Способ определения кристаллографических направлений 110 в полупроводниковых материалах типа а в

(19 1)5 Н 013 21/66 ИЗОБРЕТИДЕТЕЛ ЬСТВУ ОПИС К АВТО РС ОМУ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМПРИ ГКНТ СССР 21) 4837887/25(22) 12.06,90 .,1,46) 15.08.92. Бюл, М 30171) Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов(56) Микроэлектроника, 1973, М 4, с. 366.Электронная техника. Сер. Материалы1980, вып. 10, с, 68.Авторское свидетельство СССРМ 642798, кл. Н 01 1 21/66, 1977,54) СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ КРИСТАЛЛОГРАФИЧЕСКИХ НАПРАВЛЕНИЙ 110 В Изобретение относится к электронике и может быть использовано для выявления направлений 110 А и 110 В на пластинах и структурах из полупроводниковых материалов А В, в частности арсенида галлия, при ориентации (100) и близкой к ней.Выявление направлений 110 А и 110 В важно для локальноготравления рельефа при изготовлении полупроводниковых приборов, так как профили травленйя в этих направлениях различны.Известный способ выявления направлений травлением круглых окон очень трудоемкий, требует проведения дополнительной . Фотолитографии, Метод выявления направлений по форме травления пор применим только при наличии на поверхности арсенида галлия пленки 3102, Метод выявления направлений по Форме фигур травления очень чувствителен к обработке поверхности, фигуры травления одиночные и их трудно найти на травленном участке.Наиболее близким к предлагаемому является сйособ, основанный на механическом воздействии на поверхность 2ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛАХ ТИПА А 111 В157) Сущность изобретенйя: на поверхность полупроводникового материала типа А В111 Ч на плоскости 1100) в трех точках осуществляют механическое воздействие пирамидой Виккерса с нагрузкой 30-100 г. При этом диагональ пирамиды Виккерса располагают в направлении 110. Направления 110 А и 110 В определяют путем подсчета числа трещин от углов полученных отпечатков в двух взаимно перпендикулярных направлениях. ф1 полупроводникового материала пирамидой Виккерса, Определение кристаллографической ориентации проводится по системе полос сдвига, соответствующих линиям я пересечения плоскостей типа (111) с исследуемой плоскостью.Этот способ позволяет выявлять не только кристаллографическую ориентацию поверхности пластин, но и кристаллографические направления для соединений А В .Однако этот способ не позволяет различать направления 110 А и 110 В, кроме того, на поверхности полупроводниковых материалов А В, в частности арсенида галлия, полосы сдвига при механическом воздействии пирамидой Виккерса не наблюдаются, а образуются микротрещины, идущйе от углов отпечатка в двух взаимно перпендикулярных направлениях 110.Цель изобретения - выявление направлений 110 А и 110 В на плоскости (110 полупроводниковых материалов А В .Поставленная цель достигается тем, что согласно способу определения кристаллографических направлений 110 в полупро1755335 Составитель Л. ВоэмиловаРедактор Т. Лазоренко Техред М,Моргентал Корректор И, Шулла Заказ 2897Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г, Ужгород. ул, Гагарина, 101 водниковых материалах, включающему механическое воздействие на поверхность полупроводникового материала пирамидой Виккерса с последующим анализом образовавшихся в результате воздействия фигур, механическое воздействие осуществляют в трех точках, выбранных из условия получе-. ния неперекрывающихся фигур, с нагрузкой 30-100 г, причем диагональ пирамиды Виккерса располагают в направлении 100, подсчитывают число трещин в двух взаимно перпендикулярййх направлениях от углов полученных отпечатков, и направление 110 А определяют наличием большего числа трещин, чем в направлении 100 В.В направлении 110 А почти всегда образуется 2 трещины, т.е, суммарно у 3 отпечатков 6 трещин в направлении 110 А. В направлении 100 В обычно одна трещина или трещины отсутствуют, т,е. суммарное количество трещин меньше 6.П р и м е р. На поверхности структуры ОаАэ ориентации (100), имеющей скол или базовый срез для ориентации рисунка фото- шаблона, наносят 3 отпечатка на микротвердомере ПМТ - 3 путем вдавливания пирамиды Виккерса (нагрузка 30-100 г), располагая диагональ пирамиды параллельно сколу (срезу), т.е. в направлении 110, Рассматривают отпечаток под микроскопом микротвердомера, подсчитывают количество трещин отуглов отпечатка в двух взаимно перпендикулярных направлениях 110.На первой пластине в направлении, параллельном сколу, на всех отпечатках по 2 трещины, т,е. суммарно 6 трещин. В перпендикулярном направлении на 2 стпечатках по 1 трещине, на 1 отпечатке нет трещин, т.е. суммарное количество трещин в этом направлении равно 2. Большее количество трещин указывает, что направление 110 А параллельно сколу, а направление 100 В перпендикулярно сколу.На второй пластине в направлении параллельном сколу трещинавсего на одном отпечатке, т,е. суммарное количество трещин равно 1, а в перпендикулярном направлении на всех отпечатках по 2 трещины, т.е,всего 6. Большее количество трещин указы 5 вает, что на данной пластине направление110 А перпендикулярно сколу, а направление 100 В параллельно сколу,Выявление направлений можно проводить как на рабочей, так и на нерабочей10 поверхности структуры. Следует только помнить, что один и тот же скол (базовый срез)перпендикулярен направлению 110 А наодной стороне пластины и направлению110 В на противоположной стороне,15 В настоящее время определение направлений 110 А и 110 В проводится пофигурам травления. Процесс трудоемкий,требует проведения процесса фотолитографии и травления.20 Применение предлагаемого способа позволяет значительно снизить трудоемкостьи исключить подтравливание структуры привыявлении направлений. 25 Формула изобретенияСпособ определения кристаллографических направлений 110 в полупроводниковых материалах типа А В, включающий механическое воздействие на поверхность 30 полупроводникового материала пирамидойВиккерсас последующим анализом образовавшихся в результате воздействия фигур, о т л и ч а ю щи й с я тем, что, с целью выявления направлений 110 А и 110 В 35 на плоскостях (100), механическое воздействие осуществляют в трех точках, выбранных из условия получения неперекрывающихся фигур, с нагрузкой 30- 100 г, причем диагональ пирамиды Виккер са располагают в направлении 110,подсчитывают число трещин в двух взаимно перпендикулярных направлениях от углов полученных отпечатков, и направление. 110 А определяют наличием большего чис ла трещин, чем в направлении 110 В,