Способ изготовления арсенид-галлиевой интегральной схемы
Формула | Описание | Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 1491262
Авторы: Белохвостикова, Дединец, Дубровская, Филатов
Формула
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ АРСЕНИД-ГАЛЛИЕВОЙ ИНТЕГРАЛЬНОЙ СХЕМЫ на структурах n+ - n - i - типа, включающий анодное окисление n+ - слоя по всей поверхности пластины за исключением областей истока и стока полевых транзисторов путем маскирования этих областей слоем двуокиси кремния, создание омических контактов на основе металлизации AuGe, формирование изоляции активных областей транзисторов протонной бомбардировкой с использованием в качестве защитного покрытия над активными областями полевых транзисторов фоторезистивной маски, формирование алюминиевых затворов, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных изделий путем улучшения электрических параметров транзисторов, после проведения анодного окисления n+ - слоя по всей поверхности пластины за исключением исток-стоковых областей полевых транзисторов, активные области полевых транзисторов покрывают фоторезистивной маской, удаляют анодный окисел с пассивных областей интегральных микросхем, производят формирование изоляции активных областей полевых транзисторов путем протонной бомбардировки, используя в качестве защитного покрытия над исток-стоковыми областями двухслойной системы фоторезист - двуокись кремния, а в качестве защитного покрытия над областями каналов двухслойной системы фоторезист - анодный окисел арсенида галлия.
Описание
Целью изобретения является повышение процента выхода годных изделий путем улучшения электрических параметров транзисторов.
Согласно изобретению канал транзистора формируют с помощью анодного окисления арсенида галлия. Выращенный анодный окисел не удаляют, а на него наносят фоторезист. После формирования фоторезистивной маски производят протонную бомбардировку, превращая незащищенные фоторезистом участки арсенида галлия в изолятор, затем задубленный фоторезист удаляется с помощью плазмохимического травления. Анодный окисел при этом защищает поверхность арсенида галлия от отрицательного воздействия плазмы. В дальнейшем окисел легко удаляется в растворе плавиковой кислоты.
На фиг. 1-7 изображена последовательность технологических операций при изготовлении МИС на GaAs, где приняты следующие обозначения: полуизолирующая подложка 1, эпитаксиальный слой 2 n-типа, эпитаксиальный слой 3 n-типа, буферный слой 4 i-типа, слой 5 двуокиси кремния, фоторезист 6, анодный окисел 7, система металлизации омических контактов 8 на основе AuGe, алюминиевая пленка 9.
Согласно изобретению арсенид галлиевая МИС изготавливается на полуизолирующей подложке 1 (фиг.1) со структурой эпитаксиальных слоев 2-n+-, 3-n-, 4-i-типа.
Способ изготовления МИС включает следующие технологические этапы: отмывки GaAs пластин и осаждение слоя 5 двуокиси кремния. Нанесение фоторезиста 6 и фотолитография для создания маски активных каналов полевых транзисторов. Ионно-химическое травление двуокиси кремния и удаление фоторезистивной маски. Создание анодного окисла 7 GaAs (фиг.2) путем анодного окисления в электролите в потенциостатическом режиме на толщину n+-слоя. Нанесение фоторезиста и формирование маски фоторезиста 6 (фиг.3) для защиты активных областей. При проявлении фоторезиста в щелочном растворе анодный окисел GaAs удаляют на незащищенных фоторезистором участках поверхности пластины. Протонную бомбардировку проводят в двух режимах: сначала с энергией 50 кэВ и дозой 50 мкКл
см-2, а потом с энергией 100 кэВ и дозой мкКл см-2. Затем удаляют фоторезистивную маску с помощью плазмохимического травления и одновременно удаляют анодный окисел GaAs и двуокиси кремния в растворе плавиковой кислоты. Нанесение слоя 5 двуокиси кремния (фиг.4) и нанесение фоторезиста 6. Формирование окон истоков и стоков транзисторов в фоторезисте, ионно-химическое травление двуокиси кремния, удаление фоторезиста. Напыление контактного сплава AuGe Ni Au (фиг.5) и "взрыв" контактного сплава, лежащего на слое 5 двуокиси кремния. Вжигание контактного сплава при 420-450оС в течение 2 с. Напыление алюминиевой пленки 9 металлизации затворов (фиг.6), нанесение фоторезиста 6 и формирование в нем рисунка затворов. Травление затворной металлизации (фиг.7), удаление фоторезиста.Преимущество данного способа изготовления МИС заключается в отсутствии технологических операций, связанных с нанесением и травлением сложных систем для защиты в процессе протонной бомбардировки.
Изобретение относится к электронной технике, в частности, к способу изоляции монолитных интегральных схем путем протонной бомбаридовки. Цель изобретения - повышение выхода годных изделий путем улучшения электрических параметров транзисторов. Это достигается тем, что в способе изготовления арсенид-галлиевой монолитной интегральной схемы, включающем создание изоляции активных областей протонной бомбардировкой, фоторезистивную маску наносят на предварительно созданный в процессе формирования активного канала транзистора анодный окисел арсенида галлия и при протонной бомбаридовке фоторезистивную маску используют в качестве защитного покрытия активных областей. 7 ил.
Рисунки
Заявка
4251732/25, 27.05.1987
Белохвостикова Л. С, Дединец В. Е, Дубровская Л. А, Филатов А. Л
МПК / Метки
МПК: H01L 21/265
Метки: арсенид-галлиевой, интегральной, схемы
Опубликовано: 10.01.1996
Код ссылки
<a href="https://patents.su/0-1491262-sposob-izgotovleniya-arsenid-gallievojj-integralnojj-skhemy.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ изготовления арсенид-галлиевой интегральной схемы</a>
Способ уменьшения дефектности двухслойного диэлектрика в структуре проводник нитрид кремния окисел кремния полупроводник
Номер патента: 1108962
Опубликовано: 10.04.1995
Авторы: Мальцев, Милошевский, Нагин, Тюлькин, Чернышев
МПК: H01L 21/04
Метки: двухслойного, дефектности, диэлектрика, кремния, нитрид, окисел, проводник, структуре, уменьшения, —полупроводник
СПОСОБ УМЕНЬШЕНИЯ ДЕФЕКТНОСТИ ДВУХСЛОЙНОГО ДИЭЛЕКТРИКА В СТРУКТУРЕ ПРОВОДНИК НИТРИД КРЕМНИЯ ОКИСЕЛ КРЕМНИЯ ПОЛУПРОВОДНИК, заключающийся в проведении термообработки структуры нитрид кремния окисел кремния - полупроводник в атмосфере кислорода перед нанесением проводника, отличающийся тем, что, с целью увеличения времени хранения информации в структуре, термообработку проводят в атмосфере влажного кислорода при температуре 800 - 1150 oС в пределах одного часа, затем с поверхности нитрида кремния удаляют пленку оксида кремния, образовавшуюся в процессе термообработки, и перед нанесением проводника проводят отжиг в атмосфере водорода при 700 - 1000oС в течение 30 60 мин.2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что отжиг...
Способ образования нерастворимых азокрасителей1изобретение относится к области крашения текстильных материалов из гидрофобных волокон путем образования на них нерастворимых азокрасителей.
Номер патента: 361242
Опубликовано: 01.01.1973
Авторы: Диазоаминосоединени, Известен
МПК: D06P 1/18
Метки: азокрасителей, азокрасителей1изобретение, волокон, гидрофобных, крашения, нерастворимых, них, области, образования, относится, путем, текстильных
...состава: смесь р-оксиэтиламид 2-нафтол- карбоновой кислоты и диазоаминосоединения, полученного из диазобированного 1-амино- метил-нитробензола (азоамин алый Ж) и диэтаноламина, растворенных в спирте (3% от веса волокна), 5 г/л ХаС 1, 0,2 г/л неионогенного поверхностно-активного вещества ОПи 10 г/л фторбората цинка, Модуль ванны 30, температура 75 - 80 С, время обраКорректор Е. Миронова Заказ 4401/1 Изд.26 Тираж 404 ПодписноеЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССРМосква, Ж.35, Раушская наб., д. 4/5 Типография, пр, Сапунова, 2 ботки 60 мин. Фторборат цинка вводят за 15 мин до конца крашения, Проявление окраски производят при нейтральном запаривании в течение 10 мин. После проявления материал...
Способ оценки отзывчивости бобового растения на воздействие биологически активных веществ, способствующих формированию бобово-ризобиального симбиоза
Номер патента: 1717006
Опубликовано: 07.03.1992
МПК: A01G 7/00
Метки: активных, биологически, бобово-ризобиального, бобового, веществ, воздействие, отзывчивости, оценки, растения, симбиоза, способствующих, формированию
...в том числе их выделительную деятельность, но в силу своих генетических особенностей семена различных сортов гороха усиливают выделение аминокислот под действием экстракта поразному. Поскольку аминокислоты являются аттрактантами для клубеньковых бактерий, усиленное выделение аминокислот, особенно аспарагиновой А и глутамино- вой Я кислот, семенами способствует образованию и развитию бобово-ризобиального симбиоза, а значит усилению азот- фиксации и повышению урожая. Поэтому сорта, выделяющие больше аминокислот в случае предпосевной обработки семян экстрактом отличаются более высоким уровнем симбиотической азотфиксации и высокой урожайностью, если их семена обработать перед посевом биологически активным экстрактом.Критерием оценки...
Устройство для нанесения покрытий, преимущественно керамического, на модель методом электрофореза
Номер патента: 476073
Опубликовано: 05.07.1975
Авторы: Антипенко, Парыгин, Пепенко, Семененко, Шатайло
МПК: B22C 9/04
Метки: керамического, методом, модель, нанесения, покрытий, преимущественно, электрофореза
...на кронштейне 9. 11 оложение модель- НОГО блока т в плоскости, перпендикулярной оси конвейера (в плоскости чертежа фиг. 2), 25 зависит от копира ь, конфшурация которогообуславливает качание модельного блока (подъем или опускание его) при движении подвесок 5 конвеиера. Кроме того, благодаря встроенным в корпус 3 подшипникам (не по5 о 5 20 25 ЗЭ 35 казаны) стояк 2 с модельным блоком 1 может вращаться вокруг своей продольной оси при обкатывании по копиру 8,В ванне 10 с электрофоретической суспензией помещена сетка-электрод 11, выполненная по форме эквидистантной конфигурации модельного блока 1. Сетка-электрод через электроизоляционные прокладки 12 соединена с кронштейном 13, который шарнирно связан с корпусом ванны 10 и может...
Устройство для электрофоретического формирования оболочек
Номер патента: 730888
Опубликовано: 30.04.1980
Авторы: Акопян, Болотаева, Попов
МПК: C25D 21/12
Метки: оболочек, формирования, электрофоретического
...модели, пред"ставляюший собой стабилизатор 15 токаи контакты 16, один из которых контактирует с металлическим стояком 17,модельного блока, а второй выполнен ввиде емкости, наполненной суспензиейили другим электролитом, Напряжениес выхода блока 6 поступает на вход заблока 7, который согласно формуле рассчитывает и изменяет время подключения секций катода к источнику питания:,.Ъ(-к," ) 1:,е,зп- ",-" П П М, где й)Ь - число электрически изолированныхмежду собой по высоте секцийкатода4 а71номинальное (заданное) времяподключенияи " секции катодак источнику питания;ФКф коеффиниент, инликннийои линеВной функцией сопротивления токопроводящего слоя на моделип- длина модельного блока .( от меота контакта токопроводящего слояс металлическим стояком...