Полупроводниковый стабилитрон

Союз Советских Социалистических Республик(43) Опубликовано 05.02.77. БюллетеньХосударственный комите Совета Министров СССР 53) УДК 621.382(45) Дата о я 23.03.77 бликования опи 2) Авторы изобретения М, С. Сонин и В, П, Морозов 1) Заявитель нститут автоматики и телемеханик(54) ПОЛУПРОВО акого стабими р - и пеИзвестен полупроводниковый стаоилизатор напряжения (стабилитрон), представлиощий собой пластину полупроводника определенного типа проводимости с омическим контактом, в которой создана оильнолетированная область противоположного типа проводимости, также с омическим контаостом,Для повышения качества стабилизации желательно, иметь возможно большие значения гасящего сопротивления, Обычно его величина не превышает 5 - 10 ком, поскольку в лротивном случае резко возрастают потери вне режимапробоя.С целью повышения стабильности напряжения в данный стабилитрон введен дополнительный тонкий слаболепированный слой с омическим контактом, электрически соединенный с силынолетированной областью того же типа проводимости,При определенных условиях сопротивление тонкого слаболепированного слоя полупроводника, граничащего с областью полупроводника противололожного типа проводимости, возрастает при увеличении тока, протекающего по этому слою. Это происходит из-за изменения толщины пространственного заряда при изменении напряжения на р - и переходе.Конструкция предлагаемого стабилитрона представлена на чертеже,Пластина полупроводника (напримеркремния) содержит обладающую электроннойпроводимостью область 1, сильнолегированную область 2 с дырочной проводимостью и5 имеющий с областью 2 электрический конта 1 кт тоякий слаболегированный слой 3, также обладающий дырочной проводимостью.Области 1 и 2, а также слой 3 снабжены соответствующими омическими контактами 4 - 6.Конта,кты 4 и 6 присоединены соответственно к (положительному и отрицательному полюсам источника нестабилизиркхванного напряжения (на чертеже не показан). Стабилизированное налряжение снимается с контактов 4 и 5.Напряжение пробоя данной полупроводниковой структуры определяется напряжениемпробоя р - и перехода между областями 1 и 2.Когда входное напряжение, подаваемое между контактами 4 и 6, ниже напряжения про 20боя р - и перехода между областями 1 и 2, послою 3 протекает незначительный ток. Когдавходное напряжение превышает напряжениепробоя р - и перехода между областями 1 и 2,ток, протекающий по слою 3, резко возрас 25тает, что приводит,к повышению солропивления слоя, Возникающее здесь в результатсэтого дополнительное падение напряженияповышает качеспво стабилизации,Напряжение стабилизации т30 литрона определяется параметра546046 Составитель О. ФедюкинТехред Н. Сметанина фед Редакто ектор В, Гутма Заказ 73/149ЦНИИП 415ного комитетизобретений-35, Раушска Тираж 1019Совета Министров Соткрытийнаб., д. 45 одписно осударстве по дела Москва, Ж к. фил. пред, Патент ип. рехода, образованного сильнолегированной дырочной областью 2 и областью 1 с электронной проводимостью, Зависимость сопротивления слаоолегированного дырочного слоя 3 от тока, а также величина максимального тока, протекающего по слою, определяются геометрией слоя и концентрацией примеси в нвм. Для изготовления стабилитрона могут быть использованы различные технологические методы, в частности, для создания сильнолегированной области - вплавление, диффузия, эпитаксиальное вытаращивание, для создания слаболегированного слоя - диффузия, эпитаксиальное выращивание,Стабилитрон может также содержать область 1 с дырочной,проводимостью, а область 2 и слой 8 - с электронной проводимостью,В этом случае полярность входного напряжения должна быть,прютивоположной рассмотренноъгу выше случаю,5 Формула изобретения,Полупроводниковый стабилитрон в видепластины полупроводника с омическим контактом, в которой содержится снабженная10 омическим контактом сильнолепироваиная область противоположного типа, проводимости,отл ич а ю щи й ся тем, что, с целью повышения стабильности требуемого уровня выходного напряжения, он со 1 держит снабженный15 омичесиим контактом и электрически соединеный с сильнолегированной областью дополнительньй слаболегированный слой, тип проводимости которого совпадает с типом проводимости сильнолегированного слоя,