Чутуев

Номер патента: 310597

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Ков, Кремлев, Чутуев

МПК: H01L 27/06

Метки: 5nai, asбл, lhtw-gt, всесоюзная

...при этом парязитныЙ ток, я с 1 Гияльн 111 Контякт к кол,скторной Ооласти рас)олагяется в Оо,яст 1 минимального потенциала поля растекания.Многоэмиттерный транзистор выполнен попланарпо-эпптаксиальной технологии па ремз ппевой пластине р-типа и содержит эпитаксиальный коллектор с высоким удельным сопротивлением, в котором диффузией сформирована базовая область с омическим контактом.В базовой области расположены два или бо лее дифс 1)узпонных, адресных эмиттсров и одининфорхЯционпы 1. Коллектор имеет два невы- прям,чяющих контакта, один из которых является сигнальным, а второй - токозадающим.В данной констр кции ток одного илп песколь ких открытых адресных эмиттеров, протекачерез коллекторную область к токозадающему коллекторному...