Патенты с меткой «кремниевый»

Номер патента: 546042

Опубликовано: 05.02.1977

Автор: Добкин

МПК: H01L 21/22

Метки: диффузионный, кремниевый, транзистор

...в прилегающей к базе области эмиттера, обеспечивающего высокое значение коэффициента усиления, связано с сушествованием связи диффузионной длины неосновных носителей тока и концентрацией примеси и приводит к уменьшению времени жизни и коэффициента диффузии, определяющих значение диффузионной длины. В случае если примеси имеют градиент концентрации выше оптимального, малы геометрические размеры активной области эмиттера. Если 0 значение градиента концентрации примесиниже оптимального, мала концентрация примеси в активной области эмиттера,Для случая распределения примеси в прилегающей к базе области эмиттера по закок 2б ну Я" оптимальное значение градиентаконцентрации определяется по формуле4 й Мгрви ЬРР ЗР н"р ах- концентрация...

Номер патента: 234521

Опубликовано: 23.12.1985

Авторы: Грехов, Крылов, Линийчук, Тучкевич, Челноков, Шуман

МПК: H01L 29/74

Метки: вентиль, кремниевый, силовой, управляемый

...Р -п-,р-пструктуры позволяет технологическипросто создать вентили с малыми 10величинами прямого падения напряжения при номинальном токе и высокиминапряжениями загибаи переключения,причем напряжения переключения почтине зависят от температуры, мощность 15управления мала из-за малого напряжения управления.На чертеже изображена структурапредлагаемого вентиля, где 2 3,35, р-переходы.Для создания полупроводниковойструктуры из специального источника на воздухе производится диффузия бора в о-кремнии, При 1300 Собразуются достаточно глубокие 25(х =35-60 мк) переходы 3 и Ээ скойцентрацией атомов бора на поверхности "-, 1:3 .10 8 см. На внешнюю поверхность перехода 1 ь напыляетсяводный раствор борной кислоты иооплавляется при 1250 С, Из...

Номер патента: 673089

Опубликовано: 15.07.1988

Автор: Авдейчиков

МПК: G01T 1/24, H01L 31/02

Метки: детектор, излучения, ионизирующего, кремниевый

...инверсную проэодимьстьс-Стороныимно-перпендикулярных направлениях. 3 и-р-перехода и является йеменбктиНа фиг.1 представлена схема пред рующимконтактом соСторойь 1 (1) облагаемого детектора с позиционной . ратного контакта. ПоверхностноЕ Сопчувствительностью вдольоси Х со сторотивление пленки германий дляпере-роны обратного контакта 1 кремниевой менной составляющей тока10. кОм,пластины 2, Кремний имеет проводи- ,. :. : что почти в 10 раз больше соЩоФивмость р-типа. Со стороны переднеголенияпленки"висмута", поэтому вкладконтакта 3 на травленную химический плейкигермания в эффекти 9 йбе сопрообразом поверхность нанесена пленка.25 тивление контактаменьше 0,1 Й,германия 4 и на чуть меньшую площадьВ предлагаемом детекторе обе,.по-поверх...

Номер патента: 1200798

Опубликовано: 07.01.1992

Авторы: Ливенцов-Ковнеристов, Тверетнев, Трошкин, Ященко

МПК: H01L 31/08

Метки: координатный, кремниевый, многоэлементный, фотоприемник

...веточувст вител ьных площадках1 и 2 нанесены контакты 6, к которымприварены токосъемные проводники,припаянные к ножкам цоколя. Проводники, идущие от четырех малых внутренних секторных площадок 2, прокладываются в радиальных зазорах 3 между кольцевыми периферийными площадками, Это необходимо для того, чтобыне затенять светочувствительные коль"цевые площадки и не создавать ложныхизменений (падений) фотоэлеКтрическихсигналов при пересечении проводниковветовым пятном - изображением ориентира малого размера,В центре светочувствительнойплощадки большого размера (диаметра)10-60 мм, определяемого необходимымнаибольшим полем зрения, при помощиольцевого зазора 4 на светочувствиельной поверхности выделяется фоторлвктриквоки изолированная...

Номер патента: 1748205

Опубликовано: 15.07.1992

Авторы: Джус, Муратов, Нерсесян, Эшчанов

МПК: H01L 23/00

Метки: высоковольтный, диод, кремниевый, сильноточный

...первую заливку эпоксидногокомпаунда до эмиттерного вывода, первуюдвухстадийную термообработку, первуюстадию которой осуществляют при 80 - 85 Св течение 2 - 5 ч, а вторую стадию - при120-125 С в течение 4-8 ч, осуществляютдополнительную заливку эпоксидным компаундом до уровня верхнего торца корпусаи дополнительную двухстадийную термообработку при 80 - 85 С в течение 2 - 5 ч и при120 - 125 С в течение 4 - 5 ч, осуществляютвторую заливку эпоксидного компаунда доверхней площадкикольца и вторую дьухстадийную термообработку, первую стадию которой осуществляют при 80-85 С в течение2 ч, а вторую при 140-145 С втечение40-45 ч, при этом после второй термообработки часть кольца со стороны верхней площадки удаляют резанием,Режимы...

Номер патента: 1648223

Опубликовано: 23.08.1992

Авторы: Кулаженков, Ливенцов-Ковнеристов, Ященко

МПК: H01L 31/04

Метки: координатный, кремниевый, многоэлементный, фотоприемник

...обусловлены многими факторами, начиная от стабильности параметров ФП и электронной системы до стабильности динамики органов управления,После окончания наведения центральная часть ФП затенена экраном 10 в больной цли меньшей степени н зависимости от выбранного размера экрана 10. Однако при прочих равныхРусловиях величина + О. достигает наименьшего значения при большом затенении внутренней квадратной области ФП.Выбор размеров непрозрачных затеняющих экранов круглой формы.Наименьший размер круглого экрана определяется нз соображения обеспечения непрерывности (нерелейцости) характеристики малой внутренней 4-элементной центральной квадрантной области фотоприемника, Для этого диаметр экрана должен вписываться н квадрант (фиг.4) или немного...

Номер патента: 1803943

Опубликовано: 23.03.1993

Авторы: Джус, Муратов, Нерсесян, Эшчанов

МПК: H01L 23/00

Метки: высоковольтный, диод, кремниевый

...компаундом при формированиикорпуса. 9 - защитный компаунд (силиконовый каучук).В таблице представлены результаты испытаний диодов (после технологических обработок, в том числе камера влаги,термоциклы и др, операции).(54) КРЕМНИЕВЫЙ ВЫСОКОВОЛЬТНЫЙ ДИОД(57) Сущность изобретения: в кремниевом высоковольтном диоде с коллекторным и эмиттерным выводами, ориентированными в параллел ьн ых нап равлен и ях, под эмиттерным выводом в металлическом основании сделан вырез размерами, обеспечивающими расстояние от эмиттерного вывода до кромок выреза, равное не менее половины расстояния между эмитте рным и коллекторным выводом в том же сочетании, 1 табл. Использование предложенного изобретения позволило разработать импульсный высоковольтный...