H01L 23/44 — готовые приборы, полностью погруженные в текучую среду, кроме воздуха

Радиоэлектронный блок

Загрузка...

Номер патента: 1660229

Опубликовано: 30.06.1991

Авторы: Большаков, Каликанов, Туник

МПК: H01L 23/44, H05K 7/20

Метки: блок, радиоэлектронный

...теплообменник 5 с воздухосборником 7, имеющим эластичные стенки,обеспечивающие изменение обьема воздухосборника 7 от нуля до величины, равнойобъему воздуха в системе охлаждения приатмосферном давлении, Датчик 8 температуры расположен во входном отверстии 9воздухопровода 6, Входное отверстие 9 расположено выше верхнего ряда охлаждающих труб теплообменника 5, а положениевыходного отверстия 10 воздуопровода бне зависит от ориентации в пространстве.Радиоэлектронный блок работает следующим образом,При приведении радиоэлектронногоблока в рабочее состояние силовые полупроводниковые приборы выделяют тепло,Хладагент 3, превращаясь е пар, охлаждаетсиловые полупроводниковые приборы, Пар(за счет разности в давлении) поступает втеплообменник 5 и...

Погружной полупроводниковый преобразователь

Загрузка...

Номер патента: 1677746

Опубликовано: 15.09.1991

Авторы: Полозок, Томилов, Штарев

МПК: H01L 23/44, H01L 25/00

Метки: погружной, полупроводниковый

...контейнера 1 залита трансформаторным маслом 5. На контейнере 1 также имеются пробки для заливки 6 и слива 7 диэлектрической жидкости.Внутри контейнера 1 на раме 8 укреплены силовые полупроводниковые приборы 9 с радиаторами 10 и блоками 11 управления. На корпусе 12 силового полупроводникового прибора 9 выполнен компенсатор гидро- статического давления, представляющий собой резиновую манжету 13, с натягом охватывающую корпус 12 с выполненными на нем отверстиями 14. Внутренняя полость силового полупроводникового прибора заполнена полиметилсилоксановой жидкостью 15.При погружении преобразователя в воду при помощи компенсатора 3 выравнивается давление снаружи и внутри преобразователя, При этом компенсаторы 3 обеспечивают равномерное...

Полупроводниковый прибор

Загрузка...

Номер патента: 1751830

Опубликовано: 30.07.1992

Авторы: Захаров, Кутумова, Солодов

МПК: H01L 23/44

Метки: полупроводниковый, прибор

...структурой толщиной 1-2 толщины кристалла и является зоной конденсации. Обе зоны соединены между собой артериальными фитилями 5. Между зонами образовано паровое пространство 6, боковая поверхность вставки соединена с внутренней поверхностью корпуса через мембрану 7, обрамляющую вставку. При работе прибора кристаллы 1 выделяют тепло, при этом жидкий хладагент, находящийся в зоне испарения, закипая и испаряясь, понижает температуру поверхности кристаллов. Пары хладагента поступают через паровое пространство б в зону конденсации, где, охлаждаясь, возвращаются в виде конденсата по артериальным фитилям 5 и боковым стенкам корпуса по капиллярно-пористому слою в зону испарения, а теплота отводится через стенки корпуса в окружающую...

Полупроводниковый преобразователь

Загрузка...

Номер патента: 1800504

Опубликовано: 07.03.1993

Автор: Черников

МПК: H01L 23/44, H01L 25/00

Метки: полупроводниковый

...по ним тока, и тепловой поток через охладители 3 и ребра 4 передается диэлектрической жидкости, поступающий через входной патрубок 5, Поток охлаждающего агента проходит через ребра охладителя 01 и между ребрами и концентрическими приливами 6 и о 1. Часть потока 01, проходящая ребра первого охладителя нагревается и ц, проходящая по зазору между первым приливом и охладителем, останутся с первоначальной температурой, т,е, холодной, Перед следующим охладителем поток диэлектрической жидкости разветвляется на 01 и р 2, но теперь через ребра охладителя течет уже больше охлаждающей жидкости, так как зазор стал меньше; 0201, а о 1о 2, Далее по мере движения охлаждающей жидкости вверх, к выходному патрубку 7, процесс повторяется, и...