Всесоюзная 5nai; lhtw-gt; amp; -xu. rt.; asбл 1-ю г на

Номер патента: 508933

Опубликовано: 30.03.1976

Авторы: Абрукин, Кристовский, Лаут, Шапошников

МПК: H03K 17/567

Метки: ключом

...Потенциал базы транзистора транзистор. Так как ток разряда конденсато отличается от. потенциала шины питания ра 18 близок по величине к включающему - 5,2 В на величину падений напряжения на 1 О току выходного транзистора, а коэффициент стабилитроне 7 и диодах 9, 10, Потенциал ба- усиления по току транзистора 3 равен 1, то зы транзистора 5 отличается от потенциала в устройстве реализуется режим форсированбазы транзистора 6 на величину падения на- ного выключения выходного транзистора.пряжения база - эмиттер транзистора 6 и па- Таким образом, управляемое стандартными дения напряжения на стабилитроне 8 и, сле сигналами от логических схем устройство довательно, положительнее потенциала шины способно включать и выключать ток в обмотпитания -...

Номер патента: 573881

Опубликовано: 25.09.1977

Авторы: Коноплев, Пономарев

МПК: H03K 19/22

Метки: логический, синхронный, элемент

...1 и25Элемент может работать в режиме хранения (транзистор 4 насыщен при подаче импульса.Тя ) и в режиме установки (транзистор 4 закрыт),И режиме хранения, потнцив а на входных эмиттерах элемента, соединенного с аналогичными элементами второй фазы тактовыхимпульсоь, могут изменяться от Удо ЕГ4напряжение на диоде ,э при закрытом транзисторе 4, Так как потенциал объединенных эмиттеров транзисторов 1 и 2 равенДэ, изменение логических состоям.этч,нлсний элементов второй фазы ТИ не изменяетсостояние рассматриваемого. элемента, такКах 23, .,и р" П - переходы 30входных эмиттеров заперты ( ), . -напряжение насыщения транзистора 4),В режиме установки потенциал объединенных эмиттеров равен У, а потенциалывходных эмиттеров могут изменяться от...

Номер патента: 494767

Опубликовано: 05.12.1975

Авторы: Аракчеева, Мамута, Прушинский, Удовик, Федоров, Филиппов

МПК: G11C 11/40

Метки: памяти, ячейка

...протекающий через переход транзи, Яворовская тор Л, Утехина Корректор Т. Фисенко хред амышникова аказ 196/14 Изд, Мо 129 ИПИ Государственного ко по делам изобре 113035, Москва, Ж, Тираж 648 итета Совета Мин ений и открытий Раушская наб., дПодписноев СССР Типографи пр. С ва стора 5. Этот транзистор входит в насыщение, его переход база - коллектор (который является одновременно переходом база - эмиттер транзисторов 1 и 2) смещается в прямом направлении, и большая часть базового тока ответвляется за счет инжекции неосновных носителей в этот открытый переход. Ток, протекающий по переходам эмиттер - база транзисторов 1 и 2, вызывает вторичную инжекцию в коллекторы этих транзисторов, являющиеся базами транзисторов 3, и транзисторы 3 и 4...

Номер патента: 1817236

Опубликовано: 23.05.1993

Авторы: Комаров, Мартынов, Салацкий

МПК: H03K 17/60

Метки: ключ, силовой, транзисторный

...существенно меньше тока на грузки, что значительно снижает мощностьпотерь в цепях управления, а следовательно повышает КПД устройства в целом.При подаче отрицательного сигнала управления на входную клемму 11, отрицательный потенциал через резистор 7Силовой транзисторный ключ, содержащий силовой транзистор, два управляющих транзистора, источники отпирающего и запирающего напряжения, резистор, диод, база силового транзистора соединена с эмиттерами управляющих транзисторов, эмиттер силового транзистора - со средней точкой источников отпирающего и запирающего напряжений, а базы управляющих транзисторов соединены с одним из выводов резистора, егораЪ вывод которого подключен к входной клемме, коллектор одного йэ управляющих транзисторов...

Номер патента: 319059

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Алипов, Гус, Стахов, Удовиченко

МПК: H03K 5/02

Метки: амплитудный, дискриминатор

...транзистора 2 и его коллектор, конденсатор 9, переход базаэмиттер транзистора 1 и его коллектор, конденсатор 10.20 Второй ключевой элемент содержит резистор 11, источник напряжения смещения Е., отрицательный потенциал которого подключен к клемме 12, а положительный - к обще.му проводу 5, диоды 1 З и 14, коммутирующие 25 вторую цепь положительной обратной связимультивибратора, включающую в себя конденсатор 15, переход база-эмиттер транзистора 2, коллектор последнего, конденсатор 9, переход база-эмиттер транзистора 1, коллек тор последнего и конденсатор 16.319059 из 1 ипь ееиерацои еи г 2 Составитель Н, Герасимоваорозова Техред Л. Богданова Корректор Л, Орл едакт Изд.1491 Тираж 473 Подписноепо делам изобретений и открытий при Совете...