Мощный интегральный транзистор

СОЮЗ СОВЕТСКИХСОЦИАЛИСТИЧЕСКИХРЕСПУБЛИК 27 3 РЗ 51) РЕ Е АВТОРСК СВИДЕТЕЛЬСТВУ водников двалькис РАНЗИ лительнои овышение ффициента интегральсновной 1 ы, диффеий бусилиинципиальдлагаемьго ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТПРИ ГКНТ СССР(71) Институт физйки полупроЛитССР(56) Авторское свидетельство СССРМ 1307536, кл. Н 03 Р 3/26.(57) Изобретение относится к уситехнике. Цель изобретения - истабильности. и линейности коэусиления по току. В мощном)ном транзисторе используются ои дополнительный 2 транзисторренциальный 5 и неинвертирующ Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано в мощных интегральных схемах, а также как отдельный транзистор.Цель изобретения - повышение стабильности и линейности коэффициента усиления по току.Начертеже представлена прная электрическая схема претранзистора.Мощный интегральный транзистор содержит основной транзистор 1, дополнительный транзистор 2, первый и второй резисторы 3 и 4, дифференциальный и неинвертирующий усилители 5 и б,Мощный интегральный транзистор работает следующим образом.Основной транзистор 1 выполнен с дополнительным эмиттером, дополнительный(ИЯ2 тели, а также первый 3 и второй 4 резисторы; При этом коллектор и основной эмиттер транзистора 1 являются соответственно коллекторным и эмиттерным выводами устройства, база основного транзистора 1 подключена к выходу усилителя б, вход которого является базовым выводом устройства и соединен с коллектором транзистора 2, база которого подключена к выходу усилителя 5, основной эмиттер - к основному эмиттеру транзистора 1; дополнительный эмиттер - к инвертирующему входу усилителя 5, неинвертирующий вход которого соединен непосредственно с дополнительным эмиттером транзистора 1 и.через резистор 4 с основным эмиттером транзистора 2, Инвертирующий вход. усилителя 5 через резистор 4 соединен с основным эмиттером транзистора 1. 1 ил.транзистор 2 также выполнен с дополнительным эмиттером, .Входной сигнал через неинвертирующий усилитель 6 поступает на базу основного транзистора 1, при этом в его цепи коллектор - эмиттер протекает ток, который отражается в дополнительном эмиттере, создавая при этом падение напряжения на первом резисторе 3 (Овз ), которое поступает на неинвертирующий вход дифференциального усилителя 5 и, будучи усиленным, - на базу дополнительного транзистора 2, отрывая его. Коллекторный ток дополнительного транзистора 2 отражается в цепи его дополнительного эмиттера и создает падение напряжения на втором резисторе 4 (Ок 4 ). Приняв усилители 5 и 6 за идеальные, из-за отрицательной обратной связи через дополнительный эмиттер дополнительногд транзистора 2 можно считать, что дополнительный транзистор 2 открывается настолько, чтобы падение напряжения Ощ было равно Овз . При этом напряжение Овз из-за отрицательной обратной связи через коллектор дополнительного транзистора 2 устанавливается такой величины, чтобы коллекторный ток этого транзистора был равен току, поступающему на вход устройства. Тогда для устройства в целом можно записать:Об-зо- Об-эд, = Об-эо - Об-эдв (1) ГДЕ Од-эо, Об-зо НаПРЯжЕНИЯ баэз-ОСНОВ- ной эмиттер основного и дополнительного транзисторов 1 и 2;Об-зд Об-зд, - напРЯжениЯ база-допол 15 нительный эмиттер основного и дополнительного транзисторов 1 и 2,Выразив соотношение (1) через площади и токи змиттерных переходов, получим201 о 1 1 о 2ут , 1 и- ут, 1 ид 1 1 . дг 2(2) где фт 1, фт 2 - температурные потенциалы основного и дополнительного транзисто ров 1 и 2;1 о 1 д 1 - токи основного и дополнительного эмиттеров основного транзистора 1;1 о 1 д, - токи основного и дополнительного эмиттеров дополнительного транзи стора 2;И 1, й 2 - соотношения площадей основного и дополнительного транзисторов 1 и 2.Поскольку 1 о, равен входному току устройства (вх) и, приняв рт 1 =рт 2, можно 35 записать:1 д 1 %1 о 1 = 1 вх- (3)1 д К 2Для получения большого усиления вы полним условия й 1 1, й 2 1, тогда 1 оъ -1 вых, где 1 вцх - выходной ток устройства. Приняв во внимание, что 1 д, Йз = дай, выражение (3) можно переписать в виде1 вых = 1 вх К, (4)И 1, В 4К =( -Мг ВзКак видно из выражения (4), выходной ток устройства имеет линейную зависимость от входного тока, что обеспечивает, высокую точность усиления.Ф ор мул а и зоб рете н и я Мощный интегральный транзистор; содержащий основной и дополнительный транзисторы одного типа проводимости, а также первый резистор, о т л и ч а ю щ и.й с я тем, что, с целью повышения стабильности и линейности коэффициента усиления по току, введены дифференциальный и неинвертирующий усилители, а также второй резистор, основной и дополнительный транзисторы выполнены с основным и дополнительным эмиттерами, при этой коллектор и основной эмиттер основного транзистора являются соответственно коллекторным и эмиттерным выводами устройства, база основного транзистора подключена к выходу неинвертирующего усилителя, вход которого является базовым выводом устройства и соединен с коллектором дополнительного транзистора, база которого подключена к выходу дифференциально о усилителя, основной эмиттер - к основному эмиттеру основного транзистора, дополнительный эмиттер - к инвертирующему входу дифференциального усилителя, неинвертирующий вход которого соединен непосредственно к дополнительным эмиттером основного транзистора и через первый резистор с основным эмиттером дополнительного транзистора, инвертирующий вход дифференциального усилителя через второй резистор соединен с основным эмиттером основного транзистора.1748223 Составитель В.Сероведактор А.Лежнина Техред М.Моргентал Коррек сауленко изводственногарина, 10 каз 2509 ВНИИПИ Гос ТиражПодписноерственного комитета по изобретениям и открытиям йри ГК 113035, Москва, Ж, Раушская наб 4/5 ельский комбинат "Патент", г, Ужгород