Измеритель электрофизических свойств полупроводниковых слоев

Номер патента: 319839

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Архипов, Баранов, Земсков, Савельев, Севастопольский, Стогнушенко, Фатькин

МПК: G01B 11/14

Метки: величины, двумядеталями, зазора, между

...свето- разделительной пластиной 2 на два пучка 1 и 11, Поток лучей пучка 1 объективом 3 фокусируют в плоскости, образующей измеряемый зазор 4, расположенный в фокальной плоскости объектива, Отразившись от кромки одной из проверяемых деталей, поток лучей попадает на светоразделительную пластину 2 и далее на фотоэлектронный умножитель 5. Поток лучей пучка 11 полупрозрачным зеркалом б разделяют на два пучка 11, и 11 п. Пучок 11, направляют к зеркалу 7, а световой пучок 11 о - к зеркалу 8. При изменении расстояния между плечами 11 и 11 б отраженные световые потоки от зеркал 7 и 8 на полупрозрачном зеркале б, образуют интерференционную картину и далее поступают на фотоэлектронный умножитель 9 в виде темных и светлых полос. При...

Номер патента: 1221487

Опубликовано: 30.03.1986

Авторы: Заярненко, Кулиш, Мовшович, Сажин, Янкович

МПК: G01B 11/14

Метки: величины, зазора, матрицей, между, пуансоном

...и предназначено для установки зазора в различных парах.Целью изобретения является определение также и равномерности распределения зазора в процессе сборки путем определения разности количестваделений, нанесенных на матирсваннуюповерхность экрана,На чертеже представлена схемаустройства для измерения величины.зазсрааУстройство содержит пуансонматрицу 2, осветитель 3, установленный со стороны матрицы 2 излучениекоторого условна показана стрелками, и экран 4, установленный междуматрицей 2 и пуансоном 1 и выпалненньй в виде плоскапараллельной плас Отины изоптически йрсзрачного материала, поверхность 5 которого, обращенная к плоскости пуансона 1 выполнена матированной с нанесеннойна ней координатной сеткойУстройство работает следующим...

Номер патента: 1479824

Опубликовано: 15.05.1989

Авторы: Бручас, Маченис, Печкис

МПК: G01B 11/14

Метки: двумя, зазоров, малых, между, поверхностями

...зазора определяют из сис 1 С темы уравнений 15 гдеТ,иТг и Ь 20 й,+ Лг1У при сложении оптически удлиненноголуча 1 ог на Лг/8 по ветви 1, 3, 6,7, отраженного его от второй поверхности, с когерентным ему лучом 1 огпо ветви 1, 6, 7, отраженным от первой поверхности, третья - при сложении лучей Т, отраженных от первойи второй поверхностей; четвертая -при сложении лучей 1 , отраженныхот первой и второй поверхностей, пятая - при сложении оптически удлиненного луча Е ", на 3/8 Ь, по ветви1, 4, 6, 7, отраженного от второйповерхности, с когерентным ему лучом1 , по ветви 1, 6, 7, отраженным отпервой поверхности, шестая - присложении оптически удлиненного лучаТ" на 3/8 г по ветви 1, 5, 6, 7,отраженного от второй поверхности, скогерентньм ему лучом Т...

Номер патента: 1037048

Опубликовано: 23.08.1983

Авторы: Змеяускас, Шаповалов

МПК: G01B 5/14

Метки: двумя, зазора, между, поверхностями, разъемными

...образца, .В качестве пластичного материала выбран свинец .1 3Недостатком известного способа является ега ограниченные технологические возможности, так как при" меняемый образец из свинца после разъема поверхностей мажет смещаться и при этом смещаются координаты точек, в которых производятся измерения, Кроме тога, известный способ не позволяет измерять зазоры меж ду тонкими и хрупкими поверхностя- . ми.Целью изобретения является расширение технологических возмокнастейПоставленная цель достигается тем, что согласно способу измерения зазора между двумя разъемными поверхностями заключающемуся в том,. что образец расчетных размеров, изготовленный из пластичного материала, помещают в зону. измерения на одну поверхность, сдвигают разъемные...

Номер патента: 951938

Опубликовано: 15.12.1993

Авторы: Биленко, Лясковский

МПК: G01J 5/60

Метки: образцов, полупроводниковых, температуры

...меньшей погрешностью. В этих случаях, поскольку РД (Т - То)1, можно получить выраже ния для температуры ТТо соответственно ДоТ=Т. +о.Поскольку и ив фазовом набеге равноправны, а рефракцией на температурныхнеоднородностях мы пренебрегаем, так какрасстояние от неоднородностей до плоскости выходной грани образца мало ( 100мкм), то можно приписать все температурлное изменение фазы показателю преломления и считатьФ(Т) аЬп,ф = поф ЬТ,35Следовательно,Т(х,у,г, х ) = Т + 40, и,Из этих формул видно, что можно динамически измерить распределение температуры в образце, зная его начальную температуру и пространственно-временное эффективное изменение показателя преломления Ьп,ф (х, у, г, х), вызванное неоднородным нагревом. Начальную тем-....