Борюшкин
Логический элемент
Номер патента: 1314448
Опубликовано: 30.05.1987
Авторы: Борюшкин, Гладкий, Распоркин
МПК: H03K 19/08
Метки: логический, элемент
...7 подключен к выходу 8 и соединен с коллектором второго выходного транзистора 9 п-р-п-типа, эмиттер которо- го соединен с общей шиной и через второй резистор 10 подключен к его базе и эмиттеру транзистора 3, эмиттер дополнительного транзистора 11 р-п-р-типа соединен с эмиттером транзистора б, а база и коллектор подключены к коллектору и базе транзистора 9, входная цепь выполнена на транзисторе 12 п-р-п-типа, эмиттер и коллектор которого являютсясоответственно вхоцом и выходом вход" ной цепи, а база через резистор 13 подключена к шине 5 питания.Предложенный логический элемент работает следуащим образом. 5 1 О 15 20 25 ЗО коэффициента его влиянием на работулогического элемента можно пренебречь.Так как коэффициент усиления транзистора 11...
Устройство фазирования сигналов
Номер патента: 598217
Опубликовано: 15.03.1978
Авторы: Беляков, Борюшкин, Долгов, Палагин, Прибыловский
МПК: H03H 7/18
Метки: сигналов, фазирования
...через коммутаторы 10-1, 10-2, ,10-тт, к втОрым входам которых подключены выходЫ детекторов 11-1, 11-2, ,11-К точно-го фазирования.Устройство работает следующим образом.Предположим, что по первому, второму и К -му каналам поступает сигнал, причем его амплитуда в первом канале выае, чем в других каналах. При вращении и -дорожечного магнитного барабана 5 сигнал с первого канала, запи О санный головкой записи 6-1, считывается головкой считывания 7-1 соответствующей дорожки и появляется на выходе блока 2 сложения сигналов. Этот сигнал подается на входы Фазовых детекторов 4-2, ,4-К, где сравнивается с сигналами, поступающими из первого, второго и К -го каналов, при этом на выходах Фазовых детекторов 4-2, ,4- К возникает сигнал...
Способ создания защитной пленки
Номер патента: 316372
Опубликовано: 01.01.1971
Авторы: Борюшкин, Думиш, Федорович
МПК: H01L 21/316
Метки: защитной, пленки, создания
...структур формируют двуслойную пленку, состоящую из двуокиси кремния и слоя свинцовосиликатного стекла.На транзисторные структуры, накоторых находится слой двуоки316372 25 Предмет изооретения Составитель М. Сорокина Техред Е. БорисоваКоррскгор В. Жолудева Редактор Б, федотов Заказ 2029/3 Изд.883 Тираж 400 ПодписноеЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССРМосква, Ж, Раушская наб., д. 4,5 Типографии, нр. Сапунова, 2 ния, вакуумным распылением наносят слой свинца определенной толщины, затем окисляют свинец в атмосфере сухого кислорода, После окисления окись свинца сплавляют двуокисью кремния также в атмосфере сухого кислорода, причем толщину напыленного свинца, температуру и продолжительность...