H01L 47/02 — приборы с эффектом Ганна
Активный элемент на эффекте ганна, управляемый напряжением
Номер патента: 817819
Опубликовано: 30.03.1981
Авторы: Блесман, Бурлаков, Копылов, Люзе
МПК: H01L 47/02
Метки: активный, ганна, напряжением, управляемый, элемент, эффекте
...как в активной части 2 управляющего участка 8 площадь поперечного сечения и следовательно напряженность электрического поля уменьшается при удалении от катодного контакта 5, то на определенном расстоянии от него напряженность электрического поля в активной части 2 становится недостаточной для поддержания домена сильного поля, Вследствие этого домен, пройдя это расстояние, исчезает не доходя до анод- ного контакта 4. В это время домен сильного поля и активной области 1 продолжает свое движение к анодному контакту 3.После исчезновения домена сильного поля в активной части 2 в ней зарождается около катодного контакта 5 новый домен, который распространяется в поперечном направлении в активную область 1 со скоростью, намного превышающей...
Диод ганна
Номер патента: 1676402
Опубликовано: 23.07.1992
Авторы: Караваев, Ткаченко, Уйманов
МПК: H01L 47/02
...основнойчастоте,Поскольку в настоящих ДГ, по сравнению с ДГ работающими ца основнойЪ35частоте, частота генерации определяется уже це длиной активной области1., а периодом неоднородности е легирования, то, увеличивая длину активной области, цо оставляя период неод-нородности профиля легирования равным прежней длине активной области,на выходе можно получить СВЧ-сигналтой же частоты, но гораздо большеймощности. Т,е. для увеличения выходной мощности толщина активного слоянастоящего диода 1. должна удонлетоворять условию1(М. 1) ) ) 1,где 1, - толщина однородного активного50слоя,т.е. толщина активного слоя ДГ беэфступенек.11 ринедецные вьппе рассуждения наоснове 4 аэических представлений былипроверены расчетным путем, а именнометодом...
Диод ганна
Номер патента: 747373
Опубликовано: 15.04.1994
Автор: Липин
МПК: H01L 47/02
ДИОД ГАННА, содержащий активную область, выполненную в виде меза-структуры n+ - n - n+ на полупроводниковой подложке, два электрода, один из которых является теплоотводом, отличающийся тем, что, с целью уменьшения высокочастотных шумов, активная область выполнена в виде сотовой решетки, у которой периметр шестигранной ячейки не менее чем в 10 раз превышает ширину элементов, составляющих ячейку.