Кальвенас

Номер патента: 550882

Опубликовано: 23.06.1983

Авторы: Версоцкас, Кальвенас, Юзкевичене

МПК: G01R 31/26, H01L 21/00

Метки: горячих, носителей, полупроводнике, температуры, эффективной

...горячихносителей тока в полупроводнике обычно определяют по величине термоэдс, 5обусловленной градиентом концентрации носителей тока, который создаютпосредством лвгирования полупроводника, что является технологически слож, ным и трудно контролируемым процес Осом. В процессе измерения наряду сполезным сигналом обычно появляютсяи нежелательные ЭДС. Все это приводит к снижению точности измерений.В известном способе определения 15эффективной температуры горячих носителей тока в полупроводнике 1в части однородного образца с контактами, создаютэлектрическое поле,причем контакты находятся вне области электрического поля, освещают образец светом, в результате чего создается необходимый градиент концентрации носителей тока, приводящий...

Номер патента: 557698

Опубликовано: 23.06.1983

Авторы: Версоцкас, Гавутис, Гечяускас, Кальвенас, Пожела, Репшас, Юскевичене

МПК: H01L 21/22

Метки: датчиков, импульсной, мощности, свч

...датчиков импульсной мощности 10 в большой степени зависят от температуры окружающей среды.Известен также способ изготовления датчиков импульсной мощности СВЧ путем вплавления металлического сплава в приконтактную область кремниевой пластины электронного типа проводимости 2 .Недостатком изготовленных этим способом датчиков импульсной мощности СВЧ является изменение их показаний в интервале температур Т = - -(50-60 ОС) до 6. Это обьясняется тем, что контакт к кремниевой пластине создается вплавлением сплавазолота с примесью сурьмы, а диффузия примеси с глубокими уровнями в запрещенной зоне ведется из спла- .ва. Для получения необходимой концентрации примеси типа золота в кремниевой пластине сплав золото - сурьма необходимо нагревать...

Номер патента: 782510

Опубликовано: 23.09.1982

Авторы: Версоцкас, Кальвенас, Михаляк

МПК: H01L 21/66

Метки: поверхностного, полупроводника, потенциала, электростатического

...термоэдс от постоянного напряжения на емкостном контакте с ес теоретической зависимостью от поверхностного электростатического потенциала полупроводника при фиксированной энергии электромагнитного излучения.Данный способ осуществляют следующим образом.К полупроводниковому образцу с одним металлическим и другим емкостным контактами прикладывают постоянное смещающее напряжение такой малой величины, чтобы существенно не нарушалось термодинамическое равновесие между свободными носителями тока и решеткой полупроводника. Измеряют суммарную емкость образца С, состоящую из емкости области поверхностного пространственного заряда С,-, и емкости диэлектрика Со, под емкостным контактом в зависимости от величины постоянного смещающего напряжения...

Номер патента: 817559

Опубликовано: 30.03.1981

Авторы: Кальвенас, Пучинскас, Сафонова

МПК: G01N 25/08

Метки: жидкости, кипении, тепло-отдачи

...частей нагрев атвля,На фиг. 1 схематически изображено предлагаемое устройство; на фиг.2=-. графики распредвпения напряжения.Устройство состоит из сосуда 1с крышкой 2, заполненного жидкостью3, полупроводникового опытного нагревателя 4, снабженного электрическими зондами 5, 6и и тврмопары 7для измерения температуры жидкости.Сосуд 1 заполняется исследуемойжидкостью и через опытный нагреватель4 пропускается постоянный ток от источника питания. При помощи электрических зондов 5 - и, измеряется падение напряжения вдоль нагревателя.Термопарой 7 измеряется температура жидкости, Из экспериментально полученной кривой распределения напряжения,вычисляется падение напряжения нанужном участке О ОП "О (номер зонда и), Удельная...

Номер патента: 738165

Опубликовано: 30.05.1980

Авторы: Кальвенас, Французович

МПК: H03K 17/567

Метки: ключ, постоянного, статический

...восстановление упранляе мости ключа при случайном одновременном отпирании обоих тиристоров,увеличить коммутируемую мощность, котораяограничивалась тразистором, и повысить КПД, так как после запираиия 25 силового тиристора ключ не потребляетэнергии от источника питания,Формула изобретения денсатора, между первым токоным выводомкоммутирующего тиристора и первойклеммой источника питания включенэлемент с Б-образной вольт-амперной.характеристикой, например позистор,На фиг. 1 и 2 представлен ключ,два вариантаВ статическом ключе постоянноготока, содержащем силовой тиристор 1,нагрузку 2, коммутирующий тиристор 3,коммутирующий конденсатор 4 и блок 5упранления, ныходы которого подключены к управляющим электродам силовогои коммутирующего...

Номер патента: 308390

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Гуога, Кальвенас, Климка, Пожела

МПК: H01L 21/66

Метки: поверхностного, потенциала

...полупроводника, прикладывают внешнее электрическое продольное поле, по следнее не нарушает термодинамическое равновесие между свободными носителями и решеткой полупроводника. При этом заряд в области пространственного заряда в полупроводнике изменится таким образом, чтобы 15 экранировать объем полупроводника как от поля заряда, локализованного в поверхностных состояниях, так и от внешнего приложенного электрического поля. Соответственно изменится поверхностный потенциал и одно значно связанное с ним поверхностное сопротивление. Поэтому измеряя изменение поверхностного сопротивления, определяют поверхностный потенциал по теоретическим кривым.Цель изобретения заключается в повыше нии чувствительности измерения, в возможности...