Патенты с меткой «вч-транзисторных»

Номер патента: 1145838

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Котов, Красножон, Медведков

МПК: H01L 21/265

Метки: вч-транзисторных, структур

...ионной имплантации ннеде 11 ие только взащитный диэлектрический слой надместом выхода р-и-переходз 1 д поверхность примеси, противоположной повоздействию на знак заряда в упомянутом окисле или знаку встроенного зарлда приводит к компенсации встроенного здрлда н окисле и устранениювозможности возникновения поверхностных каналов, что в случае транзисторной структуры уменьшает кривизну выходящего на поверхность слоя объемного зарядд, приолиждет характеристикипроводимости материала подложки вприпонерхностном слое к объемным иуменьшает токи утечки при увеличениипробивных напрлжений н основном коллекторного перехода за счет уменьшения плотности поверхностных токов инжекции и устранении причин термической неустойчивости и вторичного...

Номер патента: 1284415

Опубликовано: 15.05.1994

Авторы: Глущенко, Красножон

МПК: H01L 21/331

Метки: n-p-n, вч-транзисторных, кремниевых, структур

1. СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КРЕМНИЕВЫХ n-p-n ВЧ-ТРАНЗИСТОРНЫХ СТРУКТУР, включающий формирование в кремниевой полупроводниковой подложке базовой области, легированной бором, нанесение маскирующего слоя, стойкого к окислительной среде, например нитрида кремния, гравировку, при которой маскирующий слой, стойкий к окислению, остается в местах расположения будущих эмиттеров, термическое перераспределение базовой примеси в окислительной среде, вскрытие эмиттерных окон удалением маскирующего слоя и формирование эмиттерной области, отличающийся тем, что, с целью улучшения частотных и усилительных свойств транзисторных структур при увеличении выходной мощности, после формирования в полупроводниковой подложке базовой области перед нанесением маскирующего...