Патенты с меткой «ионной»

Номер патента: 43971

Опубликовано: 31.08.1935

Автор: Воропонов

МПК: H01J 17/36, H01J 9/44

Метки: анодным, ионной, лампы, током

...способа, Лампа имеет центральнакаливаемый катод К, цилиндрийй анод А и расположенную меж:ими управляющую сетку 6 Между:сеткой и анодом расположены дочные сетки 6, и 6 из коих сетказарйжена отрицательно относино катода К, а сетка 6, имеетнциал, несколько больший потена анода,1 лектронЫ движутся от катода К,тке 6 з со скоростями, недостаточи для йойизации газа, В пространмВжду сетками 6 з и 6 з на некото.м участке (меньшем расстоянииду ними) электроны будут обласкоростью, оптимальной для иониит между этими участок бодного столкно. за мала, низации ками 6,в проанодом что ве.проме.иода Аменьт ионижду сет. ет изоб ЙЙЙЗЙ "1 Ю зации (максимуМ ле 4 кт 1 дии 62 и О)Однако, так как указанный: моя и много меньше длины сво;пухи электрона, то...

Номер патента: 107388

Опубликовано: 01.01.1957

Авторы: Васильев, Елинсон

МПК: H01J 1/304

Метки: автоэлектроны, бомбардировки, ионной, металлических, острий, уменьшения, эммитирующих

...протннпленностн СССР щий практически все образованн.1 е в обьемс понь 1 остаточного газа,Расст 05 ние От доно;1 ние ьноО электрода до анода в око 1 сантиметра. Острие катода, проходящее через отверстие в аноде, должно быть на уровне поверхности анода,Рясно ожсние электродов показано пя чертеже. При подобном их расположении и потенциале дополнительного электрода меньшем потенция га анода и близком к потенциалу ке ода конфигурация силовых линий элект 1 з 1 П 1 еского ИОля соответствует картине силового поля, изобраткепной на чертеже. При этом почти все ионы попадают на дополнительный электрод, а авто- электроны веером расходятся от отверстия в аноде и попадают на анод. Подбирая потенциал дополнительного электрода можно добиться такого...

Номер патента: 126292

Опубликовано: 01.01.1960

Авторы: Барам, Вассерман

МПК: G01N 27/42

Метки: ионной, коллоидной, растворах, силикатов, соотношения, форм

...с теориеи и практикой разнообразных применений силикатов. Использование описываемого способа позволяет, например, предсказать возьтожттость подтученгтя адсорбционных и хитиических соединении силикатов при осаждении их из водных растворов щелочных силикатов, выбрать условия для проведения реакнии в хелаемом направлении, определить оптимальные условия процесса выделения 5102 на аноде при эгтетстродкттзе жидкого стекла и т. д.Способ осуществляют Электрогнгтичеет-(н н о результатах судят,сравнивая кодтичество электричества, фактически затраченное на процесс выделения двуокиси креътния на аноте, с тем количеством Электричества, которое требуется теоретически для вьтделения всего крелмння из исследуемого раствора.Для определения соотношения...

Номер патента: 139022

Опубликовано: 01.01.1961

Авторы: Зинченко, Моторненко

МПК: H01J 29/74

Метки: вакууме, высоком, ионной, потока, фокусировки, электронного

...Вследствие уменьшения осевой скорости электронов их плотность на единицу длины пучка увеличивается. С другой стороны, вероятность ионизации молекул остаточных газов по мере уменьшения величины осевого потенциала возрастает и, как известно, имеет максимум при потенциале 1=100 в для азота.В силу этих причин при определенном градиенте осевого потенциала может иметь место полная нейтрализация отрицательного заряда в каждом поперечном сечении пучка.При оптимальном угле инжекции пучка в пространство с замедляющим полем можно получить пучок цилиндрической формы,139022 Предмет изобретения Способ ионной фокусировки электронного потока при высоком вакууме, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью упрощения электронно-оптических систем,...

Номер патента: 177144

Опубликовано: 01.01.1965

Автор: Тищенко

МПК: G01N 27/416

Метки: датчик, ионной, концентрации

...подключснием датчика в колебательный контур генераНа чертеже изображен один из возможных 2 вариантов выполнения предлагаемого датчика погруженного типа,Датчик представляет собой полупроводниковую управляемую поверхностную емкость - варикапу, одним электродом которой является 2 пластина 1 любой формы из электродного стекла, химический состав которого соответствует определяемому в растворе иону. Вторым электродом варикапы служит металлическая пластина 2, изолированная от исследуемого раствора. Между электродным стеклом и металлическим электродом располагают пластину 8 из полупроводникового материала р- или п-типа, например нз карбида кремния, На поверхность полупроводниковой пластины, обращенную к электродному стеклу, наносят тонкий...

Номер патента: 221843

Опубликовано: 01.01.1968

Автор: Тищенко

МПК: G01N 27/22, G01V 3/24

Метки: ионной, концентрации

...емкость которого модулируется входным сигналом датчика, погруженного в исследуемый раствор. Полученную разностную частоту сравнивают с частотой звукового генератора, получая частоту вторичных биений, которые являются носителем информации об изменении рН и ЕН, например в скважине. Девиация часг .1 Стоты определяется по формуле Л=2 С,1по формуле= - ; ЛС - вел2 л 1 1,.С,приращения емкости контура р - т-перехода С 0. Частотный разбаланс (девиация частоты) одного автогечератора прямо пропорционален емкости р - л-переходов диодов, включенных в колебательный контур, которая, в свою очередь прямо пропорциональна ионной концентрации или окислительно-восстановнтельному потенциалу стандартного или исследуемого раствора.При разностной частоте Р=0 -...

Номер патента: 241196

Опубликовано: 01.01.1969

Автор: Носков

МПК: C23C 14/02

Метки: ионной, нанесения

...общий вирд устройства,Газоразрядная камера выполнена в виде кольцевой полости, образуемой цилиндриче. ским анодом 1 и двумя кольцевыми плоскими электродами 2, электрически соединенными с обрабатьвваемой деталью 3 и вьсполнятощими одновременно роль полого катода.Газораврядная камера помещена в поле мапнитов 4. При давлении 10 " - 10 4 мм рт. ст., напряженности, мапни пного поля 0,03 - 0,04 мл и 1 напряжении 0,5 - 10 кв в газоразрядной,камере зажигается тлеющий разряд. Ионы, образовавшиеся в тлеющем разряде, устремляются к катоду, бомбардируют внутреннюю поверхность детали, очищая ее от загрязнений. Для нанесения металлических покрытий повышают потенциал аиода, выполненного из материала покрытия. При этом температура анода достигает...

Номер патента: 356595

Опубликовано: 01.01.1972

Автор: Мусхелишвили

МПК: G01R 27/22

Метки: ионной, электропроводности

...- активная составляющая и 1 о - реактивная составляющаятока через этот объект. Диаграмма построена 2для цепи, содержащей измеряемый объект исоединенное последовательно с ним активноесопротивление Ро, к которой приложено переменное напряжение У синусоидальной формыпостоянной частоты,Если фазу напряжен Реализация предложенного способа возможна с помощью схемы, показанной на фиг. 2, работающей следующим образом.Переменное напряжение постоянной частоты и амплитуды от генератора 1 через трансформатор 2 подается на измеряемый объект д, последовательно с которым включен резистор 4 (Яо). Параллельно измеряемому объекту включен потенциометр 5, сопротивление которого много больше сопротивления измеряемого объекта. Напряжение на движке...

Номер патента: 489944

Опубликовано: 30.10.1975

Авторы: Гуревич, Кирштейн, Ярмола

МПК: G01F 1/00

Метки: жидкостей, ионной, проводимости, расхода

...жидкости турбулентными пульсациями скорости жидкости. Эти способы реализуются с помощью датчика, представляющего собой две пары металлических электродов, расположенных в диэлектрической трубе, контактирующих с жидкостью и смещенных друг относительно друга по потоку, Выходное напряжение с электродов подают на вход корреляционной схемы измерения расхода, где оно обрабатывается и преобразуется в сигнал, пропорциональный расходу.Однако измерение сопротивления требует пропускания через жидкость электрического тока, а при малых удельных проводимостях жидкости напряжение, необходимое для создания нужного тока, может оказаться очень высоким, что недопустимо во взрывоопасных условиях. Специальное конструкторское бюро магнитной гидродинамики...

Номер патента: 502768

Опубликовано: 15.02.1976

Авторы: Божков, Смирнов

МПК: B32B 27/00

Метки: аппаратов, диафрагма, ионной, флотации

...ляется ования личесмате- лада- дисвляет юбого ргиру Формула бретения 0 Диаф из пори ся тем рующей 5 слоя по стым слв ионной фло , отличаюышения дисиз поверх апокрыта го материал гму выз пориорошка стекла, роплас- лностью агма для аппара того фторопласт что, с целью п способности, од истого фторопла ем из гидрофил тации щая- пергин остей пори- а. ст но Изобретение относитсяталлургии и технологииа именно к диафрагмамной флотации.Для создания в жидкостях потока тдисперсных пузырьков газа (воздуха)стоящее время используются стеклфильтры или пористые металлы и полНедостатком стеклянных диафрагм явих хрупкость и невозможность использв аппаратах большого диаметра. Металкие пористые пластины нестойки в рярессивных сред. Пористые...

Номер патента: 333634

Опубликовано: 25.07.1978

Авторы: Жуков, Зайцева, Липинецкий

МПК: H01J 37/20

Метки: ионной

...с фиксатором 12, закрепленньи на раме. Фиксатор 1(2 входит в зацепление с диском 13, установленньм на ведомом вале транспортера. Транспортер состоит из двуи цепей, натянутых между двумя МГарами, звездочек 14 и 15, опоры валов которых закреплены в раме. К цепям с определенньм шагом прикреплены333634. ЦНИИПИ Заказ /3945 Тираж 960 одписное Филиал ППП Патентф, г.ужгород, ул подвески для крепления кассет с обрабатываемыми деталями. С рабочей стороны устройства расположено окно .прикрываемое дверцей )6 с зондами для контроля ионноготока.,Шаг креп- . ления подвесок определяется размера-. ми обрабатываемых деталей.устройство устанавливается в вакуумную камеру 17 электромагнитного сепаратора с источником ионрв . Загрузка или разгрузка...

Номер патента: 644789

Опубликовано: 30.01.1979

Авторы: Абдуллаева, Сайфуллина, Стемпневская, Ташмухамедова

МПК: C07D 323/00

Метки: 11-диена, 12дибензо-1, биологических, гексаоксациклооктадока-2, диацильные, ионной, качестве, мембран, производные, проницаемости, регулятора

...и 193 - 195 С.Найдено, %: С 65,95; Н 6,84; М 472.С 26 Н 8208.Вычислено, %: С 66,08; Н 6,82; М 472,5.П р им е р 3. 2,3,11,12-(4,4"-Дибутирил)- дибензо-корона-б.5,4 г (0,015 моля) 2,3,11,12-дибензо-коронырастворяют в 54 г ПФК при нагревании (125 - 130 С), прибавляют 13,9 мл(0,15 моля) масляной кислоты и продолжают нагревание 0,5 ч при той же температуре. Реакционную массу обрабатывают, какв примере 1, Получается смесь изомеров ст. пл. 149 - 165 С. Выход 5,2 г (70%). Перекристаллизацией смесь разделяют на изомеры с т. пл. 154 - 156 С (основной продукт) и 180 - 181 С,Найдено, %: С 67,05; Н 7,20; М 499,6.С 28 Н 3608.Вычислено, %: С 67,18; Н 7,25; М 500,6.П р и м е р 4. 2,3,11,12-(4,4"-Дивалерил)- дибензо-корона-б.3,2 г (0,009 моля)...

Номер патента: 887499

Опубликовано: 07.12.1981

Авторы: Овчаренко, Татаринцев, Яхкинд

МПК: C03C 21/00

Метки: ванны, ионной, состав, стеклоизделий

...содержание нитритов в используемых для приготовления расплавов азотнокислых солях.Значение:величины результирующихнапряжений растяжения при обработкеволоконных элементов диаметром 1 ммв расплаве НаИО 9 и смесях ИаИО 9 сдобавками В(НОВ) в течение 24 ч 30 при 490 С приведены ниже.887499 Величина результирующего напряжения кгс/мм2в расплаве и с добавками Состав ванныа ОВО +В а ЭО ),1 аО +Са О ) аО +Б О )-12 Ванна без добавки С 1,91 вес,В добавки+18 Формула изобретения Составитель С. Белобокова Редактор М. Кузнецова ,Техред З.фанта Корректор Г. Назароватт ттТираж 523 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета СССРпо делам изобретений и открытий113035, Москва, Ж"35, Раушская иаб., д. 4/5Заказ 10678/4 филиал ППП 1 фПатентф, г. Ужгород,...

Номер патента: 943918

Опубликовано: 15.07.1982

Авторы: Айнбунд, Масленков

МПК: H01J 31/50

Метки: ионной, обратной, подавления, приборе, связи, электровакуумном

...пластины, включающему подачу между этимипластинами промежуточного постоянного напряжения, промежуточное напряжение устанавливают отрицательнымпо отношению к выходу предыдущейпластины с абсолютной величиной, непревышающей половины напряжения питания, прилоиенного к предыдущей пластине.Кроме того, величину промежуточного напряжения предпочтительноустанавливают в пределах 20-200 В.На чертеже представлена принципиальная электрическая схема устройства, реализующая его предлагаемыйспособ.Устройство содержит блок из последовательно расположенных МКП 1 и 2и анод 3, К торцам каждой МКП подведены положительные напряжения 11 иускоряющие электроды с выходныхторцов МКП к выходным. Между выходомпластины 2 и анодом 3 также подаетсяположительное...

Номер патента: 979858

Опубликовано: 07.12.1982

Авторы: Гуревич, Кирштейн, Ярмола

МПК: G01F 1/00

Метки: жидкостей, ионной, проводимости, расхода

...СССРМ 489944, кл, 6 01 Г 1/00, 1973. 3 97985 точниками шумовых сигналов выбирают равным 1-2 диаметрам трубопровода.На фиг. 1 представлена схема корреляционного расходомера; на фиг, 2 - формирование результирующей корреляционной функции; нв фиг. 3 - влияние асимметрии корреляционной функции на точность измерений расхода.Устрэйство состоит из трубопровода 1, последовательно расположенных на нем, щ датчиков 2 - 5, отстоящих друг от друга на 1-2 диаметра трубопровода. Такое расстояние выбирается для лучшего симметрирования результирующей корреляцион-, ной функции и обеспечения ее меньшей Ц ширины, что способствует повъппению точ ности измерения. Датчики соединены с усилителями соответственно 6 - 9, Уси-. лители 6 и 7 соединены со схемой...

Номер патента: 1017997

Опубликовано: 15.05.1983

Автор: Андреев

МПК: G01N 27/50

Метки: активности, ионной, первичных, поверки, преобразователей, растворах

...устройства; на фиг. 2 эквивалентная схема прототипа; на фиг. 3 - эквивалентная схема предлагаемого устройства (где б- внутреннее сопротивление электрода;. Р - сопротивление между контактами реле на разрыв, Рэ- входное сопротивление ВС; Р- нагрузка ВС; Е и Е 2 - электрохимические потенциалы); на фиг. 4 и 5 - эквивалентные схемы устройств при измерении сопротивления изоляции для прототипа предлагаемого устройства соответств нно.Устройство (фиг. 1) содержит электрохимическую ячейку 1 с буферным раствором, электрод сравнения 2, поверяемые индикаторные электроды 3, 32,3, контактный электрод 4, вспомогательное реле 5, вспомогательное реле 6, коммутатор 7, служащий для калибровки устройства, коммутатор 8, состоящий из попеременно...

Номер патента: 1100656

Опубликовано: 30.06.1984

Авторы: Аникин, Жуков, Киреев, Черепин

МПК: H01J 49/26

Метки: вторичной, идентификации, ионной, масс-спектрометрии, пиков, соединений, химических, элементов, эмиссии

...массой, если же это отношение не зависит от температуры, то ионы с меньшей массой являются осколком молекулы и в образце отсутствуют31.Недостатками этого способа являются:узкая область применения, так как он позволяет идентифицировать толькоВпики, соответствующие ионам, образовавшимся в результате диссоциации более сложной молекулы,усложнение установки за счет применения дополнительного устройства для нагревания образцов и регистрации температурной зависимости вторичных ионов;увеличение времени проведения анализа, что приводит к повышенным требованиям на стабильность экспериментальных условий.Цель изобретения - повышение точности и упрощение анализа. Поставленная цель достигается тем, что согласно способу идентификации циклов...

Номер патента: 1135726

Опубликовано: 23.01.1985

Авторы: Борисова, Тверьянович

МПК: C03C 3/12

Метки: ионной, проводимостью, стекло, халькогенидное

...55 в кварцевую ампулу, которую откачиваит до 10 ф тор и иапаивают, Синтез ведут при 1000 С с перемешиванием в 726 2течение 1 ч, Охлаждают помещением в воду,Результаты рентгенофаиового аналииа показывают отсутствие крн".таллической фаиы. Коэффициент проирачности полученного стекла свидетельствует о стеклообраиности и однородности полученного сплава. При просмотре в ИК-микроскоп оптических неоднородностей не обнаружено. Дифференциально- термический аналии покаиывает присутф ствие характерных для стекол эффектов раимягчення и последующей кристаллииации. Внешне сплав представляет стекло светло-желтого оттенка.Изобретение поясняется на конкретных примерах, приведенных в табл.1.В табл.2 приведены реиультаты, определения...

Номер патента: 865063

Опубликовано: 28.02.1985

Авторы: Вагин, Реутов

МПК: H01L 21/265

Метки: ионной, повреждаемости, профилей, создания

...электролит для последующего однородного утонения этого.сложного сэндвича с целью полученияобразца для ПЭМ. Получение стольтолстых слоев методом вакуумногонапыления исключается из-за оченьмалых скоростей напыления, Крометого, сам по себе описанный процесс. является сложным и трудоемким.Цель изобретения - расширение области применения и упрощение технологии,55Цель достигается тем, что в известном способе создания профилейионной повреждаемости в плоских образцах путем ионной бомбардировки ионную бомбардировку образца осуществляют через поглощающие фильтры цилиндрической формы.На чертеже приведена схема облу-. чения образца.В соответствии со схемой облучения бомбардирующие ионы 1, проходя через переменную вдоль направления...

Номер патента: 1161513

Опубликовано: 15.06.1985

Автор: Долгоносов

МПК: B01J 20/30, C08F 212/14, C08F 8/36 ...

Метки: ионной, сорбента, хроматографии

...полнота превращения, а свыше 5 ч - образуется сорбент с неудовлетворительной эффективностью разделения анионов.Продукт представляет собой гранулу, на поверхности которой располагаются сульфогруппы, окружающие области с непрореагировавшими группами четвертичного аммониевого основания. Содержание элементов составляет для серы 16 масЛ, для азота 0,05-0, 18 мас.Х (содержание азота в исходном материале 3.5 мас.Х).3Таким образом, в исходном анионите группы четвертичного аммониевого основания частично замещаются на сульфогруппы, что приводит к снижению емкости по анионам на несколько порядков (в 20 раз), Более того, при тщательном отборе узкой Фракции эернения исходного анионита в результате сульфирования получают равномерный и однородный...

Номер патента: 1187866

Опубликовано: 30.10.1985

Авторы: Степаненко, Царькова

МПК: B01J 20/10, G01N 30/48

Метки: ионной, сорбента, хроматографии

...раз взбал тывают. Через 10 мин воду сливают и заливают 57.-ный раствор едкого натра. В этом растворе анионит выдерживают 30 мин при частом перемешивании. Затем щелочь сливают, ани онит промывают несколько раз дистиллированной водой. Такую обработкупопеременно щелочью и водой повторяют 4-5 раз. После этого анионитзагружают в шаровую мельницу идробят его 6 ч при скорости вращениябарабана 45 об/мин. Дробленый анионит смывают с шаров и стенок барабана 200 см дистиллированной водыв стакан. Суспензию отстаиваютв течение трех суток, после чеговерхний слой суспензии, содержащийнаиболее мелкие частицы, сливаютв емкость для хранения.Небольшой объем суспензии дляудаления более крупных частиц центрифугируют 10 мин при 3000 об/мин Для приготовления...

Номер патента: 1199767

Опубликовано: 23.12.1985

Авторы: Ахелик, Клээмейер, Пальвадре, Халдна

МПК: C08J 5/20

Метки: анионита, ионной, хроматографии

...вещества - водонерастворимый клей, например, клей АГО (раст вор коллоксилинов марок ВВ и ВНВ в ацетоне) или коллоксилин ПСВ.П р и м е р 1,. К 50 мл 87.-ного водного раствора анионита ВАдобавляют 150 мл ацетона ч.д.а. и перемешивают. Выпавший гель анионита отделяют фильтрованием и высушиваютопод вакуумом при 40 С до постоянного веса, Из сухого анионита ВАприготовляют его раствор в 967.-ном этано- ле, содержащий 15 мг анионита на 1 г раствора.Готовят раствор клеящего вещества ЛГО в 967.-ном этаноле: берут 0,40.г клеящего вещества АГО и добавляют к нему 100 г 967.-ного этанола.К 5 г инертного носителя (Сферон с диаметром частиц 25-40 мкм) добавляют 10 г приготовленного раствора анионита и 15 г приготовленного раствора клеящего...

Номер патента: 1211645

Опубликовано: 15.02.1986

Авторы: Васильев, Коляда, Нагорная, Черепин

МПК: G01N 27/62, H01J 49/26

Метки: вторичной, ионной, компонентов, коэффициентов, образца, эмиссии

...очиЗ 5 щают поверхность от загрязнений,возникающих при контакте поверхности образца с окружающей средой впроцессе пробоподготовки и вакуумирования. После этого с помощью на гревателя с источником питания произ.водят кратковременный 1-2 минразогрев до 800 С для термическогообезгаживания поверхности образца.После остывания образца в камеру 45 напускают из баллонов с редукторамиактивную по отношению к железу газовую смесь - водород и азот, устанавливая парциальные давлениясоответственно 9 1 О и 3 10 Па.50 Выбор в качестве активного газаазотно-водородной смеси обусловлентем, что в зависимости от темпеО 15 20 25 ния определяется по значению токавторичных ионов в реперной (экстремальной) точке.Тип соединения опреде:,лением активного...

Номер патента: 1293615

Опубликовано: 28.02.1987

Авторы: Гильдерман, Лесунова, Пальгуев, Фишман

МПК: G01N 27/46

Метки: доли, ионной, проводимости

...г(,ПР 0 Н И К О Б Р 1 И Я Г Д 3 г 1 Ч ( ,) Р( ) б .Э Д 311 /МОЖН(Э ПО:1 (ИЬ ЦДЙОР 01(с.:( )ИМ г (. : НЪХ ЧИСЕ:1 .1 С. ЭР Ц О С(1 Л Ц 013 оУЦЯ .1ВЕЛИЧИНЬ(С:тпНОГО ЦДЧСЦЯ ЧИСЛ) переноса, т,с. НрСо;(ь (с вдииобычно) о измс рция 1 С ц 1 о:Зэожцл Опэеде)11 т ь 1 сг 11110 3:д чс. ( (1 с)1 1ПЕРЕЦ ОСа И О 1013 С 1(;1 Э (. М1( " )11 С-ГО Мс 1 ГС. Р ИДХ с 1 . Задание скорости подл ид д электрлдцо рострдцство г )ГРь 3 ПсдЭ 1 ИД)1 э 1 Ь 11;Д 1)1(.:1 ИСМ 11 МС Тс:.Г:1 Ч - С КОГО КО.П( ЦТД;(о АЛ:)К) 1 где- скорость гр(эцикн( е 1 я г д: дчерез образец, позвсцяет с пре цехит)долю ионной проводимости г:орстыхтрудноспекдемых материало:.11 ри этои подаче гдзд 3(1 С ячейкипри исполь:зовдции цег дзоцлтцойтаблетки будет с:здддццой степентютОЧНССт...

Номер патента: 1307493

Опубликовано: 30.04.1987

Авторы: Колотилин, Овчинников, Сафонов, Суслов, Терехин, Шеретов, Ястребков

МПК: H01J 49/42

Метки: анализа, гиперболоидном, ионной, ионов, ловушки, масс-спектрометре, типа

...блока.При использовании иоццо-флуоресцент ного анализа канал счета фотонов флуоресцснции необходимо также синхроцизинировать с работой высокочастотного генератора. В этом случае удается улучшить соотношение сигнал шум и увеличить чувствительность анализа.11 д чертеже иллюстрируется предлагаемый способ анализа и устройство для его реализации.Предлагаемое устройство состоит из электронного источника 1, анализатора, образо 5 ванного кольцевым 2 и двумя торцовымиэлектродам 3, соединенными электрически, коллектора 4 электронов, детектора 5 ионов, ньсокочастотцого генератора 6, выход кото 13074935 1 О 5 20 25 30 35 40 45 50 55 рого подсоединен к электродам анализатора, блока 7 управления высокочастотным генератором, выходы которого...

Номер патента: 1348925

Опубликовано: 30.10.1987

Авторы: Колотилин, Овчинников, Суслов, Шеретов, Ястребков

МПК: H01J 49/42

Метки: анализа, гиперболоидном, ионной, ионов, ловушки, масс-спектрометре, типа

...м о( ьемс рсзкс)меньн;)с тся (цс,ц (р)овык ио)н)н и. соот)етст)сино, 13); ПрС)СтрдцСЬСНПЫЙ 1 ря,1, ИСПОЛЬЗОВЗНИЕ Н к 1 с 1 н( нл(к Гро:1 ИОЙ си(тсмы сГ)ор 1 ИОНОВ гцнсрбс,Ои.300 масс.;)нд,)издгорд гипа 11 н кмс рш)и ИОп и .)кавун)ки по)ьчляст рс). .и.ин; гь пр;(л (сски 1 Г 0,.нь(й сбр се.)екгинш Обр;О;)нь ион)н, ОГ)есиеч)3 Т) лсстдочно:ро. , я, (,(и 0 врсмя у.н рякдния и н;юп ия 3)н н В ( )060(ном проср;)и Н( 1 С ( Н(И НИ 5 3 НИ К НЫОКО 11 С. 0 НО(0 О ОЯННОЙ СО,13.15)КцС 1 И( Я и, ч го Вс ( ьм. (л 31(л г;Вцо с(1)Оку 3)рок ( ) .с 1 ж, ( н ь(ОнИ 33 О 1 .11 к ГОР(С,(. 1 ((л 1 (1 ( (3 О 15 1 О1 Г( И1 1 0 . 1 1. ;и;(цы ) лрОЬ;, , ц (( и. множн(СП 1К; Ь( Г1 ПН (3)СС(КРОМ( Г ричс с кис .1 ск(Оры л.;3 к ( ( Гич.скО О 1к .И Н Д М Ц(пСКОГО; И...

Номер патента: 751158

Опубликовано: 23.02.1988

Авторы: Крым, Лакомский, Панкратов, Попов, Цветаев, Юхимчук

МПК: C23C 8/36

Метки: ионной, стальных, цементации

...его там, а затем из дугового разряда ионы углерода попадают в несамостоятель ный разряд между графитовым анодом и деталью-катодом при нормальном давлении,1П р и м е р. Предлагаемый способ плазменной цементации реализуют в 45 устройстве, состоящем из двух коаксиальных полых электродов. Во внутренний электрод-анод помещают образец, представляющий собой круглыйстержень ф = 20 мм; 1 = 30 мм изстали 20 Х 13,В качестве науглероживающей средыиспользуют пропан-бутан, сначала егоподают в область между электродами,где под действием электромагнитногополя перемещается дуга постоянноготока с температурой 12000 К, ионизируется там (ионизация углеводородного газа составляла до 107), а затемв ионизированном состоянии поступаетв зону...

Номер патента: 1420504

Опубликовано: 30.08.1988

Авторы: Андрущенко, Ахтырский, Мальцев

МПК: G01N 27/54

Метки: ионной, электропроводности

...- входное сопротивление индикатора 25 нуля. В случае равенства полей мембраны 14 и образца 31 ток через входное соп- . ротивление индикатора 25 равен нулю, что Фиксируется милливольтметром 27 и графопостроителем 28, Поскольку состояние поляризации образца 31 является неустойчивым, через некоторое времячасть поляризационного заряда релаксирует и внешнее поле образца 31 становится меньше, чем поле мембраны 14.Через входную цепь индикатора 25 течет ток, пропорциональный величине. разности напряженности этих полей, который регистрируется милливольтметром 27 и графопостроителем 28 шкала которого проградуирована в значениях потенциала поверхности образца. Развертка по оси Х грайопостроителя 28 осуществляется кварцевым секундомером 29, имеющим...

Номер патента: 944485

Опубликовано: 15.11.1988

Автор: Саксаганский

МПК: H05H 1/00

Метки: бомбардировки, газодиффузных, ионной, условиях, характеристик

...-ала, Катод 4 герметично присо;1 ч 1 ен к корпус у с помощью диэлек трич еских разъемов 5, обеспечивающих измерение разрядного тока на катод, и сильфонных компенсаторов 6, обеспечивающих возможность плавного изменения расстояния от катода 4 до анода 3 без нарушения герметичности камеры, Анод 3 снабжен электрическим высоковольтным вводом 7. К корпусу 1 присоединены система высоковакуумной откачки 8 и блок напуска пробного газа 9, а также не показанные на схеме средФства вакууметрии, газоанализа и диагностики разряда. Разрядная камера помещена в магнитное поле, возбуждаемое с помощью обмотки 10, охватывающей магнитопровод 11 с полюсными наконечниками 12.Установка состоит из трех независимых камер; камеры с пробным газом и двух...

Номер патента: 1465923

Опубликовано: 15.03.1989

Авторы: Гамаюнова, Коваль, Коппе, Соболев

МПК: H01J 49/32

Метки: вторичной, зависимостей, ионной, угловых, эмиссии

...и материалов. При этомдве пары нлоскопараллельных пластинобеспечивают изменение траекториипучка первичных ионов таким образом,чтобы угол падения пучка первичныхионов на мишень сохранялся неизменным при вращении мишени во всеминтервале изменения полярного угла,необходимого для получения достоверных результатоа,Обеспечение неизменного угла падения пучка первичных ионов на мишень ва всем интервале изменения угла регистрации вторичных ионов требует поворота лучка первичных ионовна угол 1, равный углу поворота мишени, путем изменения величины потенциалов подаваемых на плоскопарал1465923 лельные пластины. Связь между углом поворота, геометрическими размерами пластин, их расположением и величиной напряжения на каждой из пластин5можно...