Способ изготовления субмикронных структур
Формула | Описание | Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Формула
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СУБМИКРОННЫХ СТРУКТУР, включающий формирование резистивной маски путем нанесения на подложку слоя резиста, его электронно-лучевого экспонирования и жидкостного проявления, удаление недопроявленных остатков резиста в кислородной плазме и реактивное ионно-лучевое травление подложки под углом к обрабатываемой поверхности, отличающийся тем, что, с целью повышения точности изготовления структур, удаление недопроявленных остатков резиста в кислородной плазме осуществляют путем реактивного ионно-лучевого травления под углом к обрабатываемой поверхности, равным углу при последующем реактивном ионно-лучевом травлении подложки.
Описание
Целью изобретения является повышение точности изготовления структур.
При удалении остатков недопроявленного резиста реактивным ионно-лучевым травлением под углом к обрабатываемой поверхности, равным углу при последующем реактивном ионно-лучевом травлении подложки, удаление остатков резиста происходит только на тех участках, где и будет формироваться элемент субмикронной структуры. Отсутствие на поверхности подожки остатков резиста приводит к повышению точности изготовления структур при последующем реактивном ионно-лучевом травлении подложки за счет устранения недотравленных участков.
На чертеже иллюстрируется предлагаемый способ.
На подложку 1 нанесен слой 2 резиста, в котором сформирована маска с отрицательным профилем. В окнах маски после проявления имеется тонкий слой 3 недопроявленного резиста. Допроявление резиста осуществляется только в области 4.
П р и м е р. На подложку 1 (пластину из арсенида галлия с рабочим слоем окиси кремния толщиной 0,1 мкм) наносят слой 2 электронорезиста (ЭРП-1 или ЭЛП-9) толщиной 1 мкм. На установке электронолитографии ZBA-10 экспонируют затворные полосы размером 0,4 мкм. Резист проявляют в смеси метилэтилкетона с толуолом, взятой в соотношении 1:1, травление недопроявленных участков слоя 3 резиста проводят в области 4 на установке ионного травления УРМ 3. 279.029 в среде кислорода. Пластину располагают под углом 60о к ионному пучку.
Рабочее давление 5
10-3 Па, напряжение разряда 0,9 кВ, ток пучка 10 мА, время травления 10 мин. После этого без развакуумирования рабочей камеры проводят реактивное ионно-лучевое травление слоя окиси кремния в области 4 в среде хладона 218. Угол между ионным пучком и пластиной не изменяется. Напряжение разряда 2,5 кВ, ток пучка 40 мА, время травления 13 мин. В результате были получены структуры с длиной затвора 0,2 мкм. Отсутствие недотравленных участков в слое окиси кремния обеспечивает высокое качество структур, что подтверждается при последующем изготовлении полевых транзисторов.Изобретение относится к технологии микроэлектроники. Целью изобретения является повышение точности изготовления структур за счет устранения недотравленных участков рабочих слоев. На подложку с рабочим слоем наносят слой резиста и электронолитографией формируют в нем рельеф с отрицательным профилем. Допроявление резиста осуществляют реактивным ионно-лучевым травлением (РИЛТ) в среде кислорода под тем же углом, что и РИЛТ рабочего слоя. Это позволяет удалять остатки резиста из области геометрической тени, обусловленной отрицательным профилем резистивной маски. В результате РИЛТ рабочего слоя под углом к обрабатываемой поверхности осуществляется при полном отсутствии остатков резиста, что приводит к повышению качества формируемых субмикронных структур. 1 ил.
Рисунки
Заявка
4376057/21, 11.02.1988
Алейникова Е. А, Бунин Г. Г, Сутырин В. М, Федорова Т. Н, Малахов Б. А, Хриткин В. В
МПК / Метки
МПК: G03F 7/26, H01L 21/312
Метки: структур, субмикронных
Опубликовано: 20.01.1996
Код ссылки
<a href="https://patents.su/0-1517663-sposob-izgotovleniya-submikronnykh-struktur.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ изготовления субмикронных структур</a>
Устройство для удаления напыленного слоя с подложки
Номер патента: 305144
Опубликовано: 01.01.1971
МПК: C03C 19/00
Метки: напыленного, подложки, слоя, удаления
...воздуха. Барабан покрывается многослойной воздухопроницаемой тканевой оболочкой 8. В качестве ткани берется фпльтрующая ткань ФПП, ТУД 2 ГУ - 171 - 58 и фильтрующая капроновая ткань 9 ФК ГОСТ 8801 - 58.Обрабатываемая деталь закрепляется а столе. Для случая штриховых стеклянных матриц закрепление производится так, чтобы штрихи располагались под углом к рабочему валку. Затем рабочий валок поворотом вокруг цапф опускается на край обрабатываемой детали и своим весом или силой каких-либо дополнительных устройств, например, пружин, создает определенное давление на обрабатываемую поверхность. Внутрь рабочего валка по трубке подается сжатый воздух. Воздух через отверстия в трубке и в барабане проходит под оболочку (слоп 8 и 9) рабочего валка,...
Устройство для нанесения пластмассовых слоев на плоскую подложку
Номер патента: 671709
Опубликовано: 30.06.1979
МПК: B29D 7/04
Метки: нанесения, пластмассовых, плоскую, подложку, слоев
...резьбы с различным диаметром и поэтому слегка различным ходом, происходит тонкое регулирование толщины щелевого канала б. Нижняя по верхность 18 пластины 3 проходит в ее передней, смежной с калибрующей линейкой 8 части при постоянном уменьшении зазора наискось вниз. Пласвина 4 в нижней части скошена кверху и образует относительно большую полость накопления для образующей утолщение а пластмассы, При представленной на фиг. 3 и 4 формах выполнения устройство находится в контакте с покрываемой слоями поверхностью подложки 1. Для этой цели на нижней стороне пластины 3 и на нижней стороне поверхности 18 и боковой стенки 19 корпуса предусмотрен слой 20 скольжения, например из пластмассы.Щелевой канал б наклонен к покрываемой слоями пластмассы...
Устройство для нанесения светочувствительных слоев на подложку
Номер патента: 637774
Опубликовано: 15.12.1978
Автор: Шевченко
МПК: G03C 1/74
Метки: нанесения, подложку, светочувствительных, слоев
...2,78.Бюллетень % 46 2поверхностях в предлагаемом устройстве распределительный коллектор выполнен в виде соединенных каналом двух полостей с вертикальной перегородкой между ними, уста- новленной в пазах торцовых крышек. Вертикальная перегородка может быть выполненаа объемнойНа фиг, 1 показано описываемое устроЙ.ство в поперечном разрезе; на фиг, 2 - то же, вид спереди.В корпусе 1 устройства выполнен распределительный коллектор 2, закрытый тор.цовымн крышками 3, 4, в пазах 5 которых помещена вертикальная перегородка 6, де.лящая распределительный коллектор 2 на две полости 7, 8 и образующая своей нижней частью с поверхностью распределитель.1 ного коллектора 2 каналы 9, 10, 1 для про.хода жидкости.Устройство работает следующим обра...
Устройство для нанесения светочувствительных слоев на подложку
Номер патента: 994032
Опубликовано: 07.02.1983
Автор: Шевченко
МПК: B05C 5/00
Метки: нанесения, подложку, светочувствительных, слоев
...коллектора 2 каналы 9, 1 ОФормула изобретения 3 99403 и 1 1 для прохода жидкости. На передней части устройства выполнена на" клонная плоскость 12. В нижней части устройства расположена ракля 13, закрепленная между планкой 14 и корду" сом 1 винтами 15. В заднюю стенку устройства ввернут штуцер 16, имею" щий канал 17, сообщающийся с полостью 8. Ракля 13 опирается на подлож" ку 18. На перегородке 6 шарнирно эа" 1 в креплены откидные накладки 19-28, и механизмы 29"38 их прижатия к на" клонной плоскости 12. Верхняя часть наклонной плоскости 12 имеет кром" ку 39, Количество накладок выбирают в зависимости от требуемой ширины покрытия, наносимого на подложку,Устройство работает следуюцим образом.Жидкость через канал 17 в штуце ре 16...
Способ эпитаксиального наращивания полупроводниковых слоев на подложках
Номер патента: 999872
Опубликовано: 10.07.2000
Авторы: Епихин, Кузнецов, Марончук, Сушко, Тузовский
МПК: H01L 21/208
Метки: наращивания, подложках, полупроводниковых, слоев, эпитаксиального
Способ эпитаксиального наращивания полупроводниковых слоев на подложках, включающий сборку в пакет параллельно расположенных пластин, на поверхности которых расположены полупроводниковые подложки, заполнение зазора между подложками раствором-расплавом и принудительное охлаждение системы, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества слоев, диаметр пластин выбирают больше диаметра подложек на величину, по крайней мере в 4 раза большую, чем зазор между подложками.
Предыдущий патент: Способ перекачки жидкостей
Следующий патент: Детектор амплитудно-модулированных сигналов
Случайный патент: Устройство для удаления деталей из рабочей зоны пресса