Патенты с меткой «ионно-химического»

Способ ионно-химического травления кремнийсодержащих диэлектрических пленок на кремниевых подложках

Загрузка...

Номер патента: 1040980

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Бутырин, Дикарев, Красножон

МПК: H01L 21/3065

Метки: диэлектрических, ионно-химического, кремниевых, кремнийсодержащих, пленок, подложках, травления

...перехода парагелия из состояния (1 Я - 8 ) в метастабильное состояние 2 Я (Я ) или 19,82 эВ для перехода в состояние 2 Б (3 Я) -для ортогелия, а также для атомов неона - 10,30 эВ при переходе2 р - 8 о -+ 3 р 1/21Для других инертных газов энергия тушения возбужденных атомов значиЬтельно ниже 1 б эВ и недостаточна для ионизации молекул Фтористого водо". рода.Таким образом, введением во входящии газовый поток, содержащий фтористый водород и водород, неона или гелия обеспечивают увеличенное образование ионов НР" в общем ионном потоке.5 104409В дальнейшем положительные ионы переводят преимущественно в молекулярное состояние путем соэрания объемного отрицательного заряда электронов в пространстве реакционной камере между плазменным разрядом.и...

Способ ионно-химического травления двуокиси и нитрида кремния

Загрузка...

Номер патента: 867233

Опубликовано: 15.07.1993

Автор: Красножон

МПК: H01L 21/3065

Метки: двуокиси, ионно-химического, кремния, нитрида, травления

...в герметичный резервуар 2, термостатируемый с помощью термостата 3. Через устройство для дозирования малых расходов газов 4 пары фтористого водорода поступают в вакуумпровод 5. Туда же, через устройство для дозирования малых расходов газа 6 поступает в вакуумпровод водород 7. Этот суммарный молекулярный поток 8 поступает в формирователь 9 ионного потока 10. В формирователе 9 под воздействием электромагнитного поля от источника питания 11 создают газовую плазму 12 низкого давления, в которой происходят реакции диссоциации, ионизации и т.п. С помощью электрической составляющей электромагнитного поля из плазмы вытягивают поток положительных ионов 10 продуктов диссоциации фтористого водорода и водорода. Для компенсации накапливающегося...

Способ ионно-химического травления двуокиси кремния или нитрида кремния

Загрузка...

Номер патента: 774478

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Булгаков, Косоплеткин, Красножон

МПК: H01L 21/3065

Метки: двуокиси, ионно-химического, кремния, нитрида, травления

...же режимах процесса селективность травления Я 10 г/Я лучше, чем 12:1. По мере истощения используемого раствора фтористого водорода его концентрация уменьшается до концентрации,соответствующей азеотропному составу,т.е. 38,3 масс. Опри нормальном атмосферном давлении.Использование 38,3-ного растворафтористого водорода в воде, соответствующего азеотропному составу при нормальном атмосферном давлении, при испаренииего в условиях повышенного давления врезервуаре приводит к тому, что, в соответствии со вторым законом Вревского, составнераздельно кипящей смеси при увеличении общего давления изменяется в сторонууменьшения содержания компоненты сменьшей дифференциальной теплотой парообразования, т,е. НГ, и составляет в исходном молекулярном...

Способ ионно-химического травления двуокиси и нитрида кремния

Номер патента: 749293

Опубликовано: 15.05.1994

Авторы: Булгаков, Косоплеткин, Красножон, Толстых

МПК: H01L 21/306

Метки: двуокиси, ионно-химического, кремния, нитрида, травления

СПОСОБ ИОННО-ХИМИЧЕСКОГО ТРАВЛЕНИЯ ДВУОКИСИ И НИТРИДА КРЕМНИЯ в потоке фторсодержащих ионов и электронов, отличающийся тем, что, с целью повышения селективности травления по отношению к кремнию, травление проводят в потоке положительных ионов фтористого водорода и продуктов диссоциации аммиака.