Патенты с меткой «субмикронных»

Номер патента: 1148011

Опубликовано: 30.03.1985

Авторы: Величко, Гусев, Павлов

МПК: G01R 33/00

Метки: доменов, коллапса, магнитных, напряженности, поля, субмикронных, цилиндрических

...из упругой пластиныс закрепленными на концах магнитамиодинаковой массы и зажатой в центремасс между ребрами треугольных призм. ными на концах магнитами одинаковоймассы и зажатую в центре масс междуребрами треугольных призм.На фиг. 1 представлена структур 5 ная схема устройства; на фиг. 2 -схема механического Фильтра.Устройство (фнг. 1) содержитоптически связанные источник 1 света,поляризатор 2, анализатор 3, микро 10 скоп 4, фотоприемник 5, выход которого соединен с входом механическогофильтра 6, а также блок 7 анализасигнала, блок создания магнитныхполей, состоящий иэ катушек смеще 15 ния 8 и модуляций 9, цифровой вольтметр 10, генератор 11 пилообразноготока, подключенный к катушке смещения 8, и генератор 12 синусоидального...

Номер патента: 1322087

Опубликовано: 07.07.1987

Авторы: Волгин, Таточенко

МПК: G01B 11/10

Метки: волокон, диаметров, субмикронных

...4 Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано, в частности для измерения диаметров субмикронных волокон в процессе производства. 5Цель изобретения - повышение точности измерения за счет увеличения крутизны зависимости между выходным сигналом и диаметром волокна.На фиг.1 изображена принципиальная 1 О схема устройства для измерения диаметров субмикронных волокон, на Фиг.2 - вид А на Фиг,1.Устройство содержит источник 1 коллимированного излучения и располо женные по коду излучения сканирующее зеркало 2, линзу 3 и фотоприемник, состоящий из двух фотоэлементов 4 и 5 с прямоугольной щелью. в центре каждого, установленных так, что их све О точувствительные слои обращены навстречу и,параллельно друг другу.Вращение...

Номер патента: 1432389

Опубликовано: 23.10.1988

Авторы: Воротынцев, Девятых, Дроздов, Носырев

МПК: G01N 15/02

Метки: выделения, газовой, жидкую, субмикронных, фазы, частиц

...очистки с помощью различных фильтров и дрЦель изобретения - повышение концентрации частиц в жидкой фазе,На чертеже показано устройство для реализации способа.Устройство содержит куб 1 для нагрева жидкости, воронку 2 для заливки жидкостив куб, кран 3 для регулировки подачи исследуемого газа, конденсатор 4, капельницу 5 и кран 6 для отбора пробы в кювету 7.Способ осуществляют следующим образом. В куб 1, имеющий площадь зеркала испарения 50 см заливают 20-25 мп очищенной от частиц жидкости через воронку 2. Н(идкость нагревают и пары жидкости смешивают с исследуемым газом, поступающим через кран 3. Образующаяся парогазовая смесь поступает в конденсатор 4 высотой 50 см, во внутренней трубке которого происходит конденсация пара....

Номер патента: 1469320

Опубликовано: 30.03.1989

Авторы: Бабаянц, Загнитко, Ивацевич, Кирш, Кокарев

МПК: G01N 15/02

Метки: аэрозолей, детектор, субмикронных

...электроду 5 и локализовано в пространстве около заземленного решетчатого электрода 2, При этом в случае использования альфа-излучения около заземленного решетчатого электрода 2 (между решет 35 чатыми электродами 2 и 5) образует.ся локализованная зона положительных и отрицательных ионов (электронов при анализе электроположительного 40 газа), концентрация которых больше концентрации ионов между заземленными решетчатыми электродом 2 и дополнительным электродом 10, так как плотность ионизации газа альфа-час 45 тицами в конце длины их пробега больше плотности ионизации газа на остальном участке длины их пробега в исследуемой газе. При создании между решетчатыми электродами 2 и 5 разности потенциалов около решетчатого электрода 5...

Номер патента: 1698708

Опубликовано: 15.12.1991

Авторы: Загнитко, Кокарев, Никулин, Соленков

МПК: G01N 15/02

Метки: аэрозольных, высокоэффективных, детектирования, испытании, концентраций, субмикронных, фильтров, частиц

...Че0 5 Чк означает, что Ео 0,5 Чк/и где,и - электрическая подвижность однократно заряженной частицы с г = 0,01 мкм.Устройство для осуществления способавключает патрубок ввода потока аэрозоля 1, газоход 2, цилиндрический, решетчатый, заземленный электрод 3 и соосный ему сплошной электрод 4, подключенный черезмикроамперметр 5 к источнику 6 с напряжением 02, коронирующий проволочный электрод 7, подключенный к высоковольтному выпрямителю 8 с напряжением О 1, плоские, перпендикулярные потоку газа, параллельный, решетчатый электроды 9, 10, первый из которых по ходу газа (электрод 9) подключен к источнику 11 напряжения с напряжением О, а второй электрод 10 заземлен, механический калиброванный фильтр аэрозольных частиц 12, расположенный...

Номер патента: 1718053

Опубликовано: 07.03.1992

Авторы: Анисимов, Жеков, Кислецов, Мурина, Попов

МПК: G01N 21/00

Метки: материалах, оптически, поглощающих, прозрачных, размеров, субмикронных, частиц

...устройством 4, сигнал с которого поступает на измеритель 7, Определяют коэффициент объемного поглощения ао материала исследуемого образца 3 при каждом изменении длительности импульсов лазерного излучения. Изменение олимп проводят до тех пор, пока не будет зафиксировано скачкообразное изменение величины коэффициента объемного поглощения ао, что свидетельствует о том, что длительность импульса 7 имп достигла своего эффективного значения тимпТакое скачкообразное увеличение величины коэффициента объемного поглощения может быть объяснено следующим образом. Величина коэффициента объемного поглощения материала го складывается из коэффициента аом материала и коэффициента поглощения частиц, присутствующих в мал л териале, задаваемого как...

Номер патента: 1575829

Опубликовано: 15.08.1994

Авторы: Алейникова, Сутырин, Хриткин

МПК: H01L 21/26

Метки: диэлектрических, линейных, пластинах, полупроводниковых, структур, субмикронных, формирования

СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ ЛИНЕЙНЫХ СУБМИКРОННЫХ СТРУКТУР В ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ И ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПЛАСТИНАХ, включающий нанесение маскирующего покрытия на поверхность пластины, создание окон в маске литографией и травление ленточным пучком ионов, большая ось поперечного сечения которого расположена перпендикулярно направлению перемещения пластин, отличающийся тем, что, с целью повышения точности изготовления структур за счет уменьшения бокового растравливания, пластины в процессе травления ориентируют так, чтобы линейные субмикронные структуры были расположены перпендикулярно большой оси поперечного сечения пучка.

Номер патента: 1517663

Опубликовано: 20.01.1996

Авторы: Алейникова, Бунин, Малахов, Сутырин, Федорова, Хриткин

МПК: G03F 7/26, H01L 21/312

Метки: структур, субмикронных

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СУБМИКРОННЫХ СТРУКТУР, включающий формирование резистивной маски путем нанесения на подложку слоя резиста, его электронно-лучевого экспонирования и жидкостного проявления, удаление недопроявленных остатков резиста в кислородной плазме и реактивное ионно-лучевое травление подложки под углом к обрабатываемой поверхности, отличающийся тем, что, с целью повышения точности изготовления структур, удаление недопроявленных остатков резиста в кислородной плазме осуществляют путем реактивного ионно-лучевого травления под углом к обрабатываемой поверхности, равным углу при последующем реактивном ионно-лучевом травлении подложки.