Патенты с меткой «ганна»

Номер патента: 324651

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Московский, Сапслькиков, Старосельский

МПК: G11C 11/36

Метки: ганна, диодах, запоминающий, элемент

...в процессе ссздяиия коптя ктов яв,1 ястся цеконтро:Н 1)уем 11 х и иевосироизвОдимым процессом. В идстоящсс время отработана техносоздаии 51 Омиеских коцтяктов к арсгаллия, ири которой гороговое значениетричсского поля близко к тсоретичезиачсииО 3,3 кпс.ч. Такие диодь 1 имстотболинес отцошсиие максимальногок минимальному, однако оии ие могутистользоваиы для соз;1 дния описаицогомицдюп,его элемситд ввиЭ того, чтов таких диодах обрдзуегся цд участке вьа це вблизи катода. Следовательно, осцонедостатком прототипа являются жетреоовяния к хдряктсристи 1 се кятодногот акта диода.Заказ 246/16 Изд. М 1856 Тираж 448 Подписное ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР Москва, гК, Раугнская наб., д, 4/5пр,...

Номер патента: 379968

Опубликовано: 01.01.1973

МПК: H03B 7/06

Метки: ганна, диода, параметрами

...Ганина, то при увеличении ро от нулядо ро=101 о см- частота усиления, обеспечиваемая предлагаемым способом при заданной З 5длине образца, также возрастает в 30 раз,т. е, расширяется частотный диапазон усиления,С другой стороны, выходная мощность диода Ганна пропорциональна квадрату длины 40диода. Поскольку при рю - 101 о ем вта же частота колебаний достигается при длине образца примерно в 30 раз большей, то выходнаямощность диода возрастает за счет увеличения длины примерно на три порядка. Кроме 45того, электронно-дырочные пары ограничивают максимальное поле в домене. Прип,=р,= 10 см - зпмаксимальное поле вдомене составляет всего около 20 кв/см. Притаких полях в домене пробой не развивается, 50т. е. инжекция электронно-дырочных пар...

Номер патента: 367815

Опубликовано: 25.09.1975

Авторы: Грехов, Левинштейн, Шур

МПК: H03B 7/06

Метки: ганна, диод

...класса веществ, в которых можетнаблюдаться быстро движущаяся область40сильного полл, приводящая к лавинномуразм 11 сжению носителей 1 пробою) к В уве-.личении равномерности распределения носителей в условиях пробоя,11 ель достигается путем нанесения на15поверхность кли часть поверхности полупроьодниксвой структуры, в которок генерируются домепы сильного поля, покрытиякз полупроводникового материала с меньшим пороговым полем ударной конкзацкк,50чем у вещества, кз которого изготовленаполупроводниковая структура,На чертеже показан полупрсьод 11 кксьыи,щкбор, содержащий попупооьодпкковуюструктуру, в которой генериру 1 отся дсменЫсильного поля, покрытую слоем специальногошнтупроводнккового илк диэ 11 ектрическсгок 1 рте Р 11 111111,30...

Номер патента: 533893

Опубликовано: 30.10.1976

Авторы: Алексеев, Головкин, Малышев, Раздобудько

МПК: G01R 31/26

Метки: ганна, диоде, пролета, частоты, электронов

...изменение в диапазоне частс г величина С,Ясно, что при постоянных в диапазоне частот С, Ср и били, точнее, при постоянной величине холодной добротности,1+ ,)вн - 1нтакже будет иметь резко выраженный минимум на частоте пролета, а определяемая в соотвс 1 лви с формулой,2)5 относительная ширина полосы синхронизацииу.- акси 1 ал.нос знаение па той жсУочастоте,10 где /о - частота свободшях колебаний генератора;Лг полоса синхронизации;Ро - мощность сипала синхронизации;Р, - мощность генератора при отсутствии15 синхросигпала;Р,-- коэффициент усиления синхронизиРрусмого гснсратора.20 Регистрация максимального значения вУодиапазоне частот позволяет определять часто тУ пРолета 1 пр.Структурные схемы измерительных устано 25 вок, позволяющих...

Номер патента: 653586

Опубликовано: 25.03.1979

Авторы: Бурлаков, Красильников, Кукушкин, Люзе, Эленкриг

МПК: H01L 21/66

Метки: ганна, диодов, пленок, пригодности, эпитаксиальных

...что средний за пе О риод ганновских колебаний ток через диод (при полях выше порогового):Змакс мин 21 (Г 1+2 а)+эмин Г1 2близок к Эмщ,.Пролетный режим работы диода Ганна реализуется в апериодическом контуре, который характеризуется тем,что его резонансная частота много 2 Обольше пролетной, а нагрузкой является сопротивление, величина которогомного меньше сопротивления образца.Измерительная установка (фиг. 3)состоит из генератора 1 импульсов,последовательно включенного эмиттерного повторителя 2, к эмиттеру которого подключены апериодический контур3 и клемма 4, Одновременно с клеммы4 подается сигнал на вход усилителягоризонтальной развертки осциллографа 5В коллекторную цепь эмиттерного повторителя включена батарея б,эашунтированная...

Номер патента: 705390

Опубликовано: 25.12.1979

Авторы: Полисадов, Смагин, Шаповал, Юрченко

МПК: G01R 31/26

Метки: ганна, диодов, сопротивления, теплового

...явля используется эквивалентность тепются сложность оборудования и изме- ловых режимов при саморазогреве Рарения при малых временах тепловой бочим током .и внешним подогреве дирелаксации, а также низкая произно- ода до температуры активной области. дительность при технологическом Импульсная вольт-амперная характеконтроле больших партий диодов.ристика диода снимается с помощью30Т эоров Коррект топ Т дрейк 8022/ аж 1073 дарственизобрет ЖР Зак ТирГосу делам сква Подписно омитета СС открытий я наб. д, ного к ений и ЦНИИП п113035 а Мс РД сЧВ /у%Филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул. Прое тная,серии импульсов малой длительностии большой скважности, имеющих линейнонарастающую амплитуду напряжения,Установка включает в себя генератор 1 серии...

Номер патента: 817819

Опубликовано: 30.03.1981

Авторы: Блесман, Бурлаков, Копылов, Люзе

МПК: H01L 47/02

Метки: активный, ганна, напряжением, управляемый, элемент, эффекте

...как в активной части 2 управляющего участка 8 площадь поперечного сечения и следовательно напряженность электрического поля уменьшается при удалении от катодного контакта 5, то на определенном расстоянии от него напряженность электрического поля в активной части 2 становится недостаточной для поддержания домена сильного поля, Вследствие этого домен, пройдя это расстояние, исчезает не доходя до анод- ного контакта 4. В это время домен сильного поля и активной области 1 продолжает свое движение к анодному контакту 3.После исчезновения домена сильного поля в активной части 2 в ней зарождается около катодного контакта 5 новый домен, который распространяется в поперечном направлении в активную область 1 со скоростью, намного превышающей...

Номер патента: 974305

Опубликовано: 15.11.1982

Авторы: Лукаш, Самойлов

МПК: G01R 31/26

Метки: ганна, диода, рабочего, слоя, температуры

...на границах рабочегослоя опредвляют по совпадению пороговых параметров импульсных вольт - амперных характеристик, измеренных соответственно при положительной и отрицательной полярностях импульсногонапряжения при внешнем нагреве диодас одноименными пороговыми параметрами при рабочем импульсном напряжениисмещения, измерительными с помощьюизмерительных импульсов той же полярности, после чего определяют для диода содносторонним отводом тепласредний градиент температуры в рабочем слое, а для диода с двухсторонним отводом тепла - тепловоесопротивление между границей рабочего слоя, на которую подан положительный рабочий потенциал греющегоимпульса напряжения и ближайшемтеплоотводящимэлектродом. Тепловоесопротивление самого...

Номер патента: 1051623

Опубликовано: 30.10.1983

Авторы: Нестюрина, Роздобудько

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: анодным, ганна, диодах, катодного, контакта, контактом, омическим, типа

...работоспособностипредлагаемого способа.Исследовались диоды Ганна, изготовленные на основе арсенидгаллиевойэпитаксиальной структуры типа и - ис концентрацией доноров .в и -области2-410 см , толщиной и областий8-10 мкм. Технология изготовленияконтактов указанных диодов включаласоздание катодного контакта типабарьера Шоттки, ВАХ которого несимметрична, и заведомо омическогоанодного контакта,В качестве источника света использовался лазер ЛГ-1 с длиной волны 0,63 мкм диаметром луча 400 мкм,и 30 мощностью излучения8 мВт.Диод Ганна облучали со стороныкатодного контакта сфокусированнымлучом Лазера. Фото-ЭДС регистрировали между анодным и катодным контакЗ 5 тами диода Ганна вольтметром постоянного тока. Измеренное значение разности потенциалов...

Номер патента: 1580519

Опубликовано: 23.07.1990

Авторы: Лебедев, Черний

МПК: H03B 9/12

Метки: включения, ганна, генератора, диоде, непрерывных, свч-колебаний

...СВЧ-колебаний на нем, которое было нарушено при понижении температуры ниже критической ТкрПричиной этого является также и то, что при старении диода Ганна впроцессе эксплуатации происходит деградация его параметров, при которой .снижается модуль отрицательной проводимости диода Ганна для фиксированной температуры его активного слоя,что приводит к уменьшению интервала рабочих температур со стороны более низких температур .В дальнейшем, после уменьшения напряжения питания до номинального значения, колебания генератора 1 на диоде Ганна не срываются.Устройство, осуществляющее способ включения генератора непрерывных колебаний на диоде Ганна, работает следующим образом.При подаче первичного напряжения на первый вход стабилизатора 2 напряжения...

Номер патента: 1204108

Опубликовано: 15.08.1991

Авторы: Марин, Пяткин, Шварев

МПК: H03B 9/12

Метки: ганна, генератор, диоде

...ПРИ З"О. .ЕРМО- нагисимый Олемецт ньполнен и Вице по- С."." лова Г :ЬНО ССЕди:ЕНН Стаб.гПГГро- сСВЫХГЕВНО, О Де 1 1 Е Ч 1 сГРЯЕ - гп 5 ПОДКЛЮгЕц К гнрБЫМ ВХОда;Пар НОГО 11 Б ОРОГО КОМагРВТОРОВ ВТОР,Е НХОД 1,1 КОТОЫХ ПО,1 КГП 0 ЕЦЫ СООГВСТСТВСП 1. К чКодам ь, Орс;гс и третего Везстп- ;ВО 5 ТЕнй ПацРжснпг, ВЫХОП ГЕРВО- го ком Каратора полклюен к уп, ан;1 ю.".м зле ктро: ",е 5:1 Ну 1 Вг;, тр .и 1 ф " Она ныхгзВ гррс 1 р сомпарато 1 ,К ЮгРП К гПРЯВЛ 5 НВ; ЕМУ ЗПС КТРО 5 КСЮгС:1 С О тРац:;От Ра, а КОВЛСЦСатОР чс-рез контакты р;е .О;ключс н парал- ЛЕЛЬНО П.ЕЧУ 1 ТОРОГО ЦЕ. ПГтЕЯ. ЕП ЕРа Тогй СОДЕК 1 Т ДИОД Г В 1111;1; ЛС СК . УП 5 анЛЕЦИ НВПРЯ:,ЕПППТс ць 5:11,. с; 1, н клю ю и пег, и 11 юптранзистор 3, пеон десптсл; напр- ц 5;, одцо пз:.леч...

Номер патента: 1676402

Опубликовано: 23.07.1992

Авторы: Караваев, Ткаченко, Уйманов

МПК: H01L 47/02

Метки: ганна, диод

...основнойчастоте,Поскольку в настоящих ДГ, по сравнению с ДГ работающими ца основнойЪ35частоте, частота генерации определяется уже це длиной активной области1., а периодом неоднородности е легирования, то, увеличивая длину активной области, цо оставляя период неод-нородности профиля легирования равным прежней длине активной области,на выходе можно получить СВЧ-сигналтой же частоты, но гораздо большеймощности. Т,е. для увеличения выходной мощности толщина активного слоянастоящего диода 1. должна удонлетоворять условию1(М. 1) ) ) 1,где 1, - толщина однородного активного50слоя,т.е. толщина активного слоя ДГ беэфступенек.11 ринедецные вьппе рассуждения наоснове 4 аэических представлений былипроверены расчетным путем, а именнометодом...

Номер патента: 747373

Опубликовано: 15.04.1994

Автор: Липин

МПК: H01L 47/02

Метки: ганна, диод

ДИОД ГАННА, содержащий активную область, выполненную в виде меза-структуры n+ - n - n+ на полупроводниковой подложке, два электрода, один из которых является теплоотводом, отличающийся тем, что, с целью уменьшения высокочастотных шумов, активная область выполнена в виде сотовой решетки, у которой периметр шестигранной ячейки не менее чем в 10 раз превышает ширину элементов, составляющих ячейку.

Номер патента: 1840125

Опубликовано: 27.06.2006

Автор: Борисов

МПК: G01R 31/00

Метки: ганна, динамической, диодов, емкости, эффективной

Устройство для измерения эффективной динамической емкости диодов Ганна, содержащее измерительный резонатор, источник питания диодов Ганна и измеритель частоты, отличающееся тем, что, с целью повышения точности измерений, оно снабжено источником постоянного смещения диода с p-n переходом, фильтром нижних частот (ФНЧ), генератором стандартных сигналов (ГСС), при этом выходы источников питания диода Ганна и смещения диода с p-n переходом через переключатель и ФНЧ соединены со входом измерительного резонатора, а выход ГСС соединен со входом измерителя частоты через указанный измерительный резонатор.

Номер патента: 1840284

Опубликовано: 27.08.2006

Автор: Борисов

МПК: G01R 31/26

Метки: ганна, диода, параметров

Устройство для измерения параметров диода Ганна, содержащее стабилизирующие элементы, входные и выходные зажимы, отличающееся тем, что, с целью исключения взаимодействия диода Ганна с измерительной схемой и повышения стабильности измерений, источник импульсного питания подключен к первичной обмотке трансформатора, вторичная обмотка упомянутого трансформатора подключена на вход ФНЧ, а выход указанного фильтра подключен к последовательно цепи; состоящей из диода Ганна и измерительного сопротивления, причем выходные зажимы подключены параллельно измерительному сопротивлению.