Способ плазменной обработки дисперсного материала
Формула | Описание | Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Формула
СПОСОБ ПЛАЗМЕННОЙ ОБРАБОТКИ ДИСПЕРСНОГО МАТЕРИАЛА, включающий подачу в разрядную камеру высокочастотного индуцированного плазмотрона плазмообразующей среды, формирование в ней от высокочастотного источника питания индукционного разряда и подачу в область разряда дисперсного материала, отличающийся тем, что, с целью повышения удельной производительности при обработке высокотемпературного дисперсного материала за счет повышения устойчивости разряда, в рабочем объеме разрядной камеры высокочастотного индукционного плазмотрона дополнительно формируют от низкочастотного источника питания совмещенный с высокочастотным индукционным разрядом сильноточный электродуговой разряд, подачу дисперсного материала осуществляют в область совмещенного плазменного разряда, а отношение линейной плотности мощности дугового (Pэд) и индукционного (Pвч) разрядов выбирают из условия
0,02
5.
Описание
Целью изобретения является повышение удельной производительности при обработке высокотемпературного дисперсного материала в различных газовых средах за счет повышения устойчивости разряда.
Рост удельной производительности обработки дисперсного материала предлагаемым способом по сравнению с производительностью независимого ВЧ или ЭД-разрядов суммарной мощности можно проиллюстрировать следующими данными.
Критическим расходом порошка Al2O3 дисперсностью 100 мкм в ВЧ-плазмотроне ЛГД-32М мощностью



Сущность изобретения заключается в том, что в способе плазменной обработки дисперсного материала, включающем подачу в разрядную камеру высокочастотного индукционного плазмотрона плазмообразующей среды, формирование в ней от высокочастотного источника питания индукционного разряда и подачу в область разряда дисперсного материала, согласно изобретению в рабочем объеме разрядной камеры высокочастотного индукционного плазмотрона дополнительно формируют от низкочастотного источника питания совмещенный с высокочастотным индукционным разрядом сильноточный электродуговой разряд, подачу дисперсного материала осуществляют в область совмещенного плазменного разряда, а отношение линейной плотности мощности дугового и индукционного разрядов выбирают из условия
0,02



РВЧ - линейная плотность мощности высокочастотного индукционного разряда (мощность на единицу длины ВЧ-разряда в направлении его оси).
Способ обработки дисперсных материалов в ВЧД-плазмотроне осуществляют в следующей последовательности операций.
В разрядную камеру высокочастотного индукционного плазмотрона подают аргон или другую плазмообразующую среду с расходом порядка 20 л/мин.
Формируют в разрядной камере высокочастотного индукционного плазмотрона от высокочастотного источника питания индукционный разряд.
В области индукционного разряда высокочастотного плазмотрона дополнительно формируют от низкочастотного источника питания совмещенный с высокочастотным индукционным разрядом продольный сильноточный электродуговой разряд.
Сильноточный ЭД-разряд между электродами в разрядной камере ВЧ-плазмотрона можно возбуждать одним из известных способов до, после или в момент возбуждения ВЧ-разряда. При этом плотности мощности дугового и высокочастотного индукционного разряда выбирают из условия
0,02



В неконтрагированную область совмещенного плазменного ВЧД-разряда подают дисперсный материал.
На чертеже изображена схема устройства для его осуществления.
Устройство содержит индуктор 1, состоящий из медной водоохлаждаемой трубки и подключенный к высокочастотному источнику питания 2, и коаксиально установленную разрядную камеру 3 с водоохлаждаемыми кварцевыми стенками.
Верхний водоохлаждаемый металлический фланец 4 разрядной камеры 3 имеет каналы 5 для подвода охлаждающей воды, каналы 6 для ввода порошка в совмещенный ВЧД-разряд из питателя 7 и каналы 8 для тангенциального подвода в камеру 3 плазмообразующего газа. Нижний водоохлаждаемый металлический фланец 9 снабжен каналами 10 для отвода охлаждающей воды и патрубком сборника 11 обработанного порошка.
По оси разрядной камеры 3 на фланце 4 и по оси сборника 11 изолированно установлены тугоплавкие электроды 12, 13, снабженные механизмами осевого перемещения (не показаны). Электроды подключены электрически к источнику 14 питания низкочастотного (постоянного) напряжения, причем нижний электрод заземлен. Отношение мощностей источников питания 14 и 2 в данном случае выбрано равным
Nэд/Nвч= 10/32

Устройство работает следующим образом. В разрядную камеру 3 по каналам 5, 9 подают охлаждающую воду и по каналам 8 - плазмообразующий газ с расходом

В область сформированного таким образом совмещенного ВЧД-разряда через каналы 6 из питателя 7 подают обрабатываемый дисперсный материал. Пройдя зону ВЧД-разряда, порошок попадает в холодную зону патрубка сборника 11. Характерные размеры разрядной области ВЧ-разряда по оси и ЭД-разряда в рабочем режиме выбираем равными, т. е. НЭД/НВЧ= 60/60= 1. Отношение линейной плотности мощности совмещенного ВЧД-разряда в данном случае равно РЭД/РВЧ= 0,3.
Совмещение ВЧ и ЭД-разрядов указанным образом в рабочем объеме разрядной камеры ВЧ-плазмотрона приводит к увеличению устойчивости как дугового, так и высокочастотного плазменного разрядов. Наличие в рабочем объеме разрядной камеры ВЧ-плазмотрона скрещенных электромагнитных полей ВЧ и ЭД-разрядов при высокой удельной проводимости плазмы обеспечивает эффективное электромагнитное взаимодействие ионной и электронной составляющих этих разрядов.
Этот процесс характеризуется новым типом неконтрагированного высокочастотного дугового (ВЧД) разряда с распределением токов ЭД-разряда по разрядному объему ВЧ-плазмотрона.
При увеличении поверхности теплообмена с возрастанием расхода и/или дисперсности обрабатываемого материала возможная тепловая неустойчивость ВЧ-разряда в совмещенном ВЧД-разряде компенсируется практически мгновенным его восстановлением (повторным зажиганием) от постоянно существующего сильноточного дугового разряда, устойчивость которого значительно превышает устойчивость распределенного ВЧ-разряда в указанном диапазоне мощностей и характерных размеров.
П р и м е р конкретного выполнения способа. В рабочий объем разрядной камеры ВЧ-плазмотрона тангенциально подают плазмообразующий газ Ar c расходом 0,5 л/с. Включают охлаждение разрядной камеры. По истечении нескольких секунд после включения ВЧ-колебательного контура и подачи на отрицательный электрод постоянного напряжения холостого хода


В кольцевую область, исключающую центральную зону



Отношение мощности ЭД и ВЧ разрядов в совмещенном ВЧД-разряде согласно предложенному способу в этом случае составляет 0,3.
Отношение характерных размеров дугового и ВЧ-разрядов при этом равно 0,17. Отношение линейной плотности мощности совмещенного ВЧД-разряда в этих условиях равно 2.
Удельная производительность ВЧ-разряда суммарной мощности 40 кВт при критическом расходе порошка Al2O3 дисперсностью 100 мкм составляет около 0,012 г/кВт

В рассмостренном примере конкретного выполнения способа удельная производительность обработки порошка в совмещенном ВЧД-разряде составляет 0,02 г/кВт

Превышение удельной производительности ВЧД-разряда указанной мощности над удельной производительностью ВЧ-разряда суммарной мощности составляет в данном случае более чем в 1,6 раза.
(56) Донской А. В. , Клубникин В. С. Электроплазменные процессы и установки в машиностроении. Л. : Машиностроение, 1979, с. 99.
Клубникин В. С. Тепловые и газодинамические характеристики индукционного разряда в потоке аргона. ТВТ, 1975, т. 8, N 3, с. 473-482.
Изобретение относится к плазменной технологии, конкретно к способу плазменной обработки дисперсного материала, и может найти применение при сфероидизации высокотемпературных порошковых композиционных материалов на основе оксидов, карбидов, нитридов. Сущность: в разрядную камеру высокочастотного индукционного плазмотрона подают аргон или другую плазмообразующую среду с расходом 20 л/мин. Формируют в разрядной камере высокочастотного индукционного плазмотрона от высокочастотного источника питания индукционный разряд. В области индукционного разряда высокочастотного плазмотрона дополнительно формируют от низкочастотного источника питания совмещенный с высокочастотным индукционным разрядом продольный сильноточный электродуговой разряд. При этом плотности мощности дугового и высокочастотного индукционного разрядов выбирают из соотношения

Рисунки
Заявка
4929940/25, 22.04.1991
Научное объединение "Институт высоких температур АН СССР"
Усов В. Ф, Короткий В. М
МПК / Метки
МПК: H01L 21/326, H05B 7/00
Метки: дисперсного, плазменной
Опубликовано: 15.05.1994
Код ссылки
<a href="https://patents.su/0-1810025-sposob-plazmennojj-obrabotki-dispersnogo-materiala.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ плазменной обработки дисперсного материала</a>
Предыдущий патент: Газоразрядный источник неизотермической плазмы с осциллирующими электронами
Следующий патент: Парашютная система
Случайный патент: Алюминиевый электролизер