Способ получения покрытия
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
0 П И С А Н И Е 3 У 1 ЗИЗОБРЕТЕНИЯ Союз Советских Социалистически РеспублиТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТ Зависимое от авт. свидетельства М МПК Н 011 7/О явлено 12.Ч 11.1969 ( 1348497/26-25) с присоединением заяв Комитет по деламзобретеиий и открыт ПриоритетОпубликовано 07.Х.1971, Бюллетень .й 30 " УДК 621.382.002(088.8) аи Совете Мииистров СССРубликования описания 9.ХП.197 Авторытзобрете Л, М. Герт, А. А. Бабад-Захряпин и Л. Р. Юшина / Заявите СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПОКРЫТИЯ " С и скотся слой Изобретение относится к области создания кристаллоориентированных,покрытий и может найти применение в электровакуумной технике,Известен способ создания кристаллоориентированных покрытий, состоящий в том, что при определенном пересыщении осуществляют конденсацию пара на кристаллоориентированной подложке, Величина пересыщения выбирается такой, чтобы обеспечить эпитаксиальный рост покрытия. В случае автоэпитаксиального процесса, т. е. при конденсации вещества на подложку из того же вещества эпитаксиальный рост характеризуется тем, что в покрытии полностью сохраняется ориентировка кристаллов подложки. Однако в случае подложки с многокомпонентной текстурой при автоэпитаксиальном росте в покрытии не удается сохранить только одну определенную компоненту, убрав все остальные компоненты текстуры.С целью сохранения,в покрытии только одной из компонент текстуры подложки осуществляют образование покрытия при пересыщениях пара больших, чем это необходимо для автоэпитаксиального роста, при этом величина пересыщения должна иметь конкретные значения, определенные типом той компоненты текстуры, которую необходимо сохРанить: пересыщение пара должно быть таким, чтобы кристаллографическая плоскость,параллельная плоскости подложки собственной текстуры покрытия, совпадала с кристаллографической плоскостью зерен подложки,5 определяющих выбранную компоненту текстуры подложки.Под собственной текстурой покрытия подразумевается та аксиальная текстура, которая образуется в конденсатах, создаваемых10 на кристаллонеориентированных (аморфных)подложках. Собственная текстура в основном определяется пересыщением пара.Способ иллюстрируется следующим при.мером.15 В покрытии на подложке из молибдена стекстурой типа (100) 110+ (111) 112 ++ 110 необходимо сохранить только текстурную компоненту (111) 112 ). Образова.ние покрытия производят конденсацией па 20 ров молибдена в вакууме. При температуреподложки 1000 - 1200"С автоэпитаксиальныйрост реализуется при скоростях роста покрытия 0,7 - 1,5 лтк/мин. При той же температуреподложки и скоростях роста покрытия 5,5 -25 6,5 мкмин собственной текстурой покрытияявляется аксиальная текстура 111,При температуре подложкирости роста слоя 6 мк(мин о 0 толщиной 40 лк.Предмет изобретения Составитель М. ф, Сорокина Текред Т. Т, Ускова Корректоры: А. Николаева н Л. Корогод1 едактор Ю. Полякова Заказ 3422,14 Изд. М 1439 Тираж 473 ПодписноеЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открьпий при Совете Министров СССР Чосква, Ж, Раушская паб., д. 4,5 Типография, пр, Сапунова, 2 В покрытии обнаружена только компонен та текстуры (111) 1121.9 ф 1, Способ получения покрытия, например металлического, на поликристаллической подложке с многокомпонентной текстурой из того же материала, что и материал покрытия, осаждением из паровой фазы, отличающийся тем, что, с целью сохранения в покрытии только одной из компонент текстуры подложки, пересыщение пара осаждаемого материала выбираюг большим, чем это необходимо для автоэпитаксиального роста, но находящимся в пределах, необходимых для получения такой собственной аксиальной текстуры роста покрытия, для которой кристаллогра 5 фическая плоскость, параллельная плоскостиподложки, совпадает с кристаллографпческой плоскостью зерен подложки, определяющих выбранную компоненту текстуры подложки.10 2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что, сцелью сохранения в молибденовом покрытии определенной текстуры, например (111) 1112, осаждение ведут при температуре подложки 1100 - 1200 С и скорости роста 5 - 15 б як/мии
СмотретьЗаявка
1348497
Л. М. Герт, А. А. Бабад Захр пин, Л. Р. Юшина
МПК / Метки
МПК: H01L 21/285
Метки: покрытия
Опубликовано: 01.01.1971
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-317131-sposob-polucheniya-pokrytiya.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ получения покрытия</a>
Способ нанесения металлического покрытия на подложку
Номер патента: 1442080
Опубликовано: 30.11.1988
Авторы: Тацуичиро, Тосинори, Юносюке
МПК: C23C 14/00
Метки: металлического, нанесения, подложку, покрытия
...1, В 2-В 2,Устройство работает следующим образом.В камере 3 парового осаждения поддерживают вакуум в пределах 1,33 10 -1,33 10 Па. С помощью разогретогокатода 8 под действием приложеннойразности потенциалов 0,1-10 кВ междукатодом 8 и тиглем 7 (анодом) происходит его электронная бомбардировкаи тигель 7 нагревается до 200-2500 С.В результате в тигле 7 создаетсяизбыточное давление паров, под действием которого пары материала 12сбрасываются через выходное отверстие, диаметр которого составляет1-ЗОЕ диаметра тигля 7 в виде струи,Образовавшийся за счет адиабатического расширения пучок ионизируется за счет столкновения с электроннымпотоком, который образуется с помощью источника 10 электронов и ионизирующего электрода 9, являющегосяанодом,...
Способ изготовления образца для определения прочности сцепления покрытия с подложкой
Номер патента: 1045090
Опубликовано: 30.09.1983
МПК: G01N 19/04
Метки: образца, подложкой, покрытия, прочности, сцепления
...измеряют температурные ксзффпциенты линейного расширенияподложки без покрытия ц подложки спокрытием в момент полного выравнивания температуры нагрева по всему объемув области упругих деформаций ц определяют разцость этих коэффициентов, кстсьрчо учитывают при определении прочноогц сцепченця,Сущность предлагаемого способа заклсчйетс я в следующсмМатериал подложки подвергают термсобработке для снятия внутренних напряжений, Температуру нагрева определяст цс рсзснансным частотам вьшужценцых кслебаций материала подлокки в упругой облагги, Для этого берут несколько подложек одного материала и измеря 1 ст цх резонансную частоту затем тер-мссбрабатывают их прц одинаковых режимах, оставляя без изменения времявыдержки скорость...
Образец для определения прочности сцепления покрытия с подложкой
Номер патента: 1809370
Опубликовано: 15.04.1993
Авторы: Тимашев, Филимонов, Фоминых
МПК: G01N 19/04
Метки: образец, подложкой, покрытия, прочности, сцепления
...обусловленным градиентомтемператур и скоростью частйц в центральной и периферийной области напыления, Впокрытии действуют различные напряжения, зависящие от его величины и толщины.Необходимо учитывать, что при многослойном напылении на поверхность подложки происходит усадка напыленногослоя. С ростом толщины покрытия иэ-за влияния внутренних напряжений, которые возникают в результате усадки напыленного материала, может проиэойтй разрушение контактной зоны и, в конечном счете, отслоение покрытия от подложки.5 При бй1, где б - диаметр отверстия,и - толщина покрытия, покрытие испытывается на чистый отрыв, но напряжение в переходной зоне "покрытие-подложка" увеличиваются, так как зона соприкоснове ния штифта с подложкой по образующейявляется...
Образец для определения сил адгезии покрытия к подложке
Номер патента: 461332
Опубликовано: 25.02.1975
МПК: G01N 1/44, G01N 19/04
Метки: адгезии, образец, подложке, покрытия, сил
...большого количества образцов при различных температурах в исследуемом интервале температур, либо одного образца, длительность которого велика, поскольку она определяется временем изменения температуры образца в процессе его нагреванияили охлаждения.Целью изобретения является упрощение измерений сил адгезии при различных температурах.Это достигается тем, что кольцо выс поперечным вырезом, предназначеннустановки по его краям нагревателядильника,На чертеже изображенобразец. Он выполнен в вирезом 2 и нанесенным наверхность покрытием 3. Ши статочна для установки по краям образца нагревателя 4 и холодильника 5.Образец используется следующим образом.После установки на образце нагревателя 4 и 5 холодильника 5 указанным выше образомпроизводят...
Установка для нанесения многослойных покрытий на подложку
Номер патента: 683808
Опубликовано: 05.09.1979
Авторы: Андреянов, Гимпельсон, Ефимов, Ройтман
МПК: B05C 5/02
Метки: многослойных, нанесения, подложку, покрытий
...9 поступает и далее проходит через блок 1. Поливными устройства- Н ми 11.13 последовательно наносят слои жидкости на подложку, движущуюся слева направо. Эти слои подсушивают струями воздуха, подаваемого перпендикулярно поверхности политых слоев из устройств 8. Нанесенные слои досуг вают на участке 4 и в начале блока 2, в той его части, где воздушные подушки находятся в нижних частях петлеобразных участков. Затем с помощью устройств 14 и 15 наносят слои на другую сторону подложки, движущуюся снраво и налево, Устройства для разворота подложки внутрь политой стороной после йоливных уст. ройств располагаются в верхних частях петлеобразных элементов. Нанесенные слои подсушива- ц ют воздухом, подаваемым из устройств 8, затем на...
Предыдущий патент: Способ цоколёвания трубчатых источников света
Следующий патент: 317132
Случайный патент: Нл 1