Лабунов

Номер патента: 1826815

Опубликовано: 27.03.1995

Авторы: Демчук, Лабунов

МПК: H01L 21/268

Метки: кремниевых, рекристаллизации, слоев

...40 50 55 слоя поликристаллического кремния формируется слой монокристаллического кремния с большой плотностью двойников, однородно распределенных по толщине.0 двойниковании в структуре свидетельствовало появление симметричных точечных рефлексов в электронограммах поверхности и характерного рельефа .травленной поверхности. При этом данный способ позволяет формировать микронные дендритные слои однородные по толщине и достичь поставленной цели,П р и м е р 2, В отличие от примера 1 длительность импульса лазерного излучения составляла 7 нс. Положительный эффект достигался.П р и м е р 3, В отличие от примера 1 длительность импульса лазерного излучения составляла 0,5 нс (лазер работал в режиме синхронизации мод). Положительный эффект не...

Номер патента: 1556076

Опубликовано: 07.08.1992

Авторы: Агабеков, Алексеев, Гудименко, Игнашева, Лабунов, Солдатов

МПК: C07D 265/38, G03C 1/72, H01L 21/312 ...

Метки: 9-диэтиламино-3-метакрилоилокси-5н-бензо, дицианметилен, качестве, литографии, сухой, термонапыляемого, феноксазин-5, фоторезиста

...ФРтолщиной 1,1 мкм (пример 2) обрабатывают ионами аргона с Е = 30 кэВ, Р = 110 ион/ /см, 1 = 50-80 мкЛ/см и помещают в установку плаэмохимического травления 08-ПХ 0-100 Т, где обрабатывают плазмой "Хладон" (СР) при следующих условиях: давление в камере 1 мм рт.ст мощность 1,8 кВт, ток 0,7 А, время травления 3 мцн, В этих условиях скорость травления, рассчитанная по изменению толщины пленки за Ю время воздействия плазмы, Ч = 100 А/ /мин. Селективцость транлеция, определяемая отношением скорости травления9810/Чб = 1000 Л/миц к скорости траволения маски, Б = 10. 25П р и м е р 14. Пластину 80 на КДБ-О,З с пленкой ФРтолщиной ,1 мкм (пример 2) облучают излучением лампы ДРЦ 1-000 (доза 8-10 Дж/см ) и помещают в установку илазмохимцческого...

Номер патента: 1536298

Опубликовано: 15.01.1990

Авторы: Кулеш, Лабунов

МПК: G01N 29/00

Метки: материале, наполнителя, содержания

...образцов пористых ма те иалов в момент соприкосновения контактирующей Ферромагнитной жидкости 3 образцов, чтобы жидкость не проникала в поры под действием капиллярных сию и не затрудняла измерений чистого 15 времени распространения ультразвука 1 с помощью систем 4 и 7 намагничивания Ферромагнитную жидкость удерживают непосредственно на поверхности образца 10, осуществляя лишь хороший акустический контакт между образцом и из- лучателем и приемником и, не изменяя акустических свойств образца 10 исследувмого материала,. Формула изобретения Способ определения содержания,наполнителя в материале, заключающийся в том, что с одной стороны образца материала возбуждают ультразвуковые колебания, с другой стороны образца принимают прошедшие через...

Номер патента: 1345209

Опубликовано: 15.10.1987

Авторы: Акулич, Бейтюк, Лабунов, Лубневский, Малиновский, Суходольский

МПК: G06N 7/08

Метки: автоматизированных, гибких, моделирования, производственных, систем

...в сну сае нупецс го с.остояния всех счетчик ов блока 5По окончании подготонки ц, вь;ходяблока 12 подгатовсл появляется импульс, поступающий кя вход о; ря)бг )гь -:вающего блаке( 13, нуммиующи: входреверсивного счетчи) а 5, вьц:лтякя(е(Г(зход реВерсивнОГО с(етчикя; и (ерез элемент И;И 15 - ня нули сй е;хечтриггера 7 аким Образ(м., п)екрец -ется поступление счетньх имп",льсовна блок 12 подготовки и нач,1.Яетсямоделирование фазы сбряботк):.:.уте(;запуска генератора )5 импгуль),св О)э.рабатывающего блока 13,Диффеенцирук)1115(й элемент 4 б вы;)ляет задний франт импул:. Са, з р)е:)у тате ш)"о на Вход б;ока 14 т;Виспа.;и;)анкия)(ит;п)1( ( я( Од )с) )ерсиВНО -го (чс т" к яе 1)1(" ) (ьп( Вф Од трие;я) 8 и э(с-ме:Г 2 б задержки блокяб...

Номер патента: 1336122

Опубликовано: 07.09.1987

Авторы: Лабунов, Суходольский, Урбанович

МПК: G11C 29/00

Метки: запоминающее, коррекцией, ошибок

..."4",Например, проверочная матрица Нкода при К = 8 имеет вид:11101001 1000010011011 01000Н= 01011100 0010000110111 0001011100110 00001При К = 8 необходимо г+1=5 проверочных символов. При возникновенииодной ошибки синдром имеет нечетныйвес (число единиц) а при возникновении двойной - четный,Устройство работает следующим образом,Режим работы, На входах 26 - информация, подлежащая записи в накопитель по адресу 8, На основанииэтого шифратор 5 вырабатывает проверочные символы, Кодовое слово, состоящее из информационных и проверочных битов по входам соответственно2 и 3 записывается в накопитель 1На этом цикл записи заканчивается.Режим считывания. На входе 6 устройств - нулевой сигнал. Считываемыеиз накопителя информационные и проверочные...

Номер патента: 1331462

Опубликовано: 23.08.1987

Авторы: Гринкевич, Жаров, Кривошеин, Кузнецов, Лабунов, Молотков, Рогальский, Суходольский

МПК: A01K 41/00

Метки: автоматическая, инкубаторов, работы

...когла длина исходной двоичной послеловательцости не п рень шает 2" = 40)6 бцт. При этом несколько выходов параллельной инфорчации регистра 20 слвига с обратцычи связяль завелены на вхолы схмчатора 2 ььо молхлю лва.Принцип формирования спгььатуры лвенальатиразрялцыч регистроч слвига выхоьы четвертого, восьмого и лвеналпатоь о разрялов которого заведены на вход сумчатора и чолулю лва (К = 3) лля вхолцой лвоичцой псслеловательцости 11 О 0001 000 Н) О ллицой лвалпать бит поясняется таблиьй.):33462 родолжеие таблицы2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 О 1 1 1 1 О 1 1 О 1 1 0 1 1 1 1 О 1 1 О 1 1 О 1 1 1 1 О 1 1 О 1 1 О 1 О 1 1 О 1 1 О 1 1 О 1 О 1 1 О 1 1 О 1 1 О 1 О О 1 О 1 1 О 1 1 О 1 О О 1 1 1 1 О 1 1 О 1 О О 1 1 1 15 16 17 18 19 Кджля строка таблицы...

Номер патента: 1147767

Опубликовано: 30.03.1985

Авторы: Безелянский, Грицай, Гурский, Курмашев, Лабунов, Тучковский

МПК: C23C 18/34

Метки: алюминия, никелированием, поверхности, подготовки, раствор, сплавов, химическим

...и образование нерастворимыхв холодной воде солей карбоновыхкислот с алюминием, что предохраня -ет поверхность последнего от окисления при переносе изделий в ваннухимического никелирования. При погружении подложки в раствор химическогоникелирования происходит растворениезащитной пленки солей карбоновых кислот (при температуре выше 50 С) иосаждение никеля по всей поверхности.Обработка алюминия и его сплавовв предлагаемом растворе позволяет,таким рбразом, улучшить равномерностьбсаждаемых покрытий, повысить их адгезию к подложке и снизить пористость. Ввиду отсутствия растравливания подложки данный раствор применимдля обработки деталей точных размеров и тонких алюминиевых пленок, атакже изделий с нанесенным позитивным...

Номер патента: 1124258

Опубликовано: 15.11.1984

Авторы: Гусев, Еремин, Лабунов, Маев, Радионов, Сокол, Чмель

МПК: G05B 23/02

Метки: напылении, осаждения, пленок, скоростью, толщиной, тонких

...- функциональная схема анализатора сбоев, нафиг. 3-5 - временные диаграммы работы устройства при исправном кварцевом датчике и отсутствии сбоев по цепи последнего, при сбоях его поиз счетчика 4 в счетчик 6 и установт ку счетчика 4 в нулевое состояние. Триггер 8 служит для блокировки входных ключей 3 и 5 на время перезаписи информации. Формирователь 11 временных интервалов времени обеспечивает синхронизацию всего устройства и вырабатывает импульсы переноса (выход 1) и импульсы предварительной установки (выход 2), Входы 1 и 2 ключа 13 являются управляющими, а вход 3 - информационным. Задатчик 14 скорости осаждения (напыления) и ее допуска служит для задания требуемой скорости осаждения и ее допуска и представления этой инФормации в...

Номер патента: 1114709

Опубликовано: 23.09.1984

Авторы: Данилович, Короткин, Лабунов, Чепиков

МПК: C23C 15/00

Метки: вакууме, двухсторонних, нанесения, покрытий

...расположенные непосредственно на ближайшем относительно источникаучастке транспортера, и через окна между подложкодержателями - на другую сторону подло-.жек на Обратном участке транспортера.55Покрытие наносится из одного и того жеисточника материала, что позволяет получитьдвухсторонние покрытия с идентичными свойствами и характеристиками, т, е. однородными по составу.На фиг. 1 приведена принципиальная схема устройства; на фиг, 2 - его поперечное сечение.Устройство для нанесения покрытий в вакууме состоит из вакуумной камеры 1, включающей источник 2 наносимого материала и замкнутый транспортер 3 с подложкодержа. гелями 4., Транспортер 3 выполнен в виде двух замкнутых, расположенных в параллельных плоскостях, цепей 5, между...

Номер патента: 1087779

Опубликовано: 23.04.1984

Авторы: Карпов, Квасов, Корешков, Лабунов, Полонин, Прохоренко

МПК: G01H 13/00

Метки: механических, напряжений, пластине, полупроводниковой

...циклов, измеряют амплитуду Е деформации поверхностного слоя и ширину динамической петли гистерезиса и рассчитывают механичес- кие напряжения по формуле гНедостатком способа является низкаяточность контроля, обусловленная неодородностью определения величины механических напряжений, зависящей от жест-кости заделки контролируемого образца,Наиболее близким к изобретению является способ контроля механических 5 напряжений в полупроводниковой пластине,заюпочаюп 1 ийся в том, что возбуждаютизгибные колебания полупроводниковойпластины и измеряют первую и вторуюрезонансные частоты, по которым вы- О числяют искомые параметры Г 3,1.Недостатком способа является низкаяточность контроля, обусловленная зависимостью результатов контроля от жесткости...

Номер патента: 1071456

Опубликовано: 07.02.1984

Авторы: Лабунов, Паркун, Сокол

МПК: B41J 3/20

Метки: головки, создания, термопечатающей

...номинала резисторов.На Фиг. 1-5 изображены отдельные этапы создания тонкопленочной печатающей головки. На диэлектрическую подложку 1 Гфиг. 1) наносят слой резистинного материала 2, затем слой электро- проводящего материала 3, получают требуемый рисунок этих слоев (фиг.2), наносят маскирующий слой 4 (Фиг.З), после чего анодным электролитическим окислением переводят открытые участки электропроводящего слоя полностью в окисел 5 (Фиг. 4), а резистинного слоя частично н окисел б (Фиг, 4) и удаляют маскирующимислой фиг. 5 .20 П р и м е р 3. На ситалловыеподложки СТ-1 методом реактивногокатодного распыления на постоянном 60токе в атмосфере азотана установкеУРМЗ.279.013 наносят слой Тай. толщи"ной 1100 1, после чего наносят слойА 1 толщиной 1,5...

Номер патента: 985823

Опубликовано: 30.12.1982

Авторы: Лабунов, Шух

МПК: G11B 5/30

Метки: головка, магниторезистивная

...4, встроенный во вспомогательный зазор магнитного сердечника 3, проводник 5 смешения, размещенный под воспроизводящим магниторезистивным элементом 4, подкладку 6, размещенную 5 в рабочем зазоре магнитного сердечника 3, дополнительный магниторезистивный элемент 7, основной и дополнительный резисторы 8 и 9 и усилитель 10 вос произведения, Общая точка резисторов 8 26 и 9 подключена к источнику 11 напряжения.Магнитная головка работает следуюнпм образом.Магнитный поток носителя 12 замы. кается через магнитный сердечник 3 и магниторезистивные элементы 4 и 7, При протекании через магниторезистивные элементы 4 и 7 тока детектирования от источника 11 сопротивление магннторезис- ЗО тнвных элементов 4 и 7 меняется и соответствии с магнитным...

Номер патента: 964881

Опубликовано: 07.10.1982

Авторы: Гранкин, Каштанов, Кузнецов, Лабунов, Махотин, Нуждин, Прохоров, Решетников, Сокол, Сычков

МПК: H02K 24/00

Метки: многослойной, обмотки, печатной

...заключающийся в последовательном изготовленииотдельных печатных слоев и включающий операции нанесения слоя металла, получения фотоотпечатка, являющегося защитной кОнтактной маской на поверхности слоя, хнмической обработки металла слоя, при которой участки фольги, незащищенные фоторезистом,.удаляются, и на,несения изоляционной пленки между слоями проводников (2)В, П, Гранкин, М. ф. Каштанов, Л. Я. Кузнецо В.А. Лабунов, Н.Д. Махотин, И.М. Нуждин, ВСЕСОЮЗНАЯ В. Н. Прохоров, Ю, В. Решетников, В. А. Сокол и И.И. СычковТЕХНИЧКИ)(964881 формула изобретения 4 Ьг Фиг. Г Тир 21 одписное Заказ 7682 НИИ Проектная 4 ППП"Патент",фил ужгород вакуумного напыления слой алюминия толщиной 1-3 мкм и подвергают его сквозному химическому анодированию...

Номер патента: 959150

Опубликовано: 15.09.1982

Авторы: Лабунов, Назаренко, Пристрем, Шух

МПК: G11B 5/30

Метки: головки, магнитной, магниторезистивного, элемента

...анодного окисла алюминия 10, анодируют участки слоя алюминия 8 на всю его толшину до поверхности барьерного слоя 5 с образованием диэлектрического слоя пористого анодного окисла алюминия 12 (фиг, 8). Удаляют фоторезист 11 и проводят обработку лазерным излучением поверхности изготовленной структуры магниторезистивного элемента (см. фиг. 9 и 10). Длина волны лазерного излучения должна соответствовать полосе поглощения металла барьерного слоя 5, а плотность энергии лазерного излучения должна обеспечивать возможность протекания реакции окисления металлабарьерного слоя 5 внедренными в него в процессе ионного легирования ионами кислорода, а также отжиг дефектов в пролегированных участках барьерного слоя 5. Благодаря оптической...

Номер патента: 902060

Опубликовано: 30.01.1982

Авторы: Лабунов, Сурганов

МПК: G11B 5/12

Метки: головка, интегральная, магнитная

...5 против третьей магнитной пленки 6 с возможностью формирования совместно с последней рабочего зазора. Магнитная головка содержит также дополнительные магнитные пленки 7, размещенные одна над другой столби902060 формула изобретения 8 8 8 Составитель Е Техред А. Войк Тираж 623 Государственного ком елам изобретений и о сква, Ж - 35, Раушска Патент, г. Ужгород, Роза нос рректор А. Ференцдписное едактор Н. Ковалеаказ 239/61ВНИИПпо113035, МФилиал ППП тета СССР крытий на 6 д 4/5 л. Проектная, ками соответственно между первой и второй магнитными пленками 3 и 4 и между первой и третьей магнитными пленками 3 и 6.Кроме того, интегральная магнитная головка содержит слои 8 анодного пористого оксида алюминия 8, выполненные с отверстиями и вырезами и...

Номер патента: 879664

Опубликовано: 07.11.1981

Авторы: Лабунов, Можухов, Сокол, Уваров

МПК: H01G 4/10

Метки: конденсатор, неполярный, тонкопленочный, трехуровневый

...сквозное пористое анодное окисление слоя А 1, окисляя всю его толщину в участках, незащищенных фоторезистом и плотным анодным диэлектриком А 0 5, При этом формируется часть вспомогательного пористого анодного диэлектрика А 0 7, окружающего по периметру трехуровневую структуру. После этого, не снимая второй фоторезистивной маски, проводят еще одно электролитическое анодное окисление незащищенных участков, но уже в электролие для плотного анодирования, При этом происходит формирование слоев плотного анодного диэлектрика,13 за счет бокового анодного окисления А торцов нижнего электрода 2 и его контактной площадки 8, примыкающих к вспомогательному пористому анодному диэлектрику 7, и частичного заполнения пор элементарных ячеек пористого...

Номер патента: 862204

Опубликовано: 07.09.1981

Авторы: Лабунов, Шух

МПК: G11B 5/30

Метки: головка, магнитнорезистивная

...поверхность,участок 9 разделительного диэлектрического слоя пористого анодного акис"ла металла, расположенногомежду эквипотенциальными проводящими полосками б и равного по толщине сумметолщины этих полосбк и верхнегодиэлектрического слоя 4. Токоподвадк магниторезистивному элементу 5 осу-,ществляется с помощью токоведущихдорожек 10, концы которых выведенык"контактным площадкам К и К. Всяпленочная структура расположена надиэлектрической.подложке 11,Магниторезистивная головка работает следующим образам,Под действием сигнального магнитногополя, создаваемого носителеминформации, вектор намагниченностимагниторезистивного элемента 5,ориейтированный вдоль длины этого элемента, поворачивается на некоторый угол,пропорциональный величине...

Номер патента: 851464

Опубликовано: 30.07.1981

Авторы: Гиро, Курмашев, Лабунов, Шух

МПК: G11B 5/30

Метки: головка, магниторезистивная

...поля У, и с частотой, равнойчастоте этого поля. При протеканиичерез элемент 1 постоянного электрического тока ., изменение ориентациивектора И относительно ориентации- ,эвектора 1 на некоторый угол 6поддеиствием сигнального магнитного поляН вызывает изменение удельного электрического сопротивления ферромагнитного материала, из которого выполнен магниторезистивный элемент 1по закону:,р=э Ь Со 03, ( 1)О40где Д - удельное электрическое сопротивление Ферромагнитногоматериала магниторезистивного элемента,з - его изотропное удельное элек трическое сопротивление,- удельное электрическое магнитосопротивление,8 - угол между векторами М иТак как зависимость величины выходного сигнала элемента 1 от величины сигнального магнитного поля Н...

Номер патента: 849295

Опубликовано: 23.07.1981

Авторы: Лабунов, Шух

МПК: G11B 5/30

Метки: головки, магнитной, магниторезистивныйэлемент, самосмещающийся

...анизотропного магниторезис 20 тивного материала 2, расположенные на ее поверхности под углом 45 к оси ее легкого намагничивания эквипотенциальные проводящие полоски 3, изготовленные из алюминия, покрытые сверху защитным диэлектри- и ческим слоем 4 плотного анодного окисла алюминия и изолированные между собой разделительным диэлектрическим слоем 5 пористого анодного окисла алюминия.Толщина разделительного диэлектрического слоя 5 равна суммарной толщине эквипотенциальных проводящих полосок 3 и защитного диэлектрического слоя. Концы полоски анизотропного магниторезистивного материала 2 с помощью токоведущих дорожек 6 и 7 выведены к контактным площадкам 8 и 9. Для реализации самосмещающегося магниторезистивного элемента применен...

Номер патента: 809434

Опубликовано: 28.02.1981

Авторы: Баранов, Калошкин, Карелин, Лабунов, Сергеев, Хитько, Черных

МПК: H01L 21/306

Метки: иустройство, пластин

...влаги обеспечивается за 2 мин. Превышение вре 15 мени сушки больше 2 мин. нецелесообразно иэ-за увеличения длительностипроцесса.На чертеже изображена головка,как часть всего устройства, для обЩ работки одной полупроводниковойпластины.Головка-состоит иэ токопроводящего вала 1 с насадкой 2, Корпусаголовки 3 с внешней насадкой 4. Вал1 имеет основной канал 5 с радиальными, горизонтально расположеннымив конце канала отверстиями 6 и кольцевыми проточками 7 для вакуумныхуплотнителей. На конце вала 1 имеется буртик 8 для опоры на подшипник9 и шестерня или шкив 10 для придания валу вращения. На противоположном конце вала имеется насадка 2 сотверстиями 11, сообщающимися сосновным каналом 5, Вал 1 и насадка2 выполнены из токопроводящегоматериала,...

Номер патента: 767239

Опубликовано: 30.09.1980

Авторы: Белко, Кравченко, Лабунов, Тарасик

МПК: C25D 11/08

Метки: алюминия, анодирования, раствор

...пор оксида газом, что ведет к увеличению потенциала формовки и к пробою окисной пленки, а следовательно, к прекращению ее роста. С целью стабилизации потенциала Формовки и повышения толщины окисной 20 пленки предлагаемый электролит дополнительно содержит изопропиловый спирт при следующем соотношении компонентов, вес.%:Ортофосфорная 2 кислота 5-12 Серная кислота 0,4-2Лимонная кислота 1-7Изопропиловый спирт 5-50 Вода Остальное В оптимальном режиме в течение 15 мин наблюдается линейная. зависимость в скорости роста пленки, а в,767239 Состав Компоненты,вес.Ъ Ортофосфорнаякислота 5 8,5 1,2 Серная кйслота 0,4 Лимонная кислота Изопропиловый спирт. 50 29 527,588,6 41,2 Вода Свойства Температура, С 20 25 30 Напряжение Формовки через одну минуту...

Номер патента: 712467

Опубликовано: 30.01.1980

Авторы: Баранов, Белко, Кравченко, Лабунов

МПК: C25D 17/06

Метки: химической, электрохимической

...что устройство снабжено цилиндром, установленным коаксиально корпусу и соединенным с нагнетательной установкой.На чертеже изображено предлагаемоеустройство.Устройство содержит цилиндр 1, установленный коаксиально корпусу 2, выполненному в виде стакана, шток 3 с вакуумнымприсосом для крепления обрабатываемойдетали 4, подъемное устройство 5, катод 6,электролитическую ячейку 7; ввод 8 термостабилизирующего газа и ввод 9 осушенного воздуха.Работа устройства заключается в следующем.Анодируемую деталь 4 нерабочей стороной притягивают к штоку 3 с вакуумнымприсосом и удерживают с помощью вакуума. Через ввод 9 подают осушенный воздухи с помощью подъемного устройства 5 деталь 4 рабочей стороной приводят в соприкосновение с электролитом,...

Номер патента: 669253

Опубликовано: 25.06.1979

Авторы: Кравченко, Лабунов, Лыньков, Томилин

МПК: G01N 1/28, H01J 37/26

Метки: микроскопии, образцов, приготовления, тонкопленочных, электронной

...следующим обез ожку,енную по цоликора итапл логенсодержашую да, насышают пора ми галогенов, нкую диэлектримого материала. ки ион верхность по после чего о даю ленку исспеду Р(54) СПОСОБ ПРИГОТОВЛЕНИЯ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХОБРАЗЦОВ ДЛЯ ЭЛЕКТРОННОЙ МИКРОСКОПИ6692534ший разряд постоянного тока Щ, =1100 В,;/ =100 мА) и насыщают подложку иона-ми рабочего газа в течение 5 мин. После чего подложку переводят на позициюнапыления, прекрашают подачу рабочегогаза, откачивают вакуумный обьем додавления 510 тор и напыляют тонкуюдиэлектрическую ппенку 5 О. Затем включают нагреватель подложек, нагреваютоподложку с пленкой до 55+5 С температуру контролируют с помощью термопарного датчика), при этом происходит отслаивание пленки.Таким же образом осаждают...

Номер патента: 667902

Опубликовано: 15.06.1979

Авторы: Лабунов, Михайлов, Сокол

МПК: G01R 17/10

Метки: величины, корректировки, резисторов, сопротивления, токовой, тонкопленочных

...7 через измерительный резистор 8поступает на корректируемый резистор 1. Величина электрической мощности, рассеиваемая на кор.ректируемом резисторе 1, измеряется при помощиизмерителя 9 мощности, а сигнал, пропорциональный величине указанной мощности с выхода измерителя 9 поступает на вход блока 21 вычисленияприращения мощности и в зависимости от состояния триггера 20 через ключи 16 и 18 - на входзапоминающих устройств 17 и 19,В результате рассеивания электрической мощ. ности на резисторе 1 он разогревается, при этом, его сопротивление изменяется, что приводит к изменению величины разбаланса мостовой измернг тельной схемы 2 и к соответствующему измене. нию сигнала на выходе усилителя - детектора 3, Величина этого изменения...

Номер патента: 659963

Опубликовано: 30.04.1979

Авторы: Катернога, Лабунов, Михайлов, Сокол

МПК: G01R 17/10

Метки: величины, корректировки, резисторов, сопротивления

...контакта 27 к выходу детектора 8, закрываются ключи 18 и 15 и открывается ключ 12. При этом напряжение от источника 11, снимаемое с резистора 3, фильтра 9 и резистора 10, поступает на вход интегратора 29, состоящего из усилителя 13 и интегрирующего конденсатора 14. Линейно-возрастающее напряжение с выхода интегратора поступает на вход источника 16, с выхода которого увсличиваюшсеся напряжение корректировки через фильтр 17 подается на резистор 5. Так как сопротивление фильтра 9 пренебрежимо мало по сравнению с сопротивлениями резисторов 3 и 10, то напряжение, поступающее на вход интегратора является пропорциональным сопроттлвлению резистора 3, Следовательно, пропорциональной сопротивлению резистора 3 оказывается и скорость увеличения...

Номер патента: 658626

Опубликовано: 25.04.1979

Авторы: Голомако, Курмашев, Лабунов, Петрович

МПК: H01L 21/316

Метки: анодирования, электролитического

...Ферми, тем выше скорость окисления, и йаоборот, Есди разность в иопожении уровня Ферми в п и р- обпастях не 45велика, то и разность в скоростях окисления этих областей также будет невепика. Вследствие этого контрастностьиопучаемого иэображения может оказаться50недостаточной дпя надежного фиксирования границы р-и переходаКроме того,изготовленный шпиф имеет мехеническинарушенный спой, который даже ири комнатной температуре является эффективнымЯисточником электронов и дырок. Указанная причина может привести к тому, чтоскорости окисления р и и областей могутстать очень бпизкими ипи даже сравнятьПосле проведения процесса анодирования попученный окисеп полностью удаляется погружением шпифа в ипавиковую кислоту, и процесс анодирования...

Номер патента: 632991

Опубликовано: 15.11.1978

Авторы: Лабунов, Можухов, Родионов, Сокол

МПК: G05D 5/03

Метки: металлических, нанесением, пленок

...в процессе нанесения, а управляющее воздействие на источник наносимого металла формируют по отношению приращения проводимости металлической пленки к приращению массы,Принципиальное отличие предложенного способа управления нанесением металлических пленок от известного заключается в том, что, в ссютветствии с предложенным способом, на протяжении всего процесса нанесения пленки осутцествляют непрерывную коррекцию уиравляющуго сигнала с учетом зада ваемой закономерности изменения отношения приращения проводимости и массы наносимой пленки. Обеспечение поддержания во времени заданного соотношения приращения проводимости (структурно-чувствительного параметра) и приращения массы (геометрического параметра - приращения толщины) позволяет...

Номер патента: 627409

Опубликовано: 05.10.1978

Авторы: Гаврилов, Лабунов, Смирнов

МПК: G01R 11/34

Метки: ампер-часов, счетчик

...в качестве окислительной среды использован химически активный газ.На чертеже представлена схема счетчика.устройство содержит гермет ый корпус 1, дополнительные электро 3, источник независимого высоког ряжения 4, рабочие электроды 5,6 гистратор 7.Устройство работает слейразом, Подачей высокого напот источника 4 к электродам627409 Формула изобретения ремейкинКорректорЛ.ВПодписноеСовета Иинистрон открытий оставитель Б,Вехрец К.Гаврон Редак Заказ Б т асилие 09,4 3 ЦНИИПИ Государ по 1130351112о комитетазобретеннЖРауш тир твенн делам Осе(в а ка Филиал ППП фПатент, г, Ужгород, ул, Проектная,метичном корпусе 1 возбуждается газо- разрядная кислородная плазма.На алюминиевом рабочем электроде при пропускании измеряемого тока Евследствие...

Номер патента: 620986

Опубликовано: 25.08.1978

Авторы: Лабунов, Можухов, Сокол, Хлыстов

МПК: G06G 7/20

Метки: извлечения, квадратного, корня

...мостов напряже ние разбананса в выходной диагонапиУф Е и напряжение на эталонном резисторе.соответственно опредепяются выражениями9 "ОпмцЭПодставняя в выражение 5 значения йи 3, взятые соответственно из вы-, ражений 1 и 3 получим, решая выражение 5 относительно Ц гзакон изменения напряжения в диагонали питания неуравновешенного резистивного моста 1, при котором выпопь;ется условие (3);Ц=2 Б ,Ь Ю). (6)соАналогично, подставцяя в выражение 4 значения Л я цЦ, взятые из выпьражений 3 и 6, понучим с учетом выражения 2, чтоВыражение 7 дает веничицу напряжения, котороесравнивается в блоке 6сравнения с напряжением на входе устрой-,10ства,Как топько 3 станет равным О т, е,выпонняется условиерост напряжения на выходе управпяемого...

Номер патента: 604003

Опубликовано: 25.04.1978

Авторы: Лабунов, Можухов, Сокол, Чукаев

МПК: G06G 7/16

Метки: деления, напряжений

...сигнал О- О Ф О, который является управляющим для генератора линейногонапряжения 7, и последний, например,интегрирует его в течение промежутка 60времени, пока не установится равенство напряжений на обоих входах второго блока сравнения 6, т.е. О = ОИнтегрирование раэностного сигналаО - О приводит к появлению и возраста1 нию напряжения О на входе линейного преобразователя 2 напряжение - сопротивление и соответственно к изменению сопротивления Я х плеча, которое определяется выражением 1 - "ОэтЬгде - постоянный коэффициент пе 9 тредачи линейного преобразователя 2 напряжение - сопротивление.В этом случае баланс неуравновешенного реэистивного моста 1 нарушается.Рассмотрим два случая, когда напряжение делителя О равно нулю и отлично от...