Патенты с меткой «нарушенного»

Номер патента: 316136

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Линева, Малкин, Терман

МПК: H01L 21/66

Метки: монокристалла, нарушенного, поверхности, слоя, толщины

...перпендикулярном электронному пу ку, ц измерецце расстояния вдоль направления сканирования от границы косого среза на поверхности моцокристалла до той точки сечения, начиная с которой дифракццонная картина остается нецзхтецной.Сущность изобретения поясняется чер геПодготовка ооьекта к измерениям и последовательность операций при измерении толщины нарушенного слоя состоят в следую щем. Под углом а к плоскости образца с нарушенным слоем 1 делают косое сечение (шлиф), Технологию изготовления шлифа ьыбирают такой, чтобы толщина дополнительного нарушенного слоя, связанного с его изго. товлецисм, была минимальной. Дополнцтель. цый нарушенный слой удаляется химическим травлением, причем изучаемая поверхносп. предварительно покрывается защитным...

Номер патента: 317962

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Золотарев, Пейсахсон, Пушкин

МПК: G01J 3/02

Метки: многократно, нарушенного, полного, приставка

...углом падения содержат,внеосевые эллипсоиды или большое число сферических зеркал с наклонным падением лучей, что при О водит к большому астигматизму и снижению светопропускания.В предложенной приставке с целью увеличения светопропускания перед элементом МНПВО по ходу светового луча установлено 15 цилиндрическое выпуклое зеркало, а за элементом МНПВО - тороидальное вогнутое зеркало,На чертеже представлена оптическая схема приставки. 20Приставка устанавливается в кюветном отделении спектрофотометра. Сходящийся пучок из осветителя попадает на плоское зеркало 1 приставки, а затем на выпуклое цилиндрическое зеркало 2, которое формирует промежу точное изображение источника в меридиональной плоскости (параллельно щели спектрометра)...

Номер патента: 465685

Опубликовано: 30.03.1975

Авторы: Сайдов, Юдович

МПК: G01N 21/48

Метки: внутреннего, изменения, нарушенного, отражений, отражения, полного, числа, элементах

...исследуемый образец 3, входное и выходное окна 4, съемный вкладыш 5,Кювета 1, внутри которой размещен съемный вкладыш 5, придающий полости .кюветы форму модифицированной прйзмы Дове, за.- полняется жидкостью с высоким показателем преломления, достаточно широким спектральным диапазоном прозрачности и большим удельным весом. Исследуемыи образец 3 в виде порошка, пленки, пластинки, таблетки размещается непосредственно на поверхности жидкости, заполняющей кювету.5 Варьируя в кювете уровень жидкости, наповерхности которой размещен (плавает) исследуемый образец, можно плавно и в широких пределах регулировать число отражений непосредственно в ходе эксперимента.О Длина полости кюветы 1 ограничена прозрачностью жидкости 2, на поверхности которой...

Номер патента: 599662

Опубликовано: 25.10.1978

Авторы: Веревкина, Кулешов, Суровцев, Сыноров

МПК: H01L 21/263

Метки: глубины, нарушенного, пластины, полупроводниковой, слоя

...в высокоЧастотном поле допоявления скин эффекта и выдерживаютв течение 2-5 с, после чего по среднеймаксимальной протяженности следов ориентированных каналов проплавления и ихформе определяют глубину нарушенногослоя и ориентацию монокристаллнческойпластины.На чертеже приведена зависимостьсредней максимальной плошади следовориентироваееееых каналов проплавленияна поверхности кремния ориентации(100) фот глубины нарушенного слояПри индукционном нагреве полупроводниковой пластины (с одновременной инициацией собственной проводимости в полупроводнике) на периферии последнего возникает скин-эффект Обнаруживаемый по появлению ярко светящегося ободка на пластине, Прн выдерживанпи пластины в указанных услоьиях в течение 2-5 с...

Номер патента: 693122

Опубликовано: 25.10.1979

Авторы: Золотарев, Новоселов, Сайдов, Спевак

МПК: G01J 3/02

Метки: внутреннего, жидкости, жидкостного, нарушенного, отражения, полного, состав, элемента

...материалам для инфракрасной техники НПВО.В настоящее время для измерения спектров НПВО твердЬтх образцов используются жидкостные алемены НПВО, представшпошие собой кювету с жидкостью 1.К жидкостям для элемента НПВО предъявляеи."я ряд жеспсих требований. Вчастности, они должвы быть прозрачнымив широком спектральном диапазоне, иметьвысокий показатель преломления, обладатьустойчивостью к действию света и инерюностью по отношению к объектам исследования,Целью изобретения является расширение диапазона измерения и гранид применимости жидкостного елемента НПВО,Указанная дель дрстнгается применением жидкого стекла, в состав котороговключены мышьяк, бара и бром, имевшийкондентрадию более 20%, в качестве жид 2369854 Л 8-25 (5 ) М. Кл. 6017...

Номер патента: 792106

Опубликовано: 30.12.1980

Авторы: Васильева, Губель, Лейкин, Молочников, Морозов, Шакарян

МПК: G01N 21/43

Метки: внутреннего, нарушенного, отражения, поглощающих, показателя, полного, преломления, сред, элемент

...такого малого промежутка при условии необходимости поворота линз относитдл но полусферы на значительный угол (30 - 40 ) требует точного изготово бления механических устройств перемещения линз и сложной юстировки всего элемента НПВО.Целью изобретения является повышение точности измерения и одновременное упрощение конструкции элемента.Цель достигается тем, что в известном элементе НПВО радиусы кривизны смежных поверхностей линз и полусферы выбраны из условияг =г-(и)4 с 1,где г - радиус кривизны линз;г - радиус кривизны полусферы и -.показа:ель преломлениялинз и полусферы;Зс - ширина воздушного промежутка между линзами и полусферой,Сущность изобретения поясняетсячертежом, на котором представлена оптическая схема элемента НПВО,...

Номер патента: 868376

Опубликовано: 30.09.1981

Авторы: Андреева, Луканев

МПК: G01J 3/02

Метки: внутреннего, иr-10, иr-20, нарушенного, отражения, полного, приставка, спектрофотометрам

...существенно упростить конструкцию и гехнсьлогию изготовления приставок НПВО,о На фиг. 1 изображена предлагаемаяприставка; на фиг, 2 - разрез А-А нафиг. 1.Приставка 11 ПВО содержит основание2 с прямолинейным пазом 2, поворотнуюплошадку 3, соединенную шарниром 4 соснованием и имеющую паэ 5, в которомустановлена с возможностью перемещениярдоль паза подвижная плата 6. На подвижной плате, соединенной с основаниемс помощью шарнира 7, установленного вв прямолинейном пазу основания, жесткозакреплен держатель 8 с юстируемымзеркалом 9 таким образом, чтобы ось шарнира 7 находилась в плоскости зеркала9, На поворотной площадке 3 соосно сшарниром 4 установлен полуцилиндр 10,Неподвижные зеркала 11 и 12 закреплены на основании 1 под углом 45 о к...

Номер патента: 928204

Опубликовано: 15.05.1982

Авторы: Молочников, Морозов

МПК: G01N 21/43

Метки: внутреннего, нарушенного, оптический, отражения, полного, элемент

...плоской рабочей поверхностью, выполнен из опти Очески анизотропного материала с оптической осью перпендикулярной рабочей поверхности.На фиг, 1 показан оптический элемент НПВО; на Фиг. 2 - зависимость Ипоказателя преломления для обыкновенного и о и необыкновенного п лучейот угла д между волновым вектороми оптической осью элемента НПВО..Элемент НПВО представляет собой 20полусФеру 1 с плоской рабочей поверхностью 2Элемент НПВО выполнен изоптически анизотропного материала соптической осью ОО, перпендикулярнойповерхности 2, 25Пусть оптический элемент выполнениз одноосного кристалла (например,кальцита или кварца) с оптическойосью, ориентированной 3. плоской по"верхности оптического элемента, Тог- звда для луча, поляризованного в плоскости...

Номер патента: 938109

Опубликовано: 23.06.1982

Авторы: Аникин, Бегунов, Евдокимова, Молочников, Морозов, Петрановский, Шакарян

МПК: G01N 21/43

Метки: внутреннего, нарушенного, отражения, полного, рефрактометр

...в корпусе ветитель, коллиматор с двухщелеэой ди фрагмой, измерительный элемент наруш ного полного внутреннего отражения с ветой, имеющей рабочую и эталонную з ны, приемную оптическую систему, шел вой мопулятор и фотоэлектрическое реги стрирующее устройство, а также механи перемещения коллиматора и части прием ной оптической системы, расположенной вблизи элементанарушенного полного в треннего отражения, межпу осветителем пвухшелевой диафрагмой коллиматора вв пен первый волоконный световод, а межпуобьективом приемной оптической систем и модулятором введены второй и трети волокнистыесветоводы, оптически сопря юшие изображения рабочей и эталонной зон кюветы с соответствующей системо щелей модулятора.При этом, источник света, модулятор50 и...

Номер патента: 957008

Опубликовано: 07.09.1982

Авторы: Андреева, Луканев

МПК: G01J 3/02

Метки: внутреннего, иr-10, иr-20, нарушенного, отражения, полного, приставка, спектрофотометрам

...установлена с возможностью перемещения вдоль паза 5 подвижная плата 6. На подвижной плате 6, соединенной с основанием 1 с помощью шарнира 7, установленного в прямолинейном пазу 2 основания 1, жестко закреплен держатель 8 с юстируемым зеркалом 9 таким образом, чтобы ось шарнира 7 находилась в плоскости зеркала 9. На поворотной площадке 3 соосно с шарниром 4 установлен полуцилиндр1. Поворотная площадка 3 шарнирно соединена с направляющей пластиной 12, которая установлена в прямолинейном пазу 13 основания с возможностью перемещения вдоль него. Неподвижные зеркала 10 и 14 закреплены на основании 1 под углом 45 к направлению луча в спектрофотометре и не юстируются.Приставка НПВО работает следующим образом.Пучок света, выходящий из...

Номер патента: 957866

Опубликовано: 15.09.1982

Авторы: Таболин, Чуйченко

МПК: A61B 10/00

Метки: всасывания, диагностики, кишечного, нарушенного, синдрома

...определение липидных фракций проводили на денситометре, расчет проводили на 1 кг высушенного Юала предварительно проявив и обработав хроматограмму 2-ным раствором фосфорномолибденовой кислоты.В результате проведенного исследования установлено, что общих липидов в кале - 32,55 г/кг, Фосфолипидов - 2,43 г/кг, холестерина - 8,97 г/кг, диглицеридов 0,41 г/кг, триглицеридов - 15,57 г/кг и свободных жирных кислот " 5,17 г/кг; Повышенное содержание общих лидидов 32,55 г/кг (в норме - 19,68 г/кг и триглицеридов 15,57 г/кг (в норме - 1,9 .г/кг) свидетельствует .о наличии муковисцидоза. Проведение пилокарпиновой пробы и клинического наблюдения подтверждают поставлен- ный диагноз муковисцидоз кишечной формы. Назначено комплексное лечение....

Номер патента: 1087843

Опубликовано: 23.04.1984

Авторы: Афанасенко, Мунасипов, Пеньковский, Хамелин

МПК: G01N 21/43

Метки: внутреннего, нарушенного, нпво, отражения, полного, поляризационный, рефрактометр

...(вследствие неравномерногонагрева их теплом, выделяющимся катушками с током). Это приводит к неконтролируемому изменению состояния ноляризации света и к дополнительным погрешностям измерений ф показателей преломления. Кроме того, значительные габариты и вес магнитооптических модуляторов (габариты не менее 50 х 50 хб 0 ммЗ ифф вес не менее 0,5 кг 1, усложняют конструкцию устройства и препятствует созданию малогабаритных портативиых рефрактометров, а наличие в рабочем пучке стеклянных стержней магнитооптических модуляторов увеличивает потери света, которые неизбежны на каждой границе воздух-стекло. Это вы-. нуждает увеличивать. мощность источника света,.что для портативных рефрактометров также нежелательно.Целью изобретения...

Номер патента: 1121589

Опубликовано: 30.10.1984

Авторы: Зазворко, Карабегов, Маилов, Мамедов, Сайдов, Юдович

МПК: G01J 3/02

Метки: веществ, внутреннего, жидкостных, нарушенного, нпво, оптических, отражения, полного, помощью, спектров, элементов

...ВПВО,а угол падения света на образец задают изменением угла скоса торцовых 45граней вкладыша элемента НПВО.На фиг. 1 приведена конструкцияэлемента НПВО и ход лучей в моментпроведения измерений; на фиг. 2спектр НПВО водного раствора эозина; 50на фиг. 3 - спектр НПВО водного раствора метиленового Голубого,Элемент НПВО, с помощью которогореализуется данный способ представляет собой прямоугольную кювету 1, 55разделенную с помощью плоскопарал.чевьной разделительной пластины 2: з ля части, одна из которых заполняется исследуемой жидкостью 3,а другая - жидкостью, играющей рольэлемента НПВО 4. Вкладыш 5, придающий жидкостному элементу НПВО формумодифицированной призмы Дове, выполнен съемным или снабжен механизмомперемещения, что позволяет...

Номер патента: 1174726

Опубликовано: 23.08.1985

Автор: Никулин

МПК: G01B 5/00

Метки: глубины, нарушенного, никулина, обработанной, объекта, поверхности, слоя

...определения глубины нарушенного слоя обработанной поверхности объекта, заключающемуся в том, что делают секущий шлиф объекта, проводят трав ление поверхности шлифа, находят границу нарушенного слоя и по ее положению определяют глубину нарушенного слоя, перед получениемшлифа записывают профилограмму 50 поверхности, перед травлениемзаписывают профилограмму поверхности шлифа в направлении, которое является проекцией первой профилограммы на поверхности шлифа в той же 55 системе координат, травление осуществляют изотропным травителем, после травления записывают профилограмму поверхности протравленного шлифа в том же направлении и в той же системе координат, что и в предыдущие профилограммы, и находят на третьей профилограмме границу...

Номер патента: 1179170

Опубликовано: 15.09.1985

Автор: Пеньковский

МПК: G01N 21/43

Метки: внутреннего, нарушенного, отражения, полного, поляризационный, рефрактометр

...условие 1 ъ 0(28) , За диафрагмой 13 установлен неподвижно модулятор 14 разности фаз, например электрооптический,наведенные оси которого совпадают соответственно с плоскостью раздела сред и плоскостью падения. Модулятор 14 возбуждается переменным электрическим полем той же частоты д , что и магнитооптический модулятор 7. Амплитуда и фаза возбуждения модулятора 14 выбраны так, что в любой момент времени относительное приращение разности фаз между р- и 5 -компонентами падающего пучка света равно удвоенному относительному приращению азимута линейной поляризации этого же пучка, но с обратным знаком. Одно из плеч параллелограмма 10 связано с лимбом 15 углоизмерительного устройства, которое содержит пента- призму 16, объектив 17,...

Номер патента: 1226069

Опубликовано: 23.04.1986

Авторы: Дидковский, Квасов, Музыченко, Полонин, Прохоренко

МПК: G01H 13/00

Метки: нарушенного, пластин, поверхностного, полупроводниковых, слоя, физико-механических, характеристик

...г/а при заданных 8 и Ь (фиг,З).Определяют параметр 1 по величине ш (фиг.2).Рассчитьвают величину модуля Юнга Е по формуле4811 Г Р а" (1- у )Е------Ьф. Рассчитывают физико-механическйе характеристики по известным соотношениям с учетом полученного значения модуля Инга Е.Таким образом, определение изменения радиусов узловых окружностей при возбуждении колебаний на частотах , позволяет проконтролировать распределение физико-механических характеристик по поверхности пластины и тем самым повысить точность контроля.Устройство для осуществления способа содержит основание 1, пуансон 2, электродинамический акустический излучатель 3, генератор 4 электрического напряжения, голографический интерферометр 5, состоящий из лазера 6, модулятора 7,...

Номер патента: 1226198

Опубликовано: 23.04.1986

Авторы: Аникин, Пеньковский, Петрановский

МПК: G01N 21/43

Метки: внутреннего, нарушенного, отражения, полного, рефрактометр

...как азимута поляризации ( , так и разности фаз 3 между Р- и 8-составляющими на величину, например, 0,01 от максимальной величины, Этим достигается периодическое с частотой а наложение вынужденных колебаний на поляризационные параметрыи б , которые изменяются при изменении угла падения К . фотоприемник .18 воспринимает свет,изменяющийся по закону Т, сы1-Сов 2 у Соя 8 + А4где 1 - интенсивность падающего наополяризационный фильтр 14света;коэффициент прохождения света через оптическую схему;А - амплитуда модуляции,Если угол падения света Х меньше2 1псевдокритическо го сс, = агс Яп я, + Ж,где и и ж - относительно показателипреломления и поглощения,то в резуль ртате эффекта преобладания двойногоотносительного изменения азимута...

Номер патента: 1264008

Опубликовано: 15.10.1986

Авторы: Амеличев, Поляков, Сайдов

МПК: G01J 3/02

Метки: внутреннего, жидкости, жидкостного, нарушенного, отражения, полного, состав, элемента

...комггонентов,мас,у:Цинкат калия 36-45Вода ОстальноеПоказатель преломления жидкостиданного состава лежит н интервале1,440-1,445,Верхний предел содержания цинката калия в растворе ограничен его растворимостью н воде, нижний предел ограничен соотношением между показателем преломления элемента нарушенного полного внутреннего отражения и показателем преломлейия реального несмешивающегося с предлагаемым элементом объекта так, чтобы имел место эффект нарушенного полного внутреннего отражения.На фиг.1 показана зависимость логарифма коэффициента отражения 1 н К от длины нолны 1 при нарушенном полном внутреннем отражении от 103-ного раствора нитробенэола в гептаке с показателем преломления и1,401, измерекная с помощью жидкостного эле....

Номер патента: 1162306

Опубликовано: 28.02.1987

Авторы: Абдуллаев, Золотарев, Лебедев, Мансуров, Мельников, Никитин, Сомсиков, Сутовский

МПК: G01J 3/02, G01N 21/03

Метки: внутреннего, кювета, нарушенного, отражения, полного, способа, элемент, элемента, этого

...и охлаждают его ниже температуры размягчения, а после создания меха": нического контакта между исследуемым образцом и халькогенидным стеклом нагревают зону контакта для образования оптического контакта до температуры, находящейся в интервале между температурами размягчения и плавления халькогенидного стекла.При создании кюветы целью изобретения является возможность изготовления элементов НПВО с различной конфигурацией и размерами рабочих поверхностей.Поставленная цель достигается тем, что в кювете для изготовления элемента НПВО, содержащей плоское основание, торцовые стенки и боковые стенки, закрепленные на основании, на нем закреплены направляющие, на которых установлены торцовые стенки, снабженные фиксаторами, а все внутренние...

Номер патента: 1608486

Опубликовано: 23.11.1990

Авторы: Михалев, Монахов, Петров, Попов, Степанов

МПК: G01N 5/00

Метки: момента, нарушенного, окончания, полупроводниковых, слоя, структур, травления

...1. Полупроводниковая структура 3 с нарушением в результате механической обработки приповерхностным слоем закрепляется на элементе 2. Далее сосуд заполняют травителем и производят балансировку весов с учетом массы сосуда с травитенем, массы элемента с закрепленной полупроводниковой структурой и действующей на них выталкивающей силы.При достижении балансировки весов производят их включение для регистрации суммарного эффекта от увеличения массы травителя за счет растворения в нем нарушенного слоя и от уменьшения массы и объема полупроводниковой структуры в процессе травления.Напряжение, возникающее при движении катушки 10 в поле магнита 11, определяет скорость травления нарушенного слоя. Изменения веса и скорость регистрируют с помощью...

Номер патента: 1644057

Опубликовано: 23.04.1991

Авторы: Рубан, Черняков

МПК: G01V 1/00

Метки: массива, нарушенного, состояния, тектонически

...следующая,Для исследуемого района илшахтопластов экспериментальноют скоростной разрез зоны влияюнктива в виде зависимостей9/ - 11 (Вя) и ог = Е 2 (Вя,я), (2)где чч - ширина зоны влияния нарушеВ 9 - амплитуда перемещения крынарушения;сг - групповая скорость упругих волн,Методика изучения скоростного разреза включает сейсмопросвечивание нарушения с известными параметрамиспользованием продольного профиля ( 5 10 15 20 25 30 35где хь у( - коскрещения;чр, чк, чсоответстветакже опредеи . и сопостаниями. При истри рован нынарушению ига сейсмоакус волн Р, Ви ому лучу, а йри волн В ыми эначеят зарегинктивному зацию оча - средняя скорость нно по сейсмическ ляют частоты фаэ Э вляют их с расчетн х совпадении относ и импульс к дизъю производят...

Номер патента: 1644064

Опубликовано: 23.04.1991

Автор: Яковлев

МПК: G02B 5/04

Метки: внутреннего, нарушенного, оптический, отражения, полного, элемент

...исследований.Целью изобретения является обеспечение .использования оптического элемента для спектроскопических исследований в ИК-диапазоне.На чертеже представлен оптический элемент.Оптический элемент состоит из трех частей; часть 1 предназначена для ввода пучка в элемент, часть 2 - дополнительная призма, обеспечивающая устранение дефокусировки пучка, часть 3 предназначена для вывода пучка из элемента.Элемент используют следующим образом.В элементе НПВО падающий пучок без преломления осевого луча проходит входную грань, принадлежащую части 1 и, отразившись от верхней грани ПВО под углом 01, затем отражается от нижней, принадлежащей всем трем частям, грани ПВО. После ряда последовательных отражений от параллельных одна другой боковых...

Номер патента: 1652952

Опубликовано: 30.05.1991

Автор: Яковлев

МПК: G02B 5/04

Метки: внутреннего, нарушенного, оптический, отражения, полного, элемент

...грань 4. 1 максГмин =1 д /3 Й с 1 д О ) 31 п ОХ 2 Х 1= аг,20 а высота призмы равнаСоставитель Л,НазаровТехред М.Моргентал Корректор Т.Малец Редактор А,Маковская Заказ 1772 Тираж 339 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушсэя наб., 4/5 Производственно-издательский комбинатПа гент", г. Ужгород, ул. Гагарина, 101 Оптйческий элемент работает следующим образом,Падающий на входную грань 1 осевой луч пучка а без преломления проходит ее и, отразившись от нижней грани НПВО 2 под углом О, направляется к верхней грани НПВО 3, расположенной. параллельно нижней. После отражения от верхней грани НПВО 3 под углом О он вновь направляется к нижней грани 2 и, отразившись от нее,...

Номер патента: 1673055

Опубликовано: 30.08.1991

Авторы: Гинзбург, Дадамухамедов, Душков, Пинский

МПК: A61B 6/00

Метки: всасывания, диагностики, кишечного, нарушенного, синдрома

...р и м е р 2 Больная Ф 20 пт Припоступлении жа обы на боли в подпопатоной области, повышение температуры, похудание, кашель с выделениегл мокроты,боли и правом подреберье, тошноту и боли,усиливающиеся после приехала жирной пищи, Иэ анамнеза: 1,5 года наза, перенеслаинфекционный сепа 1 иг. Обьектионо: припальпации отмечат,я болезненность в правом подреберье. Симптомы Ортнера и Френикус-симптом положительны. Печеньвыступает иэ-под края реберной дуги на 11,5 см, Клинический диагноз: инфи. ьтратионый туберкулез 1-2 сегмента обоих легких,Сопутствующий диагноз: хроницеский холецистогепатит.Пациент натощак, после опорожнениякишечника и мочевого пузыря, принял 30 млоливкового масла, содержащего 1-трио 1 З 1 леат-глицерин активностью 0,35 МБк....

Номер патента: 1702242

Опубликовано: 30.12.1991

Авторы: Скупов, Скупова, Цыпкин

МПК: G01N 3/42

Метки: кристаллов, нарушенного, слоя, толщины

...ТОЛЩИНЫНАРУШЕННОГО СЛОЯ КРИСТАЛЛА(57) Изобретение относится к испытательной технике, в частности к способам определения толщины нарушенного слоякристалла. Целью изобретения является поИзобретение относится к испытательной технике, в частности к способам определения толщины нарушения слоя кристалла, и может быть использовано, например, в электронной промышленности,Целью изобретения является повышение точности, определения .толщины нарушенного слоя кристалла путем учета возможности постоянства твердости при разных значениях дефектности кристалла.Способ осуществляют следующим обраверхностн ют толщиым стравиндентор и остоянных нах выдер ометричес Послойно стравливают по слои кристалла, определя стравленных слоев, перед кажд ванием в кристалл...

Номер патента: 1727093

Опубликовано: 15.04.1992

Автор: Яковлев

МПК: G02B 5/04

Метки: внутреннего, нарушенного, оптический, отражения, полного, элемент

...расширение номенклатуры используемых оптических материалов и диапазона углов падения,Указанная цель достигается тем, что в известном оптическом элементе НПВО с изменяемым углом падения излучения, выполненном в виде прямой призмы, имеющей в основании равнобедренную трапецию, с входной и выходной гранями, проходящими через боковые стороны этой трапеции, и с гранями ПВО, проходящими через ее основания, причем нижняя граница световогоотверстия аг, соответствующего одному издвух заданных углов ф падения излучения на.меньшую грань ПВО, совпадает с ребром между входной гранью и большей гранью ПВО, а нижняя граница светового отверстия а, соответствующего второму заданномууглу О падения излучения на указанную грань, совпадает с верхней границей...

Номер патента: 1727094

Опубликовано: 15.04.1992

Автор: Яковлев

МПК: G02B 5/04

Метки: внутреннего, нарушенного, оптический, отражения, полного, элемент

...направлении, перпендикулярном грани ПВО.Выполнение указанных соотношений позволяет использовать для освещения элемента один исходный пучок,Изобретение поясняется чертежом.Оптический элемент содержит входные грани 1 и 2, грань 3 ПВО и выходные грани Оптическии элемент работает следщим образомПадающий на входную глельно грани ПВО 3 осевой луломляется ею в направленииОтразившись От которой Он нвыходной грани 4, преломиврой, выходит из призмы, оставпрямой с подающим лучомпучка с, параллельный осевомпадает на входную грань 2, и 1 аах =(Ч 19 02+ с 19%)а,10 рань 1 паралч пучка Ь преграни ПВО 3, аправляется к шись на котоаясь на одной Ь. Осевой луч улучу пучка Ь, реломившись1727094 у+3вах = 2 а т 9 Огсз 01 - 1 55 на которой он направляется на...

Номер патента: 1455786

Опубликовано: 07.07.1993

Авторы: Ковтун, Полторацкий, Проценко

МПК: C30B 33/00

Метки: кристаллов, нарушенного, поверхности, слоя, толщины

...слоя. В качестве активного газа исг.альзуют газ из элементан, не нходягпих н состав .кристалла и потока, В процессе травления осушествляю; контроль степени дефектности структуры поверхности по концентрации активного газа на поверхности кристалла. За талпгиФ ну нарушенного слоя принимают толщину удаленного слоя, при каторгам концентрация составляет 107. ат первоначальной. Достигают точности апре- Саделения до 1 О А,Затем н камере откачивают вакуум и проводят травление кристалла патокам ионов аргсна с энергией 0,7 кэВ и плотностью тока 10 А см, В процессе травления осуществляют массспектрометрический контроль концрнрации кислорода нг поверхности кристалла и измеряют толцину удаленнго слоя, При тотнпине удаленного слоя, равной 80 А,...

Номер патента: 1222147

Опубликовано: 15.08.1994

Авторы: Енишерлова-Вельяшева, Русак

МПК: H01L 21/66

Метки: глубины, монокристаллах, нарушенного, полупроводниковых, слоя

1. СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ГЛУБИНЫ НАРУШЕННОГО СЛОЯ НА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МОНОКРИСТАЛЛАХ преимущественно кремния, германия и арсенида галлия после грубой механической обработки, включающий избирательное травление, изготовление шлифов и оценку глубины нарушений, отличающийся тем, что, с целью повышения точности способа, избирательное травление проводят в травителе, содержащем 0,5 - молярный водный раствор хромового ангидрида и плавиковую кислоту в весовом соотношении от 3 : 1 до 1 : 3, в течение 60 - 300 с, а оценку глубины H нарушенного слоя производят по формулеH= Z2-Z ,где Z1 и...