Патенты с меткой «стабилитрон»
Полупроводниковый стабилитрон
Номер патента: 176988
Опубликовано: 01.01.1965
МПК: H01L 29/88
Метки: полупроводниковый, стабилитрон
...от поверхности структуры со сто роны коллектора, чем весь коллекторный переход.В результате этого значительно повышается мощность полупроводниковых стабилитронов.На чертеже схематически и н предложенный стабилитрон.Он представляет собой мощный полупроводниковый триод типа п - р - и с эмиттерным переходом 1 и диффузионным коллекторным переходом 2. В коллекторном переходе имеется участок 3 одного с базой типа проводимости гет изобретения итрон, выполктуры типа и - о, с целью поколлекторном табилитронный проводимости, ие пробоя меньобоя всего колрасположен на ти структуры соколлекторный зображе 11 одписная группа97 присоединением заявкималой площади со значительно меньшей глубиной перехода и меньшим напряжением пробоя, чем весь...
Стабилитрон коронного разряда
Номер патента: 315225
Опубликовано: 01.01.1971
Авторы: Белоус, Власов, Кашников, Никольский
МПК: H01J 17/40
Метки: коронного, разряда, стабилитрон
...цедостаткострукций является малыйтоков. наполнен водородом до давления, иозвосЯюшего получить 11 ужный ровень напряжения горения коронного разряда.Прц подаче питающего напряжения зажигается,коронный разряд между катодом 5 и ацодох д и ток проходит через прибор. Напряжение горения короны почти не зависит от измене:ия тока, Однако кратковрехеныые увеличеш 1 я тока коронного разряда, превышающие максимальный рабочий ток, за счет, цапрцхер, цзпульсов цаВОдок 1 похех) срывают коронный, разряд. Срыв коронного разряда заключается в том, что напряжение в разрядном промежутке резко падает ц возникает импульс тока пробоя. После прохождения этого цх 1 пул са разряд гаснет п напряжение в разрядном промежутке увеличивается до первоначального...
Полупроводниковый стабилитрон
Номер патента: 546046
Опубликовано: 05.02.1977
МПК: H01L 29/36
Метки: полупроводниковый, стабилитрон
...соответствующими омическими контактами 4 - 6.Конта,кты 4 и 6 присоединены соответственно к (положительному и отрицательному полюсам источника нестабилизиркхванного напряжения (на чертеже не показан). Стабилизированное налряжение снимается с контактов 4 и 5.Напряжение пробоя данной полупроводниковой структуры определяется напряжениемпробоя р - и перехода между областями 1 и 2.Когда входное напряжение, подаваемое между контактами 4 и 6, ниже напряжения про 20боя р - и перехода между областями 1 и 2, послою 3 протекает незначительный ток. Когдавходное напряжение превышает напряжениепробоя р - и перехода между областями 1 и 2,ток, протекающий по слою 3, резко возрас 25тает, что приводит,к повышению солропивления слоя, Возникающее...
Стабилитрон
Номер патента: 905808
Опубликовано: 15.02.1982
Автор: Сподынейко
МПК: G05F 3/16
Метки: стабилитрон
...по току, Разбросвеличины тока стабилитрона при сменеполярности приложенного напряженияможет быть уменьшен применениемсимметричных транзисторов, у каждогоиз которых площади коллектора и эмиттера идентичны, В непроводящем состоянии через структуру идут толькотоки утечки, в том числе и емкостные,которые могут доминировать на высокихчастотах,Предлагаемый стабилитрон макетируется на дискретных транзисторах,германиевых, кремниевых и их сочетаниях, при этом соответственно меняется среднее напряжение стабилизации(0,7 В; 1,3 В; 1 В). Применениемтранзисторов с повышенным коэффициентом передачи по току в предлагаемойструктуре относительно защищаемыхтранзисторов входа усилителя можноувеличить технологический запас понапряжению на входном...
Низковольтный газоразрядный стабилитрон
Номер патента: 983817
Опубликовано: 23.12.1982
МПК: H01J 17/38
Метки: газоразрядный, низковольтный, стабилитрон
...колбы с большой крутизной.Радиальное Распределение потенциалапоказано на фиг. 3. На электродах 4 и 205 автоматически устанавливаются потенциалы плазмы, соответствующие точкамплазмы, в которых расположены измерительные электроды. Эти потенциалы могут достигать сотен вольт и примерно 25равны, так как электроды расположенысимметрично относительно электрическойоси разряда. С помощью резистора 9(фиг. 2) токи, текущие через резисторы7 и 8, можно скомпенсировать таким зообразом, чтобы стрелка измерительногоприбора показала нуль.При помещении прибора в магнитноеполе произойдет разбаланс плеч и измеРительный пРибоР покажет Разность потенциалов на измерительных электродахв зависимости от магнитных величинполя.Применение известного газоразрядного...
Стабилитрон
Номер патента: 1372312
Опубликовано: 07.02.1988
Автор: Якимаха
МПК: G05F 3/22
Метки: стабилитрон
...транзистора 2, коллектор транзистора 3 соединен с коллектором транзистора 4,коллектор транзистора 2 соединен сбазой транзистора 3, а коллектортранзистора 1 соединен с базой транзистора 435Стабилитрон работает следующимобразом,В стабилитроне осуществлена развязка между транзисторами 1 и 2, задающими величину диапазона экспоненциальных вольтамперных характеристик (ВАХ), и транзисторами 3 и 4,задающими диапазон выходных токов,Выходной ток элемента, протекающийчерез выводы 5 и 6, определяетсятранзисторами 3 и 4, геометрическиеразмеры которых могут быть выбранызначительно больше размеров транзисторов 1 и 2. Поэтому тепловые токи1 , и 1 , транзисторов 3 и 4 зна 50чительно больше тепловых токов 1 ,и 1 , транзисторов 1 и 2, Это означает,...
Низковольтный газоразрядный стабилитрон
Номер патента: 1465921
Опубликовано: 15.03.1989
Авторы: Банковский, Иванов, Кулакова
МПК: H01J 17/38
Метки: газоразрядный, низковольтный, стабилитрон
...-); таой( тво ощрхй Вич на фиг 3 электр(ческая схех Га екп(ачения,ГЛе:ОгопредельехьЙ нх)з.".Овольтныйгазоразрядннй стабх(литрое- Содер(ит,х); Юм) переменные резисторы20-73 Д 470 КОм) резистор 24 (Б=:к 0)Устр Оиств о раоотает (,ледуащихоб"- разом,Дри:-Годаче постоянного нагр 5 жехч 5(На анод 2 И Кя(0)7, 3 ЗажилГЯЕТС 5 раэряд, На регистррухащхех электродах 4-11 устанавливаются потенциалы изолирован(ого зонда в пгазме, соот"ветствук)щие точкам в которых расположены электроды, Значения потенциалов ь(огу 7 составлять несколькоДЕСЯТКОВ ВОЛЬТ ОТНОСИТЕЛЬХЕО ПОТЕНциала ка.ода 3. На несимметричнорасполохкеХГхых электродах (например,6,7) сразу устанавливается некотораяразность потенциалов (десятки вольт)Укоторая используется как базоваяпри...
Прецизионный низковольтный интегральный стабилитрон
Номер патента: 1483442
Опубликовано: 30.05.1989
Авторы: Драпкин, Кирюхин, Наградова, Халикеев
МПК: G05F 1/613
Метки: интегральный, низковольтный, прецизионный, стабилитрон
...на диодах 14 и 15;20Ц9 - напряжение эмиттер-базатранзисторов 18 и 19, при"эб 9 Д 4 Дэв 16кТ ТэВ связи с тем, что Б = - 1 п -25зь 1 1 (где Т- ток насыщения), Т 9 =Т 14ЯД 44В данном случае = Т = А Т (где А - коэффициент про 18порциональности; Т - абсолютная тем пература).Требуется обеспечить независимость от температуры тока 1 э,в. Если это условие выполняется, то Т э,9 = ВТ (где В - коэффициент пропорциональности) .ТЬ= Т, +та1 Х 1 Т мэдЧ КФ Тэавозрастает с ростом температуры, Т я =40 0 э 89т.е. падает с ростом темпеКоратуры.11 ри надлежащем подборе сопротив-, лений резисторов 20,21 К , и К, 45 сумма 1 и Хздне изменяется сотемпературой, Зто требование обеспечивается при условии-Е +О +-.-(. --+1) +1 К 20=0,КТ К 20Оф эв ч К 2 9 50 тично...