Юодвалькис

Номер патента: 1748223

Опубликовано: 15.07.1992

Авторы: Баранаускас, Иванов, Юодвалькис

МПК: H01L 27/10, H03F 3/26

Метки: интегральный, мощный, транзистор

...(Ок 4 ). Приняв усилители 5 и 6 за идеальные, из-за отрицательной обратной связи через дополнительный эмиттер дополнительногд транзистора 2 можно считать, что дополнительный транзистор 2 открывается настолько, чтобы падение напряжения Ощ было равно Овз . При этом напряжение Овз из-за отрицательной обратной связи через коллектор дополнительного транзистора 2 устанавливается такой величины, чтобы коллекторный ток этого транзистора был равен току, поступающему на вход устройства. Тогда для устройства в целом можно записать:Об-зо- Об-эд, = Об-эо - Об-эдв (1) ГДЕ Од-эо, Об-зо НаПРЯжЕНИЯ баэз-ОСНОВ- ной эмиттер основного и дополнительного транзисторов 1 и 2;Об-зд Об-зд, - напРЯжениЯ база-допол 15 нительный эмиттер основного и дополнительного...

Номер патента: 1725321

Опубликовано: 07.04.1992

Авторы: Иванов, Шедейкис, Юодвалькис

МПК: H02K 7/10

Метки: защиты, мощного, токовой, транзистора

...шине, базы транзисторов обоих источников тока объе50 55 динены и соединены с базой и коллектором токозадающего транзистора, коллектор которого через токозадающий резистор соединен с общей шиной, эмиттеры транзистора второго источника тока и токо- задающего транзистора предназначены для подключения к коллектору мощного транзистора, а эмиттер транзистора первого источника тока через третий резистор- к коллектору мощного транзистора, при этом другой вывод нагрузочного резистора подключен к общей шине.На чертеже приведена принципиальная схема токовой защиты мощного транзистора.Она содержит два транзистора 2 и 3 одной полярности с коллекторными резисторами 4 и 5, транзистор б противоположной полярности с резистором 7 нагрузки, первый...

Номер патента: 1698965

Опубликовано: 15.12.1991

Авторы: Баранаускас, Шедуйкис, Юодвалькис

МПК: H03K 5/12

Метки: импульсов, прямоугольных, формирователь

...входами инвертирующих усилителей 6, 7.Формирователь прямоугольных импульсов работает следующим образом.После поступления на ВхОд усилительного каскада 8 нарастающего сигнала, а на вход усилительного каскада 9 убывающего сигнала инвертирующий усилитель 6 открывается, шунтируя базу составного транзистора 4 на первую шину, и закрывает его. База транзистора 14 Оказывается подклочена к пеовой шине., поэтому через резистор12 протекает ток на базу транзистора 14 и он открывается. Через открытый транэистор 14 база составного транзисгора 5 получает питание и составной транзис 1 ор 5 открыт, При этом на втором выходе триггера 1 образуется высокий уровень, поэтому на первом выходе образуется низклй уровень, ДО тех пор, пока на Входе ус:,лительного...

Номер патента: 1693715

Опубликовано: 23.11.1991

Авторы: Баранаускас, Иванов, Юодвалькис

МПК: H03F 3/04

Метки: дифференциальный, усилитель

...поступает на базы транзисторов 2, 4 и открывает их, кроме тэго, амитернцй та: транзистора 11 поступает на базы транзисторов 3, 1 и открывает их. С ткрцтые транзисторы 3 и 4 шун.ируют о;.навную част тока источника В тока, ограничивая базовый ток в транзисторах 10, 11. Таким образам, через транзисторы 3, 1, 2, 4 устанавливается ток одинаковой величины и через каждый транзистор протекает г;аловина тока, заданного источником 8 така, Гоэтаму так через каждый нагрузочный резистор 12 и 13 будет равен току источника 8 тока.В случае поступления на один из входов сигнала в виде изменения тока (допустим,в сторону увеличения р через оезистор 5), так через транзисторы 3 итакже увеличится, Увеличи 1 ся и базовый ток транзистора 10, Поскольку сумма...

Номер патента: 1688383

Опубликовано: 30.10.1991

Автор: Юодвалькис

МПК: H03F 1/30

Метки: мощности, термозащитой, усилитель

...Пока выходной составной транзистор 13 работает в нормальном температурном режиме защитный транзистор 12 закрыт и на работу выходного составного транзистора 13 не влияет, потому что тот же сигнал поступает и на базу дополнительного транзистора 6, Конструкции транзисторов 5 и 6 одинаковы, а на кристалле находятся в близком расстоянии друг от друга, поэтому и коллекторные токи равны. Ток с коллектора дополнительного транзистора 6 поступает на базу усилительного транзистора 7, где он усиливается и, проходя через первый транзистор 10 второго источника тока 9, возбуждает в базе второго транзистора 11 ток, совпадающий по фазе и превосходящий по величине ток второго эмиттера второго двухэмиттерного транзистора 15, Величину тока в этой...

Номер патента: 1656665

Опубликовано: 15.06.1991

Авторы: Баранаускас, Иванов, Юодвалькис

МПК: H03F 3/04

Метки: отражатель

...2 и 1, 4 и 5 также равно М, Таким образом, при низких частотах направление тока на выходе отражателя тока выдерживается втекающим в нагрузку и равным току, поступающему из источника 8 входного тока, умноженному на коэффициент К, При этом через конденсатор 7 сигнал не проходит,В случае быстрого нарастания входного тока источника 8 (при высокой часготе), ток начинает проходить через конденсатор 7, Коллекторные токи транзис 1 орои 3, 4 и 5 уменьшаются, поскольку часть тока, созданЗаказ 2312 Тираж 472 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ С 113035, Москва, Ж, Раушская наб 4/5 енно-издательский комбинат "Патент", г, Ужгород, ул.Гагарина, 10 роиз ного источником 6,шунтируется через конденсатор 7....

Номер патента: 1635248

Опубликовано: 15.03.1991

Авторы: Баранаускас, Иванов, Юодвалькис

МПК: H03F 3/04

Метки: усилитель

...усиления,образованном транзисторами 3, 5, 6. 50Противофазные изменения коллекторных токов транзисторов 6 и 4 суммируются на базе транзистора 2, темсамым увеличивая ток через него и,следовательно, ток через транзистор 551 и через нагрузку, подключенную квыходной шине 12 или 11.Из-за увеличения тока через транзистор 2 увеличивается падение напряжения на резисторе 9, которое поступает на эмиттер транзистора Я и уменьшает воздействие изменения входного тока на холяекторный ток транзистора 8. Таким образом, данная связь работает как вторая цепь мест- нойООС. Уменьшение тока через транзистор 8 иэ-за действия данной ООС способствует большему открытию транзистора 4 и увеличению падения напряжения на резисторе 7 и закрыванию транзистора 3....

Номер патента: 1601742

Опубликовано: 23.10.1990

Авторы: Баранаускас, Юодвалькис

МПК: H03F 1/30

Метки: термозащитное

...и одинаковых площадей эмиттеров транзистора 3 и первого эмиттера мощного двухэмиттерного транзистора 1 независимо от сигнала на входе термозащитного устройства. Поэтому ток на выходе дифференциальноГо усилителя 2 тоже отсутствует и напряжение на резисторе 8 не меняется, Данное напряжение при допустимой температуре недостаточно для открывания исполнительного элемента 5, который на работу мощного двухэмиттерного транзистора 1 не влияет.При равномерном нагреве кристалла напряжение на резисторе 8 остается постоянным, а напряжение открывания исполнительного элемента 5 уменьшается и при определенной температуре оказывается ниже заданного напряжения на резисторе 8. что приводит к открыванию транзистора исполнительного элемента 5, который...

Номер патента: 1582264

Опубликовано: 30.07.1990

Авторы: Баранаускас, Иванов, Юодвалькис

МПК: H02H 7/10

Метки: защиты, перенапряжений, транзисторов

...равные соответственно(7) Ц= 1 К где И - падение напряжения на перВввом резисторе 8;Ц - падение напряжения на втой 1 ором резисторе 10; К ,К - сопротивление первого и второго резисторов 8 и 10 соответственно.При максимально допустимом напряжении питания для данной интегральной схемы(8) (9) К 3 БЭ 7 ъ Й 10 699где ц - напряжение база-эмиттербуйшунтирующего транзистора 7;Б - напряжение база-эмиттер ис-.БЭ 9полнительного транзистора 9. Как следует из выражений (8) и (9) эти транзисторы при допустимом питающем напряжении закрыты и на работу защищаемой схемы не влияют.При повышении питающего напряжения выше допустимого, коэФФициент лавинного размножения носителей И тран-зистора транзисторного датчика 6 уве" личивается и достигает...

Номер патента: 1541573

Опубликовано: 07.02.1990

Авторы: Баранаускас, Юодвалькис

МПК: G05D 23/19

Метки: интегральных, схем, термозащиты

...и транзисторы 18 и 4 изза отсутствия Базового тока, получаемого от транзистора 15. После закрытия транзистора 4 ток через транзистор 20 также уменьшаетсл, закрываятранзисторы 19 и 3, В то же времяиэ-за наличия базового тока на транзисторе 16 от источника 7 он открывается и открывает транзистор 17, который дополнительно шунтирует базы тран зисторов 18 и 4 на общую шину, способствуя дальнейшему их запиранию. Такимобразом, на определенной точке температуры получают резкий рывок выключения исполнительного транзистора 8, но зополного выключения не происходит, потому что автоматически происходит выключение тока питания транзисторов 15и 16. В случае охлаждения датчикавесь процесс происходит аналогично,35но в обратном порядке,В...

Номер патента: 1089355

Опубликовано: 30.04.1984

Автор: Юодвалькис

МПК: F23D 5/02

Метки: горелка, испарительная

...отопления небольших зданий, преимущественно в 5сельской местности,Известны испарительные горелки,содержащие корпус с воздухоподводящимиперфорированными стенками и подключенным к топливоподающему устройствуподдоном, в который погруженанилмяя часть тепловой трубки снабженной в верхней части ребрами 111Однако такие горелки имеют недостаточную теплопроизводительность иэза малой площади испарения топлива.Известна также испарительная горелка, содержащая корпус с перфорированными стенками и поддоном, имеющим двойное днище, и установленнуюсоосно корпусу тепловую трубу 21Недостатком данной горелки явля"ется низкая производительность,Цель изобретения - повышение производительности.Указанная цель достигается тем,что в испарительной горелке...

Номер патента: 1044827

Опубликовано: 30.09.1983

Автор: Юодвалькис

МПК: F04D 5/00

Метки: насос, фрикционный

...дисков 13Недостатки данного насоса низкие напор и производительность.Наиболее близким к предлагаемому по технической сущности является фрикционный насос, содержащий корпус с полостями всасывания и нагнетания, установленные в нем на параллельных, валах два ротора противоположного направления вращения и гребенку с зубьями 21,Недостатком известного насоса является низкий напор.Цель изобретения - повышение напора насоса,Указанная цель достигается тем, что фрикционный насос, содержащий корпус с полостями всасывания и нагнетания, установленные в нем йа параллельных валах два ротора противоположного . направления вращения и гребенку с зубьями, снабжен второй гребецкой, отделяющей полость нагнетания от зоны нагнетания одного ротора и зоны...

Номер патента: 1008608

Опубликовано: 30.03.1983

Автор: Юодвалькис

МПК: F28F 13/02

Метки: жидкости, испарения, пленочного

...испарения жидкоготоплива находится в .прямой пропорциональности от температуры испарительной поверхности, Однако .в случаеиспарения жидкого топлива как ствердой металлической поверхности,так и,с поверхности расплавленногоолова, повышение температуры испарительной поверхности. свыше 500 С 60 приводит к образованию кокса. В случае испарения жидкого топлива с твердой металлической поверхности, наповерхности испарения обраэовываетсядовольно плотный слой твердый) кок са который препятствует распростраДля выявления влияния промежуточного слоя расплавленного металлана интенсивность испарения жидкого топлива были проведены исследования. Между собой сравнивались два способа,испарения топлива: с твердой металлической...

Номер патента: 985444

Опубликовано: 30.12.1982

Автор: Юодвалькис

МПК: F04D 17/08

Метки: вентилятор, дисковый

...вентилятор содержащий корпус, разделенный перегородкой на полости нагнетания и всасывания, и размещенное в корпусе рабочее колесо, образованное дисками, насаженными на вал, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью повышения КПД, перегородка со стороны дисков выполнена гребнеобразной и гребни установлены между дисками. 25 Изобретение относится к вентиляоростроению.Известен вентилятор, включающий орпуси вал, на котором смонтирован ряд вращающихся дисков 13.Известен также дисковый вентилятор, содержащий корпусразделенный перегородкой на полости нагнетания и всасывания, и размещенное в корпусе рабочее колесо 2.Недостатком вентиляторов является небольшой КПД.. Цель изобретения - повышение КПД вентилятора.Укаэанная цель достигается...

Номер патента: 980266

Опубликовано: 07.12.1982

Авторы: Вяркялис, Занявичюс, Кулис, Юодвалькис

МПК: H03K 5/12

Метки: импульсов, прямоугольных, формирователь

...переходом базаэмиттер транзистора 15. Эмиттвры тран-зисторов 5 и 14 подключены к общей шине, а,коллекторы - к ниэкоомным резисторам 4 и 13 соответственно. Базы этиктравэисторов через резисторы 16 и 17подключены к коллекторам противоположных транзисторов 5 н 14 соответственно. формирователь импульсов работаетследующим образом. После поступления положительного напряжения на базу транзистора 1 он открывается и шунтирует базу составного транзистора Э на общую шину и закравает его. Ток, протекающий через резисторы 4 и 16 на базу траюистора 14, прекращается и данный транзистор закрат. Иэмэа отсутствия положительного потевциала иа коллекторе тразэистора 1 транзисторы 7 и 10 также закрыты, поэтому составной трвюистор 12 открыт и на. выходе 18 -...

Номер патента: 964354

Опубликовано: 07.10.1982

Автор: Юодвалькис

МПК: F23L 13/02

Метки: регулятор, тяги

...эа пределы рамки и снабженный рычагом с подвижным грузиком.На фиг. 1 показан регулятор тяги,общий вид;на фиг, 2 - разрез А-А на фиг. 1Регулятор тяги содержит рамку 1 н установ- о ленную внутри нее на осн 2 вращения регулиру. ющую лопасть 3, имеющую размещенный нижеоси 2 вращения груз 4 статического балансирования, Ось 2 вращения имеет участок, высту 2лающий за пределы рамки 1 и снабженный рычагом 5 с подвижным грузиком 6. Регулятор тяги работает следующим образом.С помощью регулирующего грузика 6 устанавливается заданная величина тяги на рычаге 5 регулирования. При образовании в дымоходе тяти, превышающей заданную величину, открывается лопасть 3, через образовавшуюся щель воздух поступает в дымоход и разбавляет ды мовые газы...