Аросев

Номер патента: 1738035

Опубликовано: 15.06.1994

Авторы: Аросев, Комкова, Рогов, Шереметьев

МПК: H01L 21/304

Метки: полупроводниковых, структур

1. СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР, включающий наклейку пластин на план, утонение пластин до заданной толщины путем обработки нерабочей стороны, разделение пластин на отдельные структуры, отличающийся тем, что, с целью расширения технологических возможностей способа и повышения выхода годных, перед наклейкой пластин на план на рабочей стороне пластины по ее периферии дополнительно жестко закрепляют кольцевой держатель, внутри которого наклеивают диск с зазором, и одновременно шлифуют торцевые поверхности кольцевого держателя и диска до их выравнивания, а перед разделением пластин удаляют диск путем его отклеивания и проводят металлизацию нерабочей стороны пластины, при этом диск выполняют из того же материала, что и...

Номер патента: 1480679

Опубликовано: 15.10.1993

Авторы: Аросев, Дорогутин, Кравчук, Филоненко

МПК: H01L 21/603

Метки: гибридных, интегральных, полупроводниковых, приборов, сборки, схем, элементов

...аргон под давлением 2,5 кгс мм (фиг. 3). Проходя канал 4 инст 2румента, обогреваемого кольцевым нагре вателем 5, гаэ нагревается до 250 С и оказывает давление на всю поверхность крисалла. Температура подложки 1 при подаче нагретого газа поднимается до 390 С и на границе контактных поверхностей обра эуется жидкий слой 6 электрического состава, В момент образования этого слоя кольцевой нагреватель инструмента отключается и жидкий слой затвердевает под давлением холодного газа (фиг. 4). Затем газ 45 отключается и инструмент возвращается на исходную позицию для захвата очередного кристалла (фиг. 5). Для получения сравнительных данных, характеризующих различные варианты изобретения, параллельно 50проводилась сборка однотипных структур при...