Метка совмещения на подложке из арсенида галлия для электронной литографии
Формула | Описание | Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 1567030
Авторы: Богушевич, Николенков, Самохин, Сутырин, Хриткин
Формула
МЕТКА СОВМЕЩЕНИЯ НА ПОДЛОЖКЕ ИЗ АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ ДЛЯ ЭЛЕКТРОННОЙ ЛИТОГРАФИИ, выполненная в виде углубления в подложке, имеющего плоское дно, и выступов, расположенных на дне углубления, отличающаяся тем, что, с целью повышения точности совмещения, поперечное сечение выступов имеет треугольную форму.
Описание
Целью изобретения является повышение точности совмещения за счет выполнения метки в виде выступов с поперечным сечением треугольной формы, расположенных на дне углубления, имеющего плоское дно. Такая метка легко формируется в подложках из арсенида галлия методами травления и обеспечивает такую форму сигнала совмещения, при которой каждому выступу соответствует единичный пик сигнала. Кроме того, такая метка сохраняет свои свойства при нанесении на нее различных технологических слоев.
На фиг. 1 показана метка совмещения, план; на фиг. 2 то же, в разрезе.
Метка совмещения (см. фиг. 1) выполнена в подложке из арсенида галлия. Она представляет собой углубление в подложке, которое имеет плоское дно. На дне углубления расположены выступы. При этом поперечное сечение каждого выступа имеет треугольную форму (см. фиг. 2).
Данная метка может быть сформирована следующим образом. На подложку из полуизолирующего арсенида галлия (АТЧП-5) наносят слой резиста. Методом микролитографии в этом слое формируют маску, соответствующую конфигурации метки. Далее проводят травление в смеси азотной и фосфорной кислот. Время травления выбирают так, чтобы за счет бокового подтрава под края резиста противоположные грани каждого выступа сомкнулись. Это обеспечивает треугольную форму поперечного сечения выступов. При совмещении электронный луч сканирует метку таким образом, чтобы диапазон сканирования не превышал ширины углубления. Одновременно регистрируют ток вторичных или отраженных электронов, который используют в качестве сигнала совмещения. При пересечении электронного луча с каждым выступом на сигнале совмещения образуется единичный пик. По этим пикам определяется положение метки совмещения. Если на метку нанесен технологический слой, например резист, то вершина каждого выступа сохраняет заостренную форму. Это обеспечивает высокое отношение сигнал/шум при регистрации метки.
Изобретение относится к технологии микроэлектроники. Цель изобретения - повышение точности совмещения. Метка выполнена в виде углубления в подложке, которое имеет плоское дно. На дне углубления расположены выступы. Поперечное сечение каждого выступа имеет треугольную форму. Такая форма в меньшей степени подвержена сглаживанию при нанесении на подложку технологических слоев. Кроме того при такой форме профиля каждому выступу метки в сигнале совмещения соответствует единичный пик. Это облегчает обработку сигнала. 2 ил.
Рисунки
Заявка
4445617/21, 22.06.1988
Самохин А. В, Николенков В. Т, Богушевич А. В, Хриткин В. В, Сутырин В. М
МПК / Метки
МПК: H01L 21/312
Метки: арсенида, галлия, литографии, метка, подложке, совмещения, электронной
Опубликовано: 27.01.1996
Код ссылки
<a href="https://patents.su/0-1567030-metka-sovmeshheniya-na-podlozhke-iz-arsenida-galliya-dlya-ehlektronnojj-litografii.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Метка совмещения на подложке из арсенида галлия для электронной литографии</a>
Способ формирования проводящих участков на подложке арсенида галлия
Номер патента: 1742903
Опубликовано: 23.06.1992
Авторы: Бляшко, Кедяркин, Пекерская
МПК: H01L 21/477
Метки: арсенида, галлия, подложке, проводящих, участков, формирования
...коэффициентытермического расширения алюмосиликатного стекла и арсенида галлия близки (5 10 и 5,9 10 собтветственно), то минимизируются механические напряжения на границе раздела, что приводит к уменьшению механических повреждений пленки алюмосиликатного стекла и повышению качества маскирования, Кроме того, слой алюмосиликатного стекла наносят прикомнатной температуре и, следовательно,повышенные температуры не воздействуютна незащищенную поверхность арсенидагаллия. Интервалы температур и временидеструкции обуславливаются условиями,необходимыми и достаточными для сформирования защитного слоя. При температуредеструкции меньше 250 С и времени меньше 3 мин не полностью завершаются реакции разложения промежуточных продуктовгидролиза и...
Способ получения эпитаксиальных структур на подложках арсенида галлия
Номер патента: 1800856
Опубликовано: 19.06.1995
Авторы: Захаров, Нестерова, Пащенко, Шубин
МПК: C30B 25/02, C30B 29/40
Метки: арсенида, галлия, подложках, структур, эпитаксиальных
...удельной мощности в такой системе нетпоэтому. целесообразно привести и геометрические характеристики используемой авторами установки. Высота пирамиды-подложкодержателя 220 мм, максимальный размер (диаметр) верхнего торца пирамиды 120 мм, нижнего торца 150 мм, Боковая поверхность пирамиды, как сумма площадей ее восьми граней, составляет 924 см, Наружный диаметр кварцевой трубы2реактора 190 мм. Высота катушки индукто5 10 15 20 30 35 40 45 50 ра-излучателя 250 мм, средний диаметр 220 мм. Диаметр медной трубки, из которой навит индуктор, 12 мм, число витков катушки индуктора-излучателя 11. Этих сведений достаточно для оценки энергетики получаемой плазмы и воспроизведения способа не только,в увстановке описанной конструкции, но ив других...
Устройство для проекционной печати и совмещения рисунков фотошаблона с подложкой
Номер патента: 481145
Опубликовано: 15.08.1975
Автор: Гаврилкин
МПК: H05K 13/00
Метки: печати, подложкой, проекционной, рисунков, совмещения, фотошаблона
...1, ОЛ 01(с 1 31 для ьь 1- ДЕЛО;:Н 1 Я СП 1 Пс 1 ЛП ОТ ЗОО)2 ЖСПИЯ 13 СПЕЭНС 1 С зна 1 а 10 с Бмсщспля иа подложке 2, 11 нтегра эов Рн 1(оьых дстс 1(тоЭОВ) 32 и 33, Слонов сравнспи 3435 а)нлптуд указанных сигналов с Опорными уров;51 Р Ь"( и Ь" усилителси 31 ОШ 1:сети 36 и 3:, сшналы с ьыхода кото)ых посгупают на управляющие Вхсды стас илпзи 30132:1 ь.:с истоЕОБ питания 33 и 39 гряжсппы а.алов ". . и осветите.ыОго У СТЭСИСТВ 2 ПОДЛО).(КИ.1 с.оотс 1ст)сьств ;)сскц:1 сп 10 й пеатИ е;3н3 Стоэ,Ректор:очес:(о:": слс,15 Ще 1 системы олс (а)553 стабилизацш 1 с 13 Нлигуд ш)гналов от изображений реперых знаков со)мсщшИ состоит В следующем.Ы процессе совмсщени реперные знаки 10 совмещения, Бьшолпен ыс па подложке в Биде одино шь) пл: Дво;шы п...
Устройство для двустороннего совмещения шаблонов и экспонирования подложки
Номер патента: 959020
Опубликовано: 15.09.1982
Авторы: Гоман, Жуков, Павликов, Шадурский
МПК: G03B 27/02
Метки: двустороннего, подложки, совмещения, шаблонов, экспонирования
...5, закрепленный на подвижном осветителе 3, микроскоп б, ме ханиэм коррекции 7, расположенный на основании 1, держатели 8 и 9, размещенные на крестовом столе 2 и имеющие воэможность независимого вертикаьного перемещений, шаблоны 10 и 10 11, подложку 12 и держатель 13 шаблона 10Устройство работает следующим образом.Фотошаблон 10 крепится вакУУмом 5 на держателе 13, установленном на механизме коррекции 7. Шаблон 11 устанавливается на .столик фиксации 5. Держатель 8 поднимается до контакта с шаблоном 11, Происходит включение вакуума на держателе 8, затем выключение вакуума на столике 5. Таким образом, шаблон 11 оказывается закрепленным на держателе 8. Далее держатель 8 йЬднимается до контакта25 шаблонов 10 и,11 и происходит их...
Устройство для определения длиннейшего пути в сетях
Номер патента: 1339581
Опубликовано: 23.09.1987
Авторы: Додонов, Котляренко, Пелехов, Приймачук, Щетинин
МПК: G06F 15/173
Метки: длиннейшего, пути, сетях
...в исследуемый узел сети и номеров ветвей, выходящих из исследуемого узла сети, а также для определениямомента окончания моделирования сетипри прямом проходе (проход от начального узла сети к конечному узлу сети).Блок 3 моделей ветвей предназначендля организации нременного моделирова 1ния длительностей ветвей сети. Блок4 формирования топологии предназначендля определения номеровветвей, входящих в исследуемый узел сети и номеров ветвей, выходящих из исследуемогоузла сети при моделировании сети нобратном направлении (от конечного узла к начальному), Генератор 5 импульсов предназначен для формирования серий импульсов ГИ 1 и ГИ 2, сдвинутыхотносительно друг друга,В блоке 1 управления (Фиг,1) узел6 памяти предназначен для...
Предыдущий патент: Способ получения метилхлоргерманов
Следующий патент: Способ нанесения тонких пленок
Случайный патент: Приспособление для приема коры от корообдирных станков и передачи ее на транспортные устройства