312549
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 312549
Авторы: Кучин, Нижегородов, Шаповалов
Текст
О 3125 САН И РЕТЕНИ Союз Советск циалистических Республик АВТОРСИОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ от авт. свидетельствависи Заявлено 04,Ч 11.1969 ( 1354295/26.2с присоединением заявкиПриоритет М. Кл. Н 011 7/00 Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССРликовано 21,Ч,1972. Бюллетень14 УДК 621.382 002(088.8) Дата опубликования описания 22 Х.1 Авторыизобретен Кучин, В. И, Нижегородов и В. П. Шаповалов явитель ОВОГО ПРИБОРА ПОСОБ ИЗГОТОВЛЕН ЛУПРОВО Изобретение относится к электронной промышленности. Данный способ может быть использован при производстве сплавных диодов и транзисторов на основе монокристаллического германия п-типа, 5Известен способ изготовления полупроводниковых приборов на основе монокристаллического германия и-типа путем механической разделки слитка на пластины, пластин на кристаллы, химической подготовки поверхности 10 кристаллов под вплавление, отжига кристаллов перед вплавлением переходов при температуре, не превышающей температуру вплавления навесок в кристалл, а именно, при 400 - 540 С в течение 5 - 7 мин без регламен тирования скорости охлаждения кристаллов после отжига.При известном способе на,параметрах приборов отрицательно сказываются дефекты структуры, заложенные при выращивании мо нокристаллов, на которые накладываются механические напряжения, неизбежно возникающие в процессе разделки слитков монокристаллов германия на кристаллы.Предлагаемый способ позволяет уменьшить 2 влияние неконтролируемого флуктуационного распределения центров рекомбинации в объеме р-п-перехода, т. е. уменьшить дефекты структуры, заложенные при выращивании монокристалла, а также снять механические на пряжения, возникающие при разделке слитков. Он отличается тем, что отжиг кристаллов перед вплавлением проводят при температуре выше температуры вплавления, но ниже температуры активной термоконверсии для германия а-типа, в течение времени, которое превышает время вплавления в 5 - 6 раз, и со скоростью охлаждения не более 15 С/мин,.Способ осуществляется следующим образом.,Исходный слиток монокристаллического германия и-типа любым известным способом разрезают последовательно на пластины и кристаллы, после чего любым известным способом проводят химическую обработку поверхности кристаллов, например, травлением в НО+КОН, Кристаллы германия после обработки их,поверхности загружают в кассеты и помещают в водородную печь для отжига.Температура печи с загруженными кристаллами, произвольно повышается до температуры выше температуры вплавления электродов, например до 600 С, и выдерживается на этом уровне в течение времени, которое превышает время вплавления в 5 - 6 раз, например, в течение 30 мин. Затем печь с загруженными кристаллами охлаждают со скоростью не более 15 С/.иин, После этого отожженные кристаллы выгружают из,печи и отправляют на сборку, в,процессе которой кристаллы и элек312549 Составитель И. Лепешкина Корректор Е. Миронова Текред 3. Таранеико Редакор Б. Федотов Заказ 1343/1 Изд.604 Тираж 448 ПодписноеЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССРМосква, Ж, Раушская наб., д. 4/5 Типография, пр. Сапунова, 2 тродные навески загружают в кассеты для вплавления р-и-переходов. Вплавление происходит в водородных .печах при температуре порядка 560 С в течение 5 - 7 мин. Предмет изобретенияСпособ изготовления полупроводникового прибора на основе монокристаллического германия п-типа путем механической разделки слитка на пластины, пластин на кристаллы, химической подготовки поверхности кристаллов под вплавлениепредварительного отжига кристаллов перед вплавлением, вплавления р-;-перехода, отличающился тем, что, с целью уменьшения влияния неконтролируемого флуктуационного распределения центров ре комбинации в объеме р-п-перехода, отжигкристаллов проводят в течение времени, превышающего в 5 - 6 раз время вплавления, и лрн температуре, превышающей температуру вплавления электродов, но ниже температуры 10 активной термоконверсии для германия и-типа, с последующим охлаждением со скоростью не более 15 С/лин,
СмотретьЗаявка
1354295
В. Д. Кучин, В. И. Нижегородов, В. П. Шаповалов
МПК / Метки
МПК: H01L 21/00
Метки: 312549
Опубликовано: 01.01.1971
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-312549-312549.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">312549</a>
Способ гидротермального выращивания кристаллов со структурой типа ктр
Номер патента: 1583477
Опубликовано: 07.08.1990
Авторы: Демьянец, Мельников, Триодина
МПК: C30B 29/14, C30B 7/10
Метки: выращивания, гидротермального, кристаллов, ктр, структурой, типа
...Р, КН РО 4 при 1000 СПРоцесс ведут при соотношениижидкой и твердой Фаз, равном 10:15:1 по объему.4 1583477 Шнхт Концентрация ра створите ие ическая а мас. Стекло КГКА 1 РО Г 5О,КА 1 РО Г 100% 0,7 0,6 КА 1 РО Г (скоростьроста уменьшаетсяна порядок) КА 1 Р 04 Г (100%)кристаллы в видепластин 150 О,РО с талл100%) иэомермы 0 0,8 0 ской 5 КАУРО,Г (100%) КА 1 РОГ размером 0,5 см удлиненно Формы (100%)длиненная форма 0 4 10 100 0,7 У Г (г 0%),о КА 1 РОГ (80%)4 Г (50%) р+ Си (50%) 300 ст 5 5КНГ На дно автоклава объемом 160 см,футерованного медным вкладышем, помещают 40 г шихты, представляющейсобой фториднофосфатное стеклостехиометрического состава (КА 1 РОГ).Вкладыш с шихтом заполняют растворителем КГ концентрацией 5 мас.%с коэффициентом...
Дисковый тормоз нормально-разомкнутого типа и способ регулирования температуры фрикционных дисков в дисковом тормозе
Номер патента: 1178978
Опубликовано: 15.09.1985
Авторы: Козин, Костин, Краснослободцев, Пантелеев, Титов
МПК: F16D 55/00
Метки: дисков, дисковом, дисковый, нормально-разомкнутого, температуры, типа, тормоз, тормозе, фрикционных
...входящего в состав асбопомещаться вдоль оси вращения фрик- лимера, и образование жидких продукционного диска 2 тормоза. Компенса- тов износа. Это значительно уменьционная пластина 8 является фрикци- шает коэффициент трения вследствие онным элементом, имея поверхность тре смазывающего действия образующейся ния, и служит для электрического 20 жидкости и существенно увеличивает соединения колец 3 и 4 полупроводни- при этом скорость износа фрикционкового термоэлектрического элемента. ных дисков.По ней протекает электрический ток В данной конструкции тормоза для и она выполняется из любого токопроснижения температуры, развиваемой водящего материала. Кольцевой зазор 25при трении, в неподвижный фрикционмежду кольцами 3 и 4 полупроводниконый...
Способ определения положения анионов в кристаллах со структурой типа рутила
Номер патента: 1226208
Опубликовано: 23.04.1986
Авторы: Андриевская, Киселев, Клещинский, Лунев, Розенберг
МПК: G01N 23/20
Метки: анионов, кристаллах, положения, рутила, структурой, типа
...титана. Интенсивности рефлексов измеряются на дифрактометре 2 О ДРОК,0 в СцК -излучении. Полученные результаты сведены в таблицу. Изобретение относится к методам расшифровки структуры кристаллов.Целью изобретения является повышение экспрессности и точности определения положения анионов в кристаллах со структурой типа рутила,имеет вид: Материал Интенсивность (имп) 1 ло 1 ссс 1 ясо сп 5546 17813 0,3113 0,295 0,3819 0,300 ТО 7874 20615 Погрешность в определении координаты составляет 0,57. Использование предлагаемого способа сокращает время эксперимента 35 и позволяет уменьшить погрешность определения координаты. Формула изобретения4 О Способ определения положения анионов в кристаллах со структуройСоставитель Т. ВладимироваРедактор...
Способ получения фенолоформальдегидных смол новолачного типа
Номер патента: 765288
Опубликовано: 23.09.1980
Авторы: Асс, Воронова, Глебычев, Евтеева, Козловская, Савельев, Суменков, Тимофеев, Файдель, Хазова, Якобсон
МПК: C08G 8/10
Метки: новолачного, смол, типа, фенолоформальдегидных
...350 кг остатков производства. фенола и ацетона кумоцьным методом, 2479 кг 36,7%-ного формалина, перемешивают в течение 20 мин, затем загружают первую порцию катализатора 70 кг синтетических жирных кислот С р-С и после 20 мин перемешивания 3,2 кг со в ляной кислоты с концентрацией 31,2% до установления рН 1,6. Реакционнуюосмесь нагревают до 60-70 С подачей в рубашку реактора в течение 30-35 мин, затем подачу пара прекращают и даль З нейший подъем температуры до кипения смеси идет за счет тепла экэотермической реакции, При температуре кипения смесь выдерживают 20 мин, затем при перемешивании вводят соляную кислоту ув с концентрацией 31,2% в количестве 3,3 кг. Конденсацию реакционной смеси при температуре кипения продолжают еще 30 мин до...
Способ получения образца галлия
Номер патента: 827260
Опубликовано: 07.05.1981
Авторы: Абрютин, Безыменская, Ефимова, Зубков, Морозова, Рыцарев, Чупятова
МПК: B22D 27/04, G01N 27/00
...совершенных по структуре образцов галлия обеслечивается заданной скоростью,роста (скоростью перемещения фронта кристаллизации) 0,01 - 0,8 ммlмин, Поименение скоростей меньшее 0,01 мм(мин нецелесообразно с точки эрения длительностп процесса, а также получения образцов с неравномерным по длине распределеиием примесей. Проведение процеосов при скоростями выше 0,8 мм(мин приводит к нарушениям структуры монокристалличесяих образцов, а также,к значительному отклонению от иристаллографичеокого направления (010), что сказывается на результатах измерения величины остаточного солротивлеиия, Температура заливаемого галлия 5 1 О 15 20 25 зо 35 40 45 50 55 60 35 - 60 С обеспечивает надежное затравление монокристалла от ориентированной лодложки,...
Предыдущий патент: Прибор для определения вязкости материалов
Следующий патент: Параметрический усилитель
Случайный патент: Способ получения соединения графита с фторидом хлора