Шелованова

Номер патента: 521806

Опубликовано: 25.08.1977

Авторы: Алферов, Андреев, Клепикова, Колышкин, Ларионов, Портной, Шелованова

МПК: H01S 5/30

Метки: гетеропереходами, лазер, полупроводниковый

...(И - 10 см ), Области переменного состава (3 и 5) выполнены иэ АЯф ЦОАЬ (х,00-0,10) с т 1, р=5 10-10 см . Их толщина может изменятьсяв пределах 0,5-3 мкм, Состав широкозонныхэмиттеров постоянного состава (2 и 6) иэАйсАб составляет 20 мол,%А 1 А 6 (и, р - 10 см ), Слои и гнев -зпа обычно легируются теллуром, слои р -типа легируются бе. Предельные импульсныеосветовые мощности, полученные при 300 Кна лазере, изображенном на фиг, 2, с толтолщиной узкозонного слоя 0,5 мкм, толщинойволноводной области 2,5 мкм, оказалисьпри выводе излучения через одну резонаторную грань700 Вт/см ширины лазера(длительность импульса Г им= 10 с),йа пороговая плотность тока была 2,2 кА/см(грани резонатора Фабри-Перо изготовлялись скалыванием, длина лазера...

Номер патента: 463394

Опубликовано: 05.01.1977

Авторы: Андреев, Егоров, Ермакова, Ларионов, Шелованова

МПК: H01L 21/20

Метки: полупроводниковых, структур

...заключается в в ращивании поверх последнеи последующем химическодополнительного слоя материала, скорость травления которого бопее,чем на порядок превосходит скорость трввпения материапа последнего рабочего слоя.Дпя выращивания в конце крции последнего рабочего сЛоя врасплав, из которого производится ее о кристаллизация, вводится веществ е463394 Составитель Н, ОстровскаяРедактор Т, Орловская Техред О, Луговая Корректор В. Куприянов Заказ 893/79 Тираж 976 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская набд. 4 Юфилиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4 чивакцее кристаллизацию дополнительного слоя, После окончания эпитаксии этот слой...