Способ определения параметров носителей заряда в полупроводниках
Формула | Описание | Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 1493023
Авторы: Варданян, Мартиросян
Формула
СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПАРАМЕТРОВ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА В ПОЛУПРОВОДНИКАХ, основанный на измерении тока через образец, имеющий выпрямляющий контакт при отсутствии и при наличии воздействия на образец магнитным полем, вектор индукции которого параллелен поверхности образца, отличающийся тем, что, с целью обеспечения определения Холловской подвижности, дрейфовой подвижности и времени жизни неосновных носителей заряда, образец освещают монохроматическим светом в длинноволновой области спектральной чувствительности, изменяют длину волны света и определяют зависимости коэффициента поглощения и фототока от длины волны света при наличии и отсутствии воздействия на образец магнитным полем, строят графики зависимостей обратного фототока от обратного значения коэффициента поглощения, по полученным зависимостям определяют диффузионные длины неосновных носителей заряда и вычисляют Холловскую подвижность 
по формуле
дрейфовую подвижность др вычисляют по формуледр= r,
время жизни 
неосновных носителей заряда вычисляют по формуле
где B - индукция магнитного поля;
L - диффузионная длина неосновных носителей заряда при отсутствии магнитного поля;
LB - диффузионная длина неосновных носителей заряда при воздействии на образец магнитным полем;
K - постоянная Больцмана;
T - температура образца;
q - заряд электрона;
r - Холл-фактор.
Описание
Цель изобретения обеспечение определения Холловской подвижности, дрейфовой подвижности и времени жизни неосновных носителей заряда.
На чертеже приведена схема устройства для реализации предлагаемого способа.
На схеме обозначены образец 1, полюса электромагнита 2, источник 3 монохроматического света, выпрямляющий контакт 4 и измеритель фототока 5.
П р и м е р. Определяют параметры неосновных носителей заряда в кремниевой пластине n-типа проводимости с удельным сопротивлением 250 Ом
см.Выпрямляющий контакт получают в виде p+-слоя на поверхности образца путем диффузии глубиной порядка 0,2 мкм. Другой контакт осуществляют с противоположной стороны. Образец помещают в зазор между полюсами электромагнита постоянного тока, освещают монохроматическим светом в длинноволновой области спектральной чувствительности и измеряют фототок при различных значениях длины волны света. Результаты измерений приведены в таблице (В индукция магнитного поля).
По данным, приведенным в таблице, строят зависимости 1/I=f(1/K) и
f 
сглаживая их по методу наименьших квадратов.По точкам пересечения этих зависимостей с отрицательной полуосью 1/K определяют диффузионные длины неосновных носителей заряда в отсутствие магнитного поля L= 252,80847 мкм и при наличии магнитного поля с индукцией В= 1,606 Тл, Lв=251,60833 мкм.
Холловскую подвижность
неосновных носителей заряда вычисляют по формуле 
1 
Зная величину Холловской подвижности, вычисляют дрейфовую подвижность неосновных носителей заряда для данного образца по формуле
др= / 
и время жизни
неосновных носителей заряда вычисляют по формуле: L2/ 
др= 53,5 мксгде К постоянная Больцмана;
Т температура образца;
q заряд электрона.
Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для определения параметров носителей заряда в полупроводниках. Целью изобретения является обеспечение определения Холловской подвижности, дрейфовой подвижности и времени жизни неосновных носителей заряда. На образец, имеющий выпрямляющий контакт, воздействуют магнитным полем и монохроматическим излучением. Измеряют зависимости фототока от длины волны монохроматического излучения в длинноволновой области спектральной чувствительности образца при отсутствии и при наличии воздействия магнитным полем. Строят графики зависимостей обратного фототока от обратного коэффициента поглощения. По этим графикам определяют диффузионные длины неосновных носителей заряда при отсутствии и наличии воздействия магнитным полем и по полученным значениям вычисляют Холловскую и дрейфовую подвижности, а также время жизни неосновных носителей заряда. Способ может быть использован для определения параметров неосновных носителей заряда, генерируемых при облучении полупроводника поглощаемым светом. 1 ил.
Рисунки
Заявка
4331742/25, 01.10.1987
Ереванский политехнический институт им. К. Маркса
Варданян Р. Р, Мартиросян Г. А
МПК / Метки
МПК: H01L 21/66
Метки: заряда, носителей, параметров, полупроводниках
Опубликовано: 20.01.1996
Код ссылки
<a href="https://patents.su/0-1493023-sposob-opredeleniya-parametrov-nositelejj-zaryada-v-poluprovodnikakh.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ определения параметров носителей заряда в полупроводниках</a>
Способ контроля поля анизотропии цилиндрических тонких магнитных пленок по длине
Номер патента: 468200
Опубликовано: 25.04.1975
Авторы: Лысый, Штельмахов
МПК: G01R 33/00
Метки: анизотропии, длине, магнитных, пленок, поля, тонких, цилиндрических
...намагничиваюшего поля.Если кривую намагничивания вдоль трудной оси представить в виде ломаной линии, первый участок которой проходит через начало координат под некоторым углом, а второй параллелен оси абсцисс, то пересечение обоих участков происходит в точке с координатами, соответствующими полю анизотропии (Нк) и индукции насыщения (ЬС),При воздействии на участке пленки синусоидального намагничивания поля индукции в пленке будет изменяться по гармоническому закону только на линейном участке кривой намагничивания. На втором участке кривой в ее составе появляются нечетные высшие составляющие, из которых максимальной амплитудой обладает третья гармоника. В составе вторичной, д. с, намагничиваюшего тока также повляются гармонические...
Способ определения подвижности неосновных носителей заряда
Номер патента: 1056316
Опубликовано: 23.11.1983
Авторы: Болгов, Малютенко, Пипа, Яблоновский
МПК: H01L 21/66
Метки: заряда, неосновных, носителей, подвижности
...вектора напряженности электрического поля и вектора индукции магнитного поля было перпендикулярно поверхности образца, инжекции пакета, ННЗ путем освещения .поверхности образца импульсом сильно поглощаемого свбта, регистрируют сигнал Фотолюминесценции с поверхности образца противоположной освещаемой поверхности, измеряют время задержки максимально-. го сигнала фотолюминесценции относительно максимума интенсивности импульса сильно поглощаемого света и вычисляют подвижность ННЭ по формулегдЕ 0 оси внос " поДвижности оснозныхи неосновных носите-.лей заряда соответст;венно, рВсд - толщина образца внаправлении переносапакета ННЗ, м;- напряженность электрического поля, В/м;И - индукция магнитногополя, Т;те - время задержки сигнала...
Способ определения подвижности неосновных носителей заряда
Номер патента: 1403914
Опубликовано: 27.12.1995
Автор: Варданян
МПК: H01L 21/66
Метки: заряда, неосновных, носителей, подвижности
СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПОДВИЖНОСТИ НЕОСНОВНЫХ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА, основанный на помещении полупроводникового образца в магнитное поле и инжекции неосновных носителей заряда путем освещения поверхности образца, отличающийся тем, что, с целью упрощения и обеспечения определения подвижности в образцах большей толщины, создают выпрямляющий контакт на поверхности образца, вектор индукции магнитного поля направляют перпендикулярно поверхности образца, измеряют значения фототоков при отсутствии, а также при наличии магнитного поля и вычисляют подвижность неосновных носителей заряда по формулегде B индукция магнитного поля;Iф фототоки через выпрямляющий...
Способ определения подвижности неосновных носителей заряда (его варианты)
Номер патента: 1160484
Опубликовано: 07.06.1985
Авторы: Болгов, Ботте, Липтуга, Малютенко, Пипа, Яблоновский
МПК: G01R 31/26, H01L 21/66
Метки: варианты, его, заряда, неосновных, носителей, подвижности
...величины магнитного поля, находят максимальный сигнал отражения, рассчитывают подвижность неосновных носителей заряда по формулеС,Рнеосн,=где р - подвижность неосновныхГнеоснносителей заряда;В - индукция магнитного поляТ(соответствующая максимальному сигналу отражения);с - скорость света,причем величину электрического поля3 выбирают соответствующей линейномуучастку вольт-амперной характеристики образца в отсутствие магнитногополя.На фиг. 1 представлена схема изме 1 Ь рительной, установки, первый вариант;на фиг. 2 -.то же, второй вариант;на фиг. 3 - кривая, отвечающаяпространственному распределению но- ".сителей заряда в образце; на фиг. 4 -кривая зависимости интенсивностирекомбинационного излучения Р/Рот величины магнитной индукции В;на...
Способ определения параметров неосновных носителей заряда в полупроводниках
Номер патента: 1634060
Опубликовано: 27.10.1995
Автор: Варданян
МПК: H01L 21/66
Метки: заряда, неосновных, носителей, параметров, полупроводниках
...ь 6 = - и- --ф 1- -- -О Ч (.а,:заесты)л, позволяет, одновременно с извеП р 1 М С,). Оц рад"ЛяЮЭндпацня П:3 д-,",)г)э крелневой цпас;и;ы роводимогьн. р-типа. Дпч измерения поверхностнойфотоЭДС применяют структуру металл-оки сгл-полупроводник с полупрозрачныл металлическим слоем. Образец помещают в зазор между полюсами электромагнита и освещают мо;охроматическим светом Иэ 1 еняя длину вол, свс)д А в диапазоне от ) 8 до 1 05 мкм, измеряют интенсивность световоо )огока С, гдддерживдя пос-оян- НЬМ ЗНДЧЕНИ 6 ЦОЯЕРХ)ОСТЕЙ фОТОЛДС.Опред)гяюг значь я коэффициента гоглоце ия света цо формула5 сг =0,521367 ,14425 1О 585368 х1 ,( + 03358 и строя г эда: симость 0 =- г(гх ).1 з получечной эд)исимости огределякц д)лффузион.ю дл.у Н 1 3= 87,. Мкм к:.к...
Предыдущий патент: Способ получения 2-аминоэтансульфоновой кислоты
Следующий патент: Способ динамической балансировки роторов и устройство для его осуществления
Случайный патент: Способ измерения фазового сдвига