Состав для шлифования полупроводниковых структур
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
(61) Дополн 1 ггельное к авт, свид-ву 21) 2139649,125 2. аявлено 0присосди ием заявки М Гасударственный комитет Совета Министров СССР по делам изобретенийн открытий(23) Приорит бликовано 30.01,77. Бюллетень М 4 53) УДК 621.382(088.8) Дата опубликования описания 11.02.7. Пинчук и В. М. Рюмши 71) Заявите 54) СОСТАВ ДЛЯ ШЛИФОВАНИ ЛУПРОВОДН ИКОВЫХ СТРУКТ 2 кую скорость шлифов я вать Врез 1 сцс.1, иоэтомм во фовка.Цель изобретения - и снижение элсктриче контакта.Поставленная цель дост состав введен глицерин пр ношении компонентов в вес.Абразивньш порошок М ГлицеринВода цо регулироца псрешлир.моя пов СКО циение прочности о сопротивления гает1 СЛЕог .о тем, чтощем со 20 - 30 20 - 40Остальное иковые пластины осле операций дифеси, термического и, диффузии доцорютолитографии подй обработке в вод%):ч 0 - 40 П р и м е р. Полупровод 5 гг - типа проводимости пфузии акцепторцой прим окисления, фотолитографи ной примеси и финишной г вергают гидромеханическо О ной суспензии состава (весГлицеринАоразивный порошок М Вода 20 - 30стальное оораоогкц сузукту 1 ы отмь в а ц 11 с и он и ации методо Послековые стзвуковойметаллизвора,ценз вают олупроводццдной ультраца операцию 1 я из растгеи и в во пают ждец с.ту оса Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов, преимущественно при получении контактных покрытий на многослойных полупроводниковых структурах со сложным рельефом.Известен травитель для обработки поверхности полупроводниковой структуры перед операцией нанесения контактов, содержащий насыщенный раствор бихромата калия в плавиковой кислоте и травитель, содержащий натриевую и калиевую щелочь.К недостаткам известного травителя относится следующее.Раствор бихромата калия в плавиковой кислоте воздействует на поверхность кремния и на разделительные окисные слои, он также полирует поверхность полупроводника, ограничивая предельную толщину осаждаемого покрытия,Обработка в смеси натриевой и калиевой щелочей (тактике как и предыдущий трави- тель) снижает концентрацию легирующих примесей в приконтактной области и полирует поверхность структуры.Наиболее близким техническим решение.;1 является состав для шлифования полупроводниковых структур со слокиым рельефом, например, окисцым, содержащий аоразивный порошок и воду. Однако состав требует постоянного иеремешивания, кроме того, высо(51) М. Кл.з Н 011. 2130545017 Формула изобретеиия 10 Составитель Е. Бычков Тскрсд Е. Петрова Корректор Л, Денискина Редактор Н, Коляда Заказ 112/13 Изд. Ьо 67 Тира)к 1019 Подписное Ц.1 ИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР но делят нзоб)рстсни и с гкрп)тий 13035, Москва, Ж, 1 яугискяя иаб., д 4,5Тиногр)фия, пр. Сапунова, 2 Рсализацп 51 прсдг 10 жсииОГО спосооа поз 130- лп 0013 ысиг 1 ироцсит 3 ыкода, иадежиость и циклос гойкость иолупроводниковык приборов, снизить прямое иадеиис иаиряжсиия и тепловое сопротивлеиис. Состав для шлифования полупроводииковыкструктур со сложиым рельефом, иапример окиси ык, Содержа 010 Й ОбразивиыЙ 130130 и)ок и ВОДМ, О 1 Г И и Ь Го 0 И И С 5 СМ, 1 О, С ЦСГЬ 10 И- 130 исипя п 130 ч 1 Ости и сижсии 51 злскт)исско- ГО сопротивлсии 51 коитакГа, в СОста 13 Ввсдси глицерин при следуОгци соотпошевияк инградиситов в вес. %:
СмотретьЗаявка
2139649, 02.06.1975
ПРЕДПРИЯТИЕ ПЯ Р-6517
ПИНЧУК ЯКОВ МОИСЕЕВИЧ, РЮМШИН ВЛАДИМИР МИХАЙЛОВИЧ
МПК / Метки
МПК: H01L 21/302
Метки: полупроводниковых, состав, структур, шлифования
Опубликовано: 30.01.1977
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-545017-sostav-dlya-shlifovaniya-poluprovodnikovykh-struktur.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Состав для шлифования полупроводниковых структур</a>
Предыдущий патент: Способ обнаружения примесей в газонаполнителе газонаполненных разрядников
Следующий патент: Многозондовая измерительная головка
Случайный патент: Способ получения водорастворимыхгалогенидов кобальтициния илиего гомологов