Канчуковский

Номер патента: 1693119

Опубликовано: 23.11.1991

Авторы: Бабинский, Бардина, Канчуковский, Мельник, Трушкина

МПК: C23C 18/26

Метки: металлизацией, поверхности, полистирола, раствор, травления, ударопрочного, химической

...количество активных центров дляпоследующего химического меднения. 20П р и м е р 1. Состав для травленияготовят следующим образом: к 45 г(;=1,2632) глицерина добавляют 35 гс 3 =1,03375 (диоксана и перемешивают 25стеклянной палочкой при добавлении к полученной эмульсии 20 г(сй =1,1109) формали 20на, что соответствует 45 глицерина, 35%диоксана и 200 формалина. При перемешивании раствор становится гомогенным. 30Травление проводят при комнатной температуре погружением изделий в приготовленный состав на 45 с, затем детальп ромы вают и роточ ной водой и высушивают.Проводят процесс активации поверхности в 35кислом растворе двухлористого оловаЯпС 2+2 Н 20. Содержащиеся в нем ионыЯп+2 сорбируются на поверхности обрабатываемых изделий и...

Номер патента: 1657945

Опубликовано: 23.06.1991

Авторы: Ильинский, Канчуковский, Могильницкий, Моржаков, Першин, Шенкевич

МПК: G01B 7/18

Метки: качества, металлических, поверхностях, приклейки, тензорезисторов

...время приклейки составляет 6 кгс/см.После того, как тензорезистор приклеен, производят изгиб балки посредством смещения ее свободного конца на 10 мм и с помощью приклееных тензорезисторов производят измерение ее относительной деформации. В качестве измерительного прибора используют тензоусилитель "Топаз",Полученные результаты показали, что отклонение измеренной относительной деформации от теоретической, вычисленной по формуле ЙАЕ=ггде й - толщина балки;д - величина прогиба конца балки;1 - длина балки,составляет не более 5 , что не намного превышает погрешность измерений на приборе "Топаз" (2%), Емкость между решетками приклеенных тензорезисторов и основанием(балкой), измеренная с помощью прибора ВМ 560 (Тесла), позволяющего измерять...

Номер патента: 1604536

Опубликовано: 07.11.1990

Авторы: Богуш, Джелали, Канчуковский, Мороз, Савченко

МПК: B23K 35/363

Метки: пайки, флюс

...использовать смесь из равпых частей этилового спирта и ацето 35 на.В таблице приведены состав и технологические характеристики флюса.Проводят испытания полученных паяных соединений печатных плат в ка 40 мере влажности (относительная влажность:90% при 40 + 2 С) длительные и ускоренные, а также проверку электрических параметров (определение сопротивления, изоляции на терраом" метре ЕбА).В качестве образцов используютпечатные платы с различными покрытиями, Результаты испытаний паяных соединений, выполненных с помощьюпредлагаемого и известного флюсовна дечатных платах, например, с оловянно-висмутовым покрытием приведеныв таблице.Флюс обладает хорошей растекаемостью, обеспечивает смачивание поверхности печатных плат на...

Номер патента: 1542750

Опубликовано: 15.02.1990

Авторы: Арцимович, Бардина, Канчуковский, Мороз

МПК: B23K 35/363

Метки: аппаратуры, пайки, радиоэлектронной, флюс, элементов

...(муравьиной кислотой или аммиаком), приводит к образованию З-диалкиламиноиндолам, способным образовывать органические соединения с оловомг л, СННСООЗтин мн1542750 с образованием димеров по двойным связам фенилгидразона пировиноградной кислоты и т.д.Положительный эффект достигается только за счет совокупного воздействия пред лагаемых компонентов состава и предлагаемого ингредиента. Незаменимой является также и вода, которая, будучи растворителем, вызывает процессы гидролиза, усиливающиеся на твердой поверхности, Опозволяет протекать превращениям, спо(собствующим активизированию пассивной поверхности и получению выводов со 100 у способностью к пайке. Формула изобретения Примеры выполнения флюса представлены в таблице.Смеси получают...

Номер патента: 1359715

Опубликовано: 15.12.1987

Авторы: Канчуковский, Комарова, Мирошниченко, Мороз, Садова

МПК: G01N 3/42

Метки: качества, резисторов

...В.ШиманскаяРедактор М.Васильева Техред М, Ходанич Корректор Л.Патай Тираж 776 ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д, 4/5Заказ 6149/46 Подписное Производственно-полиграфическое предприятие, г.Ужгород, ул.Проектная, 4 1 135Изобретение относится к микроэлектронике, в частности к технологическому процессуизготовления гиб" оридных толстопленочных микросхем.Цель изобретения - повышение надежности за счет учета способа изготовления резистора.П р и м е р. Для контроля качества толстопленочных резисторов с сопротивлением 100 кОм устанавливают образец в держатели на столике прибора типа ПМТтак, чтобы его поверхность была параллельна плоскости столика, Установленный образец...

Номер патента: 1349939

Опубликовано: 07.11.1987

Авторы: Канчуковский, Мороз, Проданюк

МПК: B23K 35/363

Метки: флюс

...глицерина ниже 60 мас.(например,55 мас, ) не происходит активногопревращения компонентов при их Взаимодействии за счет снижения вязкостисостава. Не происходит повышения термической устойчивости и антиокислительной активности при снижении содержания галоидгидрина (выбранногоиз групп хлоргидрина глицерина или3 13499 фторгилрина глицерина) меньше 5 мас.%, а также при снижении содержания ацетата свинца от значений 2,5 мас,7,.При увеличении значений галоидгидрина сверх указанных, например15.мас.7., резко уменьшаются коррозионная стойкость и антиокислительная активность, При увеличении значений глицерина выше 80 мас,%, например 85 мас.7, как и ацетата свинцавыше 5 мас.%, например 6 мас,7 приработе с расплавленным припоем состав...

Номер патента: 1323308

Опубликовано: 15.07.1987

Авторы: Бардина, Богуш, Желали, Канчуковский, Мороз, Савченко

МПК: B23K 35/363

Метки: лужения, пайки, поверхностей, серебряных, флюс

...границераздела серебро - припой.35 Флюс может использоваться при изготовлении изделий радиоэлектроннойпромьппленности с применением деталей,имеющих покрытие из серебра с частичной или полной потерей паяемости. Изобретение относится к пайке, в частности к составам для обработки поверхностей деталей перед пайкой.Целью изобретения является повыше ние активности, снижение интервала температурной активности флюса и повышение коррозионной стойкости восстановленной для пайки серебряной поверхности.Флюс содержит компоненты в следую щем соотношении, мас. :Тиосемикарбазидагидрохлорид 6-10Ацетон 60-75Вода ОстальнойВосстановление серебра при комнат ной температуре и повьппение коррозионной стойкости восстановленной для пайки серебряной поверхности...

Номер патента: 1299751

Опубликовано: 30.03.1987

Авторы: Бардина, Канчуковский, Мороз

МПК: B23K 35/24, B23K 35/363

Метки: лужения, меди, пайки, флюс

...В водных растворах последние ведут себя как сильные восстаносители, окисляясь до И и ИО иполностью восстанавливая продуктыхимического взаимодействия с окружающей средой.Образующийся в результате реакции СН-ОН усиливает способность данного флюса растворять такжеразличные соединения органического ЯО + 2 Н Я = 2 Н 0 + ЗЯ При повышении температуры окисление и образование хлоридов и сульфидов заметно ускоряются, Жировые загрязнения органического происхождения карбонизуются с последующим обраэова" нием карбидов и карбонатов.Используя данный состав, происходит подготовка поверхности окисленной меди к восстановлению за счет восстановительных свойств гидроксиламина, нарушающего связь меди с кислородом, в результате образования...

Номер патента: 1263478

Опубликовано: 15.10.1986

Авторы: Канчуковский, Лыков, Мороз, Николаева, Чуев

МПК: B23K 35/24

Метки: пайку, паяемой, поверхности, подготовки, состав

...или друтетрафторборат аммония или соляно-гих адсорбционных процессов. В прикислый гидроксиламин, зосстанавли- сутствии металлов этот процесс усивая и окисляя поверхность, способст- ливается, Например, с нитратами, вует образованию на поверхности слож- образующимися при коррозии ЗМ 0СНО, 0 С.т- звКМЗНОСНОСН 0СНО-Й - ОСН С 2 О 0+ ЗННО - СН 0 НОСН в ОЙО снонСН ОНсн,он то же будет наблюдаться при образовании галоидгидринов любого (полногоили неполного замещения). С сильнымиапротонными соединениями, напримертетрафторборат аммония, в котороматом бора обладает ярко выраженнымиэлектрофильными свойствами, эфирыобразуют оксониевые соединения. Приэтом существенным является возможность образования оксониевого соединения с простым эфиром той же...

Номер патента: 1262309

Опубликовано: 07.10.1986

Авторы: Канчуковский, Пядышев, Фастыковский, Шенкевич

МПК: G01L 1/20

Метки: датчик, контактного, сопротивления

...до температуры плавленияфторопласта при давлении 4000 кгс/см . фю1 ил.1262309 Составитель В.РодинТехред Л,Олейник Корректор В,Вутяга Редактор А,Пишкина Заказ 5412/37 Тираж 778 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета СССРпо делам изобретений и открытий113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 475 Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 Изобретение относится к приборостроению и может найти применениев технике измерений малых усилий.Цель изобретения - увеличениекоэффициента тензочувствительностии повышение точности измерений путемуменьшения гистерезиса.На чертеже изображен датчик контактного сопротивленияПредлагаемый датчик состоит иэтензочувствительного элемента 1 идвух токосъемных электродов...

Номер патента: 1207691

Опубликовано: 30.01.1986

Авторы: Канчуковский, Комарова, Мороз, Свирновский, Фишер

МПК: B23K 35/363

Метки: лужения, пайки, флюс

...В этот момент возможен также процесс разложения галоидгидрина с отчуждением подвижного галоида и образования спиртовсоответствующей соли галоида симеющимся на поверхности лудящейсяили паяющейся детали металла или,в более простом случае, газообразного галоидводорода (например, НС 1) В момент образования галоидводорода(НГ) он является активным флюсующимвеществом и обеспечивает высокуюфлюсующую активность и нейтральностьсреды после пайки в связи с возможностью как улетучивания галоидныхсоединений, так и связыванием их вкомплексы с образованием как эфиратов, так и металлоорганических соединений.оВ процессе пайки (190-290 С) флюс не образует нагаров и трудно удаляемых загрязнений. Остатки флюса после пайки можно удалять горячей водой...

Номер патента: 1206608

Опубликовано: 23.01.1986

Авторы: Канчуковский, Медведева, Фастыковский, Шенкевич

МПК: G01B 7/34

Метки: поверхности, шероховатости

...является повышение разрешающей способности и точности измерения и обеспечение контроля также и диэлектрических поверхчостей,На чертеже схематически представлено устройство для контроля шероховатости поверхности,Устройство содержит чувствительный элемент, выполненный в виде мезаструктуры 1 с барьером Шоттки, имеющей металлические электроды выпрямляющего 2 и омического 3 контактов. К этим контактам подключены блок 4 питания - источник напряжения смещения диодной мезаструктуры и регистрирующий прибор - измеритель 5 тока. Для контроля шероховатости мезаструктура должна быть прижата выпрямляющим контактом 2 к контролируемой поверхности 6. Для обеспечения более плотного их прилегания производят небольшое поджатие мезаструктуры к этой...

Номер патента: 1156882

Опубликовано: 23.05.1985

Авторы: Канчуковский, Комарова, Мороз, Фишер

МПК: B23K 35/24

Метки: пайке, паяемой, поверхности, подготовки, состав

...оксидные и в особенностисульфидные, сульфатные, нитридные и карбидные включения, что позволяет расплаву .равномерно, с хорошей адгезией распределяться на металлической поверхности. Это позволяет повысить качество паяных соединений, а, кроме того, и надежность соединений, т,е. увеличить срок службы соединений без потерь физико-механических свойств.Указанный эффект получен при совместном использовании этих компонентов за счет протекания химической реакции с образованием гидроксамовой кислоты, а именно ацетгидроксамовой кислотыСНЭСООС 2 Н 5+ЯН 20 Н=СН СОМНОН С Н ОН.2 Э 2Гидроксамовая кислота растворима в воде и может реагировать как в формеР , ОНСН СМНОН, так и в СН С . НалиМОНчие таутомерных форм расширяет и усиливает...

Номер патента: 1108139

Опубликовано: 15.08.1984

Авторы: Канчуковский, Мороз

МПК: C25D 3/54

Метки: никель-вольфрам, осаждения, покрытий, сплава, электролит

...калий 40-50Гидроокись аммония, мл/л 40-60 40Процесс электроосаждения Проводят при 60-70"С и плотности тока 2-4 А/дмф. Анодом служит вольфрамово-никелевая пластина.Скорость осаждения покрытий состав ляет 12,4-13 мкм/ч. Рассеивающая способность электролита, вычисленная по Формуле Филда с использованием ячейки Филда, составляет 16,3. Электролит стабилен в работе. 50Добавление йодистого калия способствует повышению потенциала восстановления вояьфрамамат-ионов в электролите, содержащем гидроокись аммония. В проСульфат никеля, гГидроокись аммония, млйодистый калий, г цессе электроосаждения на поверхности электрода требуется пленка из продуктов электролиза, которая защищает поверхность электрода от окисления и тормозит реакции разряда, ведущие...

Номер патента: 1108138

Опубликовано: 15.08.1984

Авторы: Канчуковский, Мороз

МПК: C25D 3/54

Метки: вольфрамирования, электролит

...в электролите катиона аммония способствует активированию поверхности. Введение катионов калия и натрия повышает электропроводность раствора,Приведенный состав электролита является оптимальным. При уменьшении концентрации компонентов электровыделения вольфрама не происходит, а идет выделение оксидов вольфрама.При увеличении концентрации компонентов происходит выделение вольфрама совместно с оксидами и нарушение компактности покрытия.Электролит готовят следующим образом.Необходимое количетсво йодистого калия растворяют в 200 мл дистиллированной воды. Затем в данном растворе производят анодную обработку вольфрамового электрода при плотности тока 25 Ь/дм в течение 2-4 мин.Далее в полученный раствор постепенно добавляют,...

Номер патента: 1070219

Опубликовано: 30.01.1984

Авторы: Бардина, Канчуковский, Мороз, Садова

МПК: C25D 15/00

Метки: композиционных, никеля, основе, покрытий, электролит

...подготовка поверхности кремния, в результате которойравномерно по поверхности распределены галлоиды кремния. В этой связи особую роль играет также углеродный компонент кремния. При закреплении галлоидов на кремнии, располагаясь по поверхности, он такжегидрофобизирует поверхность, образуя стерические препятствия дляпроникновения гидрооксид-ионов,Указанное происходит в оптимальном режиме при наличии в составеэлектролита фтористого аммония.При отсутствии ИНАР возможностьобволакивающего действия 1,1,1-трифтор-хлор-бромэтана затруднена. Это связано с тем, что, кроме буферного действия, совместнос НзВОз в электролите за счетгидролиза НН Г происходит образование слабой щелочи - ИНОП. При этом80, имеющийся на поверхностиилн вновь...

Номер патента: 1008824

Опубликовано: 30.03.1983

Авторы: Канчуковский, Преснов, Сулин, Шенкевич

МПК: H01L 29/84

Метки: механических, напряжений, сигнал, электрический

...расположен по лупроводниковый кристалл 2 с невыпрямляющим (омическим) контактом 3 на пьедестале. На противоположной грани кристалла расположен слой туннельно- прозрачного диэлектрика 4. Со стороны 5 силовведения на туннельно-прозрачномдиэлектрике 4 сформирован слой металла 5. Полупроводниковый кристалл 2,туннельно-прозрачный диэлектрик 4 иметалл 5 в совокупности представляетсобой выпрямляющий контакт. На металле 5 расположен индентор 6 для создания механических давлений. Тензочувствительный преобразователь контактами5 и 3 подключен во внешную цепь, состоящую из источника 7 питания и исполнительного устройства 8. Механическое давление через индентор 6 воздействует на выпрямляющий контакт, в результате чего сопротивление выпрямляющего...

Номер патента: 764977

Опубликовано: 23.09.1980

Авторы: Канчуковский, Мороз, Преснов, Шенкевич

МПК: B25J 15/00

Метки: барьерных, емкостей, манипулятор, поверхностно, структур

...фиг. 1 изображен общий вид предлагаемого манипулятора; на фиг. 2 - то же, вид сверху.Предлагаемый манипулятор содержитподвижный пьедестал 1, на котором расположена полупроводниковая пластина 2 с поверхностно-барьерными структурами 3, рас О положенными на полупроводниковой пластине; контактный зонд 4, осушествляюший контакт с измеряемой поверхностно-барьерной структурой; заземленный электрод 5, размером не менее размера пластины, имею.,сщий две взаимно перпендикулярные щелидля контактного зонда, жестко связанныйс подвижным пьедесталом, электрическиестойки 6 для крепления заземленного электрода к подвижному пьедесталу; две взаимно перпендикулярные щели 7 в заземленномэлектроде для контактного зонда.Работает устройство...

Номер патента: 544019

Опубликовано: 25.01.1977

Авторы: Канчуковский, Мороз, Преснов, Шенкевич

МПК: H01L 21/306

Метки: полупроводниковых, травитель

...го на поверхностьбО наносят слой позитивного фоторезистора на основе нафтохинондиазида методом центрофугирования. Далее образцы подвергают сушке при комнатной температуре в течение 20 мин в сушильномошкафу при 85 С в течение 15 мин. Р эпэнироввние осуществляют при эсвешс .ности 6000 лк в течение 1,5 мин. Проявление проводят в 0,125% ном растворе МстОНв течение 30-40 сек. Процесс задубливания фоторезиста осуществляют при 70 С в течение 30 мин. с постепенным повышением температуры доо170 С и выдерживают при этой температуре в течение 35 мин, Вскрытие окон в 50 проводят в трввителе следующего состава;544019 Составитель Е. БычковаРедактор Т, Иванова ТехРед Н. АндРейчУк КоРРектоР Ж. КеслеР Заказ 836/67 Тираж 976 Подписное БНИИПИ...