На той же подставке устанавливается металлическая пластина 10 с расположенным на оси прибора магнитным кристаллоносцем 5 и укрепленным.на нем кристаллом 6, Расстояние от кассеты до кристалла 35 мм (стрелкой показано направление хода рентгеновских лучей).Сущность предлагаемого способа заключается в следующем.Кристаллическое тело 6 укрепляют с помощью пластилина на торце магнитного кристаллоносца 5, который переносят на конец кристаллодержателя 4, В кассету 3 вставляют светочувствительную пленку. С помощью кристаллодержателя кристаллическое тело вводят в фокус зеркала 2, включением источника 1 света экспонируют фотоснимок, На кристаллоносце отмечают...

Номер патента: 1718162

Опубликовано: 07.03.1992

Авторы: Ваньков, Зюзин

МПК: G01R 33/05

Метки: анизотропией, кристаллографических, магнитных, методом, направлений, орторомбической, пленках, резонанса, ферромагнитного

...симметрии кристаллографической, Данное устройство имеет следующее объяснение.Известно, что интенсивность линии ФМР пропорциональна мощности СВЧ-поля, поглощаемой при резонансе, которая определяется антиэрмитовыми компонентами тензора ЯЧ-восприимчивости. В случае линейно поляризованного СВЧ-поля можно показать, не теряя общности, что указанная интенсивность определяется мнимой частью соответствующей диагональной компоненты тензора ВЧ-восприимчивости. Если принять, что ВЧ-поле совпадает с осью Х локальной системы координат, ось Е направлена вдоль вектора намагниченности М, совпадающего с внешним магнитным полем и нормалью к плоскости пленки, то отмеченная мнимая часть будет иметь вид- + + (1) где у- гирамагнитное отнош е,а- параметр...

Номер патента: 1755335

Опубликовано: 15.08.1992

Авторы: Возмилова, Пенина

МПК: H01L 21/66

Метки: кристаллографических, материалах, направлений, полупроводниковых, типа

...Корректор И, Шулла Заказ 2897Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г, Ужгород. ул, Гагарина, 101 водниковых материалах, включающему механическое воздействие на поверхность полупроводникового материала пирамидой Виккерса с последующим анализом образовавшихся в результате воздействия фигур, механическое воздействие осуществляют в трех точках, выбранных из условия получе-. ния неперекрывающихся фигур, с нагрузкой 30-100 г, причем диагональ пирамиды Виккерса располагают в направлении 100, подсчитывают число трещин в двух взаимно перпендикулярййх направлениях от углов полученных отпечатков, и направление...

Номер патента: 1771276

Опубликовано: 27.10.1995

Авторы: Мушер, Проць, Рубенчик, Струц, Ступак

МПК: G01N 21/17, G01N 21/63

Метки: кристаллографических, ориентации, осей

СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ОРИЕНТАЦИИ КРИСТАЛЛОГРАФИЧЕСКИХ ОСЕЙ относительно плоской поверхности кристалла, заключающийся в том, что на плоскую полированную поверхность кристалла направляют пучок линейного поляризованного излучения, регистрируют интенсивность излучения, провзаимодействовавшего с кристаллом, вращают кристалл и по изменению интенсивности судят об углах ориентации кристаллографических осей, отличающийся тем, что, с целью расширения типов исследуемых кристаллов, направляют на поверхность кристалла когерентное излучение, вращают кристалл вокруг оси, перпендикулярной к его облучаемой поверхности, и регистрируют интенсивность второй гармоники.

Номер патента: 1355080

Опубликовано: 27.09.1996

Авторы: Абрамзон, Дикиджи

МПК: H03H 3/02

Метки: y-среза, двухповоротного, знака, кварцевых, кристаллографических, направления, осей, пьезоэлементах

Способ определения знака направления кристаллографических осей в кварцевых пьезоэлементах двухповоротного Y-среза, включающий приложение сжимающих усилий к кварцевому пьезоэлементу в точках, находящихся на кристаллографических осях X' и Z', определение знака информационного параметра и определение по нему знака направления кристаллографических осей, отличающийся тем, что, с целью уменьшения брака по нарушению целостности кварцевых пьезоэлементов, возбуждают в кварцевом пьезоэлементе колебания толщинно-сдвиговой моды С путем воздействия на него переменным электрическим напряжением соответствующей частоты, в качестве точек кварцевого пьезоэлемента для приложения сжимающих усилий выбирают точки, расположенные на краях его главных граней,...