Патенты с меткой «монокристаллическом»

Номер патента: 1415956

Опубликовано: 07.09.1990

Авторы: Рябушкин, Сергеев

МПК: G11C 13/04

Метки: записи, информации, монокристаллическом, низкотемпературным, носителе, полупроводниковом, примесным, пробоем

...интенсивность света, достаточнаядля пробоя. Носитель записи, используемый для реализации предлагаемогоспособа, представляет собой однородную монокристаллическую пленку нлипластину компенсированного полупроводника, легированного мелкими примесями. На йленку (пластину) полупроводника нанесены два омических контакта. Способ записи осуществляютследующим образом. Полупроводник охлаждают до температуры Т, удовлетворяющей условию ТЕ/К где К - постоянная Больцмана воздействуют нанего постоянным электрическим полемс напряженностью Ер ниже темновойнапряженности Е т цизкотемпературногопримесного пробоя и облучают светомс частотой 1 и интенсивностью, соответствующей записываемой информации. Напряженность Ер электрическогополя выбираютисходя из...

Номер патента: 1083848

Опубликовано: 30.06.1994

Авторы: Иноземцев, Итальянцев, Кузнецов, Мильвидский, Мордкович, Смульский

МПК: H01L 21/322

Метки: кластеров, кремнии, монокристаллическом, ростовых, экстракции

СПОСОБ ЭКСТРАКЦИИ РОСТОВЫХ КЛАСТЕРОВ В МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОМ КРЕМНИИ, включающий термообработку пластин кремния при температуре 1000 - 1250oС в атмосфере неокисляющего газа, содержащего добавку хлористого водорода, отличающийся тем, что, с целью увеличения производительности процесса, в качестве неокисляющего газа используют водород, содержание хлористого водорода выбирают в диапазоне 0,5 - 2 об.%, а термообработку проводят в течение 3 - 10 мин.