Гуога

Номер патента: 520547

Опубликовано: 05.07.1976

Авторы: Ашмонтас, Гуога, Лапинскас, Субачюс

МПК: G01R 21/04

Метки: колебаний, мощности, сверхвысокочастотных

...отрезок волновода 1, полупроводниковую пластину 2 с точеч-, Щ ными омическими контактами 3, 4 и метал,. лическими зондами 5, 6 к ним, причем пластина 2 расположена в полости отрезка; волноводв нв теплопроводяшей изоляционной,: подложке 7. Приконтактнвя область 8 плас- М в со;ступенчатым распределеей примеси, а приконтвктнвяплавным распределением. работает следующим,образом в отрезок волноводв сверх- . ых колебаний между контакт разность потенциалов, пропроходящей через отрезок щности этих колебаний,Асимметрия, вольт-амперной характерис-, тики контакта 3 обусловлена возникновени-, ем обьемного заряда в приконтактной облас)- тн 8 со ступенчатым распределением ле-гирующей примеси и нелоквльной связью между подвижностью носителей...

Номер патента: 308390

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Гуога, Кальвенас, Климка, Пожела

МПК: H01L 21/66

Метки: поверхностного, потенциала

...полупроводника, прикладывают внешнее электрическое продольное поле, по следнее не нарушает термодинамическое равновесие между свободными носителями и решеткой полупроводника. При этом заряд в области пространственного заряда в полупроводнике изменится таким образом, чтобы 15 экранировать объем полупроводника как от поля заряда, локализованного в поверхностных состояниях, так и от внешнего приложенного электрического поля. Соответственно изменится поверхностный потенциал и одно значно связанное с ним поверхностное сопротивление. Поэтому измеряя изменение поверхностного сопротивления, определяют поверхностный потенциал по теоретическим кривым.Цель изобретения заключается в повыше нии чувствительности измерения, в возможности...