Способ определения поверхностного потенциала

Номер патента: 782510

Опубликовано: 23.09.1982

Авторы: Версоцкас, Кальвенас, Михаляк

МПК: H01L 21/66

Метки: поверхностного, полупроводника, потенциала, электростатического

...термоэдс от постоянного напряжения на емкостном контакте с ес теоретической зависимостью от поверхностного электростатического потенциала полупроводника при фиксированной энергии электромагнитного излучения.Данный способ осуществляют следующим образом.К полупроводниковому образцу с одним металлическим и другим емкостным контактами прикладывают постоянное смещающее напряжение такой малой величины, чтобы существенно не нарушалось термодинамическое равновесие между свободными носителями тока и решеткой полупроводника. Измеряют суммарную емкость образца С, состоящую из емкости области поверхностного пространственного заряда С,-, и емкости диэлектрика Со, под емкостным контактом в зависимости от величины постоянного смещающего напряжения...

Номер патента: 693276

Опубликовано: 25.10.1979

Автор: Рагаускас

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: велечины, емкости, зависимости, конденсатора, металл-диэлектрик-полупроводник, поверхностного, потенциала, структурой, электростатического

...идеализированные теоретические зависимости.Второе из известных устройств содержитгенератор линейно изменяющегося напряжения, аналоговое дифференцирующее устройством, образованное операционным усилителем и исследуемой МДП-структурой, ко торая включена между выходом генератора и инвертирующим входом операционного уси лителя, и осциллограф 2. Это устройство также не обеспечивает измерения зависи мости емкости МДП-структуры от величиныповерхностного электростатического потенциала.. Брызгаовая Составитель ЮТехред О. ЛугТираж 1073Государственного клам изобретений иква, Ж - 35, РаушсПатент, г. Ужгоро Редактор И, Нестеро Заказ 6066/1 6р Н. Стене митета С открытий кая наб.,ул. Про ЦНИИПИпо д 113035, Мо лиал ППП д. 4(5 ктная, 4 времени,...

Номер патента: 1046714

Опубликовано: 07.10.1983

Авторы: Жилинскас, Лазовский

МПК: G01R 29/12

Метки: поверхностного, полупроводниковом, потенциала, распределения, слое, электрического

...7 неподвижных сигнальныхэлектродов, анализатор 8 скоростиизменения потенциала, блок 9 логического совпадения и генератор 10тактовых импульсов.юУстройство работает следующимобразом. На проводящей подложке 2 располагается предварительно заряженный исследуемый образец (полупроводниковый слой). В результате взаимодействия заряда исследуемого образца с одним из сигнальных электродов матрицы 7 неподвижных сигнальных электродов напряжение на выхо, де интегратора 3 заряда становится пропорциональным количеству заряда, прошедшему по входной цепи меж ду проводящей подложкой 2. и,сигнальным электродом матрицы 7, неподвижных сигнальных электродов. Матрица 7 неподвижных сигнальных электродов представляет собой плоскость, сос тоящую из и отдельных...

Номер патента: 691786

Опубликовано: 15.10.1979

Авторы: Ворвуль, Ковалелис, Ружяле

МПК: G01R 29/12

Метки: поверхностного, потенциала, электростатического

...содержйт прозрачную пластину1, на которую нанесены экранирующийи измерительный электроды 2 и Э,причем экранирующий электрод 2 нанесен на одной стороне прозрачнойпластины 1 и снабжен отверстием 4,а измерительный электрод Э нанесенна противоположную сторону прозрачнойпластины 1 соосно с отверстием 4 иимеет размер отверстия 4.Экранирующий электрод 2 и измери-.тельный электрод 3 имеют контактныеплощадки 5 и 6.Устройство работает следующимобра зом,Величина измеряемой с поиощьюустройства площади заряженного участка поверхности материала практическиравна площади измерительного электрода 3, поэтому уменьшение размеровизмерительного электрода 3 и отверстия 4 в экранируквем электроде 2увеличивает разрешающую способность.Уменьшение...

Номер патента: 103374

Опубликовано: 01.01.1956

Автор: Буканова

МПК: B43L 13/10

Метки: изменения, кривых, масштаба, поперечного

...в продольном пазу линейки, устанавливаемой параллельно нулевой линии исходной кривой.Имеющиеся на линейке 1 штрихи с цифрами, обозначаюшими масштаб изменения, должны находиться от оси вращения 5 на следующих расстояниях в ям:1,2 - 500 яя; 1,3 - 462 ям;1,6 - 375 ; 1,7 - 3532,0 - 300 ; 2,1 - 2852,4 - 250 ; 2,5 - 2402,8 - 214 ; 2,9 - 207 1,4 - 428 ям; 1,5 - 400 ям1,8 - 333 ; 1,9 - 3152,2 - 272 ; 2,3 - 2612,6 - 231 ; 2,7 - 2223,0 - 200Общий вид устройства представлен на чертеже. Устройство состоит из двух линеек 1 и 2. Линейка 2 прикреплена к пластинке, на которую во время работы кладется груз для того, чтобы линейка была неподвижна.На линейке 1 закреплены перья (карандаши) 3 и 4, Перо 3 закреплено на линейке неподвижно, перо 4 перемещается...