Способ возбуждения заданного типа стримерного разряда в гексагональных полупроводниках
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 1755336
Авторы: Грибковский, Паращук, Русаков
Текст
СОЮЗ СОВЕТСКИХСОЦИАЛИСТИЧЕСКИХРЕСПУБЛИК ;:.;.(9) (11)щ 5 Н 011 21/ОСУДАРСТВЕ ННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЙМ И ОТКРЬ 1 ТИЯМПРИ ГКЙТ СССР 3,т .ИЕ ИЗОБАТЕ СВИДТЕЛЬСТВУ ОПИК АВТОРС Я5/1 .: .":.:.;:.: . : :.-:." ,.-: 2(21) 4878458/25 :. "; :. ; .:.,.;:.".;:,;. (54) СПОСОБ ВОЗБУЖДЕНИЙ ЗАДАННОГО (22) 30.10,90 ,:";.:,:;,: :.,";: ТИПА СТРИМЕРНОГО РАЗРЯДА В ГЕКСА- (46)15.08.92. бюл, ВЗО " :,".--": ГОНАЛЬНБЗХПОЛУПРОВОДНИКАХ (71) Институт физики.им.Б.И. Степанова "." (57) Изобретенйе относится к методам исс- (72) В.П. Грибковский, К.И, Русаков и В.В, .: ледованияполупроводнйков,аименнокфиПаращук:,.,:,: .:.:.:.;:;:., зике стримерных разрядов, и может быть (56)Авторскоесвидетельство СССР : использовано при выращивании кристал- М 578672, кл. Н 01 1 21/66, 1979. :- . лов, в йроизводстве йзделий квантовой, опГладыщукА.А.идр Влияниетемперату- . то- и акустозлектроникй, а также для ры и подсветки на стримерные разряды в .: научных исследований Способ основан на монокристаллах сульфида и селенида кад-" ": зависимости условий возникновейия стримия. - ЖПС, 1986, т, 44, вып. 6, с, 978-982; . : меров различного тйпа в ограниченнбмобъГладыщук А.А. и др. Влияние толщины,." еме кристаллаот полярности кристалла, температуры, одноосного сжа-" ": - возбуждающих импульсов напряжения, Из тия, полярности электрического импульса и - монокристалла сульфида кадмия вырезают разрядного промежутка на стримерные раэ-. в направлении распространения стримера ряды в сульфиде кадмия. - ЖПС, 1985, т, 42, заданного типа стержневидный образец севып. 6, с. 889-895 : : : :: чением 0,05-1 мм и возбуждение осуществляют импульсами напряжения о.рицательной полярности. Изобретение относйтся к методам исс- . ность и длина которого в условиях полноголедования и технике полупроводЪйков, а :гашения остальных типов существенно именно к физике стримерных разрядов, и . уменьшаются, Кроме того, для данного спо- может быть использовано при создании ус- , соба требуется излучение в области фототройств квантовой, опто- и акустоэлектро-проводимости кристалла, специальная , ники; - .:, - .,геометрия подсветки и ее синхронизация вИзвестен способ оптической селекциислучае импульсного режима работы, а такжестримерных разрядов, основанный на явле- ". высокое качествоосвещаемой поверхности нии. гашения стримеров при подсветке:,.в " образца, так как эффект зависит от интенчастности на различии зависимости степени:сивности краевой фотолюминесценции, гашения от условий подсветки для различ- . В основе способа "тепловой" селекции ных типов разрядов..,:.-.:,: лежит зависимость вероятности (порога)Недостатками этого способа является .:; возникновения разрядов от температуры ивозрастание проводимости кристалла в це- ее различйе для стримеров разного типа.лом при подсветке и уменьшение приклады- . Недостаток этого способа заключается ваемого поля во всем его объеме, что ведет . в том; что он в случае нафевания не позвок уменьшению интенсивности одновремек-ляет выделить более одного типа разряда но всех типов стримеров,.в том числеивы-. (е 1), а отсутствие полного гашения остальделяемого. При этом возможна селекция .: ных типов обуславливает невысокую эффектолько одного типа стримера(ез), интенсив- тивность селекции. При охлаждении же1755336 ра одногО-двух типов. В случае отрицательной полярности возбуждаются только разряды типа е 1, а их количество уменьшается гасится только один из трех возможных типов разрядов, а два остальные возбуждаются одновременно, что ограничивает электрического поля, в частности от взаим той, так как не требует низких температур,ного расположения образца и электрода. В экономией материала в связи с использоваслучае кристаллов СбЗ подведение иглово- нием тонких стержневидных образцов;го электрода со стороны плоскости (1010): . Способ может быть использован при образца при 77 К приводит к возникнове- исследовании индивидуальных физических нию разрядов двух типов(е 2 и ез), апри его 20 свойств разрядов, на предприятиях электрасположении со стороны плоскости(1120) ронной промышленности в целях диагновозбуждаются и разряды третьего типа (е 1) стики при выращивании кристаллов и При комнатной температуре в таких ге- изготовлении полупроводниковых изделий,ометриях расположения образца и электро- при создании мощных стабильных стримерда вероятности возбуждения всех типов 25 ныхлазероввсвязисвозможностьюформистримеров сравнимы, хотя интенсивность одного их них (е 2) несколько мейьше, чем рования длинных неветвя.цихся разрядов. Использованйе способа в народном хоостальных. В связи с этим прикомнатной эяйстве дает экономический эффект, опретемпературе данный способ селекции малоделяющийся экономией по трудозатратам,эффективен, а при низкйх температурах 30 обусловленнойупрощениемфизическихисвозможности его ограничены,так как он не следовайий и технологических процессов и позволяет выделить какой-либо один тип сокращеййем времени на их проведение за разрядов, что представляет наибольший ин- . счет повышения эффективности селекции и терес, ,":. .расширения возможностей, а также эконоЦелью изобретения является повыше мией материала,ние эффективности способа.: " . -ф о р м у л а и з о б р е т е н и я. Способ реализуют следующим образом; Способ возбуждения заданного типа Выделяют тип е в стержневидном об- стримерного разряда в гексагональных поразце с поперечным размером - 0,5 мм и лупроводниках, основанный на выборе усдлиной 10-15 мм, вырезанном строго вдоль 40 ловий его возникновения, о т л и ч а юнаправления распространения данногощ и й с я тем, что; с целью повышения стримера, При положительной йолярностй зффектйвйости спосбба, разряд возбуждавозбуждающих импульсов количество раз- ют в кристалле стержневидкой формы с дирядов уменьшается и преобладают стриме- аметром 0,05-1,00 мм вдоль длины стержня,Составитель А. Щитов Редактор Т. Лазоренко Техред М.Моргентал Корректор И. ШуллаЗаказ 2897 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 101 возможности способа, Требуются значи- до минимума, т.е. степень селекции равна тельные изменения температуры - на 200 К, 5 100. При этом стример распространяется что вызывает эаМетное изменение направ- преимущественно вблизи оси стержня. ления стримеров,(на,4-12.К). Способ по сравнению с прототипом обНаиболее близЮм к предлагаемому яв- ладает повышенной эффективностью в свяляется способ,осноцнный насозданииоп- эи с полйым подавлением нежелательных ределенной конфигурации возбуждающего 10 типов стримеровбезизменения характериполя, Сущность его заключается в том, что стик выделяемого разряда при степени североятность возникновенйя различных ти- лекции до 100, более широкими пов разрядов при заданной температуре за- возможностями, обусловленными селеквисит от геометрии внешнего цией стримеров различного типа, просто
СмотретьЗаявка
4878458, 30.10.1990
ИНСТИТУТ ФИЗИКИ ИМ. Б. И. СТЕПАНОВА
ГРИБКОВСКИЙ ВИКТОР ПАВЛОВИЧ, РУСАКОВ КОНСТАНТИН ИВАНОВИЧ, ПАРАЩУК ВАЛЕНТИН ВЛАДИМИРОВИЧ
МПК / Метки
МПК: H01L 21/66
Метки: возбуждения, гексагональных, заданного, полупроводниках, разряда, стримерного, типа
Опубликовано: 15.08.1992
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-1755336-sposob-vozbuzhdeniya-zadannogo-tipa-strimernogo-razryada-v-geksagonalnykh-poluprovodnikakh.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ возбуждения заданного типа стримерного разряда в гексагональных полупроводниках</a>
Предыдущий патент: Способ определения кристаллографических направлений 110 в полупроводниковых материалах типа а в
Следующий патент: Умножитель напряжения
Случайный патент: Устройство для открывания и закрывания дверей кабины лифта