Способ изготовления хромовых шаблонов
Формула | Описание | Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 1577555
Авторы: Алейникова, Николенков, Сутырин, Хриткин
Формула
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ХРОМОВЫХ ШАБЛОНОВ, включающий создание на поверхности заготовки шаблона защитной маски и реактивное ионно-лучевое травление пленки хрома, отличающийся тем, что, с целью улучшения оптических свойств шаблонов, реактивное ионно-лучевое травление пленки хрома проводят на 80 - 90% ее толщины, затем проводят ионно-лучевое травление в атмосфере инертного газа в течение времени t, удовлетворяющего соотношению t=(0,1-0,2) 
мин, где - время реактивного ионного травления пленки хрома на всю толщину, после чего осуществляют химическое дотравливание оставшейся пленки хрома.
Описание
Цель изобретения улучшение оптических свойств шаблонов.
Поскольку разброс толщины пленки хрома на заготовках шаблонов не превышает 5% то после реактивного ионно-лучевого травления пленки хрома на 80-90% ее толщины на заготовке шаблона гарантированно сохраняется остаточная тонкая пленка хрома. Последующее ионно-лучевое травление в инертном газе необходимо для удаления образовавшихся после реактивного ионно-лучевого травления нелетучих фторхлористых соединений хрома, что позволяет в дальнейшем осуществить химическое дотравливание остаточной тонкой пленки хрома. Проводить реактивное ионно-лучевое травление пленки хрома менее чем на 80% ее толщины нельзя, так как скорость травления резистивных защитных масок в инертных газах значительно выше, чем при реактивном ионно-лучевом травлении в галогенсодеражих газах, и при оставлении пленки хрома толщиной более 20% исходной толщины резистивная маска при травлении инертным газом разрушается, а химическое дотравление становится невозможным. Скорость ионно-лучевого травления хрома в инертном газе меньше, чем скорость реактивного ионно-лучевого травления в галогенсодержащих газах, поэтому после ионно-лучевого травления пленка хрома удаляется не полностью, что исключает воздействие ионного пучка на заготовку шаблона. При номинальной толщине пленки хрома на заготовке шаблона 0,1 мкм толщина остаточной пленки хрома после ионнолучевого травления составляет 100-200
. Последующее химическое дотравливание этой остаточной пленки хрома может осуществляться в известных травителях, например цериевом, при этом уход размеров элементов на шаблоне не превышает 200 
. На полученном шаблоне отсутствуют канавки травления в заготовке шаблона, вызывающие рассеяние света при проведении экспонирования через шаблон.П р и м е р. Изготавливались хромовые шаблоны для глубокой ультрафиолетовой литографии. В качестве заготовок шаблонов использовались кварцевые подложки с пленкой хрома толщиной 0,1 мкм. На подложку наносили резист ЭЛП-9 толщиной 0,4 мкм и методом электронной литографии формировали в нем защитную маску с минимальными размерами элементов 0,4 мкм. Затем осуществляли реактивное ионно-лучевое травление пленки хрома на установке УРМ. 3.279.029 в хладоне 113 при рабочем давлении 6
10-4 мм рт.ст. напряжении разряда 4 кВ, токе ионного пучка 90 мА в течение 60 мин. При этом пленка хрома стравливалась на 85% исходной толщины. После этого в том же вакуумном цикле осуществляли ионно-лучевое травление аргоном при том же давлении и напряжении разряда и токе ионного пучка 60 мА в течение 10 мин. Затем осуществляли химическое дотравливание остаточной пленки хрома в цериевом травителе. В результате были получения шаблоны с минимальными размерами элементов 0,4 мкм с отсутствием канавок травления в кварцевой подложке, приводящих к ухудшению качества за счет рассеяния на них света.Изобретение относится к технологии микроэлектроники. Цель изобретения - улучшение свойств шаблонов. На заготовке шаблона (ЗШ) формируют резистивную маску. Через нее осуществляют реактивное ионнолучевое травление (РИЛТ) пленки хрома в среде галагенсодержащего газа 80 - 90% ее исходной толщины. Затем осуществляют ионно-лучевое травление в инертном газе для удаления нелетучих фторхлористых соединений хрома, образовавшихся после РИЛТ. На ЗШ гарантированно сохраняется остаточная пленка хрома толщиной
, обеспечивающая отсутствие травления ЗШ. После этого проводят химическое дотравливание остаточной пленки хрома в известном травителе, например цериевом. Получены шаблоны для глубокого ультрафиолета с минимальными размерами элементов 0,4 мкм и отсутствием канавок травления. Заявка
4617520/21, 08.12.1988
Алейникова Е. А, Сутырин В. М, Хриткин В. В, Николенков В. Т
МПК / Метки
МПК: G03F 1/00, G03F 7/26, H01L 21/312
Опубликовано: 20.01.1996
Код ссылки
<a href="https://patents.su/0-1577555-sposob-izgotovleniya-khromovykh-shablonov.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ изготовления хромовых шаблонов</a>
Способ изготовления пленочного материала для получения диапозитивов
Номер патента: 1735050
Опубликовано: 23.05.1992
Авторы: Белицкий, Вайнер, Поможаева, Чудновский
МПК: B32B 27/36
Метки: диапозитивов, пленочного
...и 2450 г (49 мас.ч,) смеси метиленхлорида и дихлорэтана, взятых в соотношении 3:1, а другую - аналогичным составом, в котором использован сополимер бутилакрилата, метилметакрилата и метакриловой кислоты, и, после сушки, наносятна обе пленки композицию поверхностного слоя, включающую 20 г(мас,ч,) натриевой соли сополимера стирола и итаконовой кислоты, 20 г (1 мас,ч,) аэросила, 400 г (20 мас,ч,) воды, 600 г (30 мас,ч,) этилового спирта и 600 г (30 мас,ч,) ацетона.После сушки образцов их испытывают, Результаты испытаний приведены в таблице.П р и м е р ы 2 - 15. Готовят, как описано в примере 1, пленочный материал для испытаний, Толщина полиэтилентерефталатной пленки и поверхностного слоя, составы обрабатывающего раствора и композиции...
Способ травления поверхности хрома или пленки хрома, нанесенной на стойкую подложку, например стекло, кварц и т. д.
Номер патента: 122380
Опубликовано: 01.01.1959
Автор: Бурмистров
МПК: C25F 3/08
Метки: кварц, нанесенной, например, пленки, поверхности, подложку, стекло, стойкую, травления, хрома
...металла в вакууме на стекло, кварц, а также накие подложки и травится по рисункам, выгравированнымупорной основе, или по фотографическим изображениям наном слое коллоида или смолы раствором марганцовокис,ппоследующим осветлением или соляной кислоты с припудривками металла (например, цинка или алюминия), выделтравлении водород.В последнем случае травление можно прос металлической поверхностью, например, пили алюминия. хрома, получе- лговечнк очные изображения, не лочам и кислотам без аспылением другие стойна кислото- хромированого калия с анием опиляющего при изводить в контакте слоя ластиной из листа цинка едмет изобретен о с Способ травления поверхности хрома или пленки хрома, нанесенноп на стойкую подложку, например, стекло,...
Устройство для ионно-плазменного травления материалов
Номер патента: 1821496
Опубликовано: 15.06.1993
Авторы: Кругленко, Семенюк, Трипута, Хоменко
МПК: C23C 14/32
Метки: ионно-плазменного, травления
...соединенный с электродпротивостоящим обрабатываемомулию 5, Между сетчатым экраном 4,иродом 2 возбуждается ВЧ разскрещенных переменном электричеспостоянном магнитном полях, которляется источником химически активндикалов, распространя ющихсясетчатый экран 4.в область пространэлектроду 3 с обрабатываемым изделЗатем включают источник. ВЧ напряжсоединенный с электродом 3. В обпространства у обрабатываемого издевозбуждается ВЧ разряд - источник иускоряющихся электрическим полем о дав- Напупаров. омагк ВЧ(71) Специальное конструкторско-тгическое бюро с экспериментальнымводством Института ядерных исследАН УССР(56) Заявка Японии Ь 60-293790,кл, Н 01 1. 21/302, 1985.Ж. Зевсопбп 1, 1989, 12, Ь 5,обьемного заряда,у электрода 3 и бомрующих...
Устройство для нанесения пленок ионно-плазменным распылением сегнетоэлектрических материалов в вакууме
Номер патента: 1271132
Опубликовано: 27.12.1995
Автор: Левченко
МПК: C23C 14/36
Метки: вакууме, ионно-плазменным, нанесения, пленок, распылением, сегнетоэлектрических
УСТРОЙСТВО ДЛЯ НАНЕСЕНИЯ ПЛЕНОК ИОННО-ПЛАЗМЕННЫМ РАСПЫЛЕНИЕМ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ МАТЕРИАЛОВ В ВАКУУМЕ, содержащее диэлектрический держатель с дисковой мишенью, размещенную между ними дисковую электропроводную прокладку, токоподвод и узел разогрева мишени, отличающееся тем, что, с целью повышения качества пленок за счет повышения равномерности распыления мишени, токоподвод выполнен в виде кольца, примыкающего к боковой поверхности мишени, а диаметр прокладки составляет 0,5-0,75 диаметра мишени.
Клеевая композиция для соединения полимерных пленок с металлической фольгой
Номер патента: 1114341
Опубликовано: 15.09.1984
Авторы: Коити, Сигенори, Цутому
МПК: C09J 3/16
Метки: клеевая, композиция, металлической, пленок, полимерных, соединения, фольгой
...резиновым валком. Важно, чтобы фольга наматывалась пя 5 резиновый валок с окружности валка под углом 7/4 рад или более по отношению к линии контакта обоих валков.Клеевая композиция может быть использована для дублирования различных 1 О полимерных пленок, примецяемых обычно в качестве основы плат гибкой печатной схемы, таких как полиэтилецтерефталат, полиэтилен,5-нафталат, поливинилхлорид, полиэтилен, полипропилец 15 полиимид, поли(амидимид) и т.п. с раз" личного типа металлической Фольгой, такой, например, как медная, яломиниевая, оловянная медно-бериллиевая и т.п. 20Толщина полимерной пленки должна быть 0,8 мм или менее, а общая толщина материала 1 юл или менее.П р и м е р, В метилэтилкетоне растворяют 100 вес.ч.полиэфирной смолы 25 с...
Предыдущий патент: Моноимпульсный параметрический лазер
Следующий патент: Способ утилизации отходов из черных сплавов, загрязненных радионуклидами, и установка для его осуществления
Случайный патент: Свч прибор