Травитель для полупроводниковых материалов
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
О П И С А Н И Е 308470ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Соввтоких Социалистических РвоптбликЗависимое от авт. свидетельстваР 7/5 ПК аявлено 15,Х 11.1969 ( 1384348/26-25)присоединением заявкириоритет Комитет по долом обретений и открытн ри Совете Миниатрое СССР21.382,002 (088 вано 01.71.1971, Бюллетень2бликования описания 9,1 Х.1971 Опубли Дата вторызобретени В. Кузин Зайченко 3 аявител ТРАВИТЕЛЬ ДЛЯ ПОЛУ ОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ.1. 3. Четыре весовые част 5 НгО) и одна весовая част : 1. 4. Пять весовых часте 5 Н О) и одна весовая част : 1.Выявлениеозмож ность(ЗНбала 10 ченка дае наросшег границы подложк определить толщи слоя.5 Изобретение относится к технике травления полупроводниковых материалов.Известны многочисленные травители для травления полупроводниковых м атериалов. В частности, широкое распространение имеют травители кислотно-щелочного типа.Однако вое известные травители не позволяют определить границу срастания подложка-пленка, так как кристаллы одинакового типа проводимости травятся в специальных химических травителях примерно одинаково,Цель изобретения - выявить границу срастания эпитаксиальной пленки арсенида галлия на подложке арсенида галлия того же типа проводимости.Поставленная цель достигается тем, что травитель содержит ЗНМОэ+НГ+5 НгО и 6 ИаОН+НгОг в соотношении от одной до пяти весовых частей первого компонента на одну весовую часть второго компонента.Вышеуказанная жидкая смесь хорошо выявляет границу срастания при действии этой смеси на скол выращенного элемента в течение 1 - 3 лтин. Предложенная жидкая смесь может содержать также компоненты в следующих соотношениях: 1, Одна весовая часть (ЗНХОэ+НГ+5 НгО) и одна весовая часть (6 МаОН+НгОг); 1: 12. Две весовые части (ЗНХОз+НГ+5 НгО) и одна весовая часть (6 ХаОН+НР+НгОг) Предмет изобретенияТравитель для полупроводниковых материалов кислотно-щелочного типа, отличаосцсшсл тем, что, с целью выявления границы срас тания эпитаксиальной пленки арсенпда галлия на подложке арсенида галлия того же типа проводимости, он содержит ЗНХОз+ +НР+5 НгО и 6 ХаОН+НгОг в соотношении от одной до пяти весовых частей первого ком понента на одну весовую часть второго компонента.
СмотретьЗаявка
1384348
В. В. Кузин, В. М. Зайченко
МПК / Метки
МПК: H01L 21/306
Метки: полупроводниковых, травитель
Опубликовано: 01.01.1971
Код ссылки
<a href="https://patents.su/1-308470-travitel-dlya-poluprovodnikovykh-materialov.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Травитель для полупроводниковых материалов</a>
Предыдущий патент: Устройство для продувки каналов системы гидроохлаждения разборных приборов
Следующий патент: Устройство для осушки волновода
Случайный патент: Форматор-перезарядчик к автоматической линии для формования и вулканизации покрышек