Способ получения полупроводниковых структур

ОП ИСАНИЕИЗОБРЕТЕН ИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз СоветскихСоциалистическихРеспублик)1865785/26-25 22) Заявлено 02.01,(51 01 1. 21/2 нием заявкирис Государственный комитеСовета Министров СССРпо делам изобретенийи открытий(43) Оп 21.382 ,8) 5) Дата опубликования описания 27.04 В. М. Андреев, Б, В. Егоров, А. Н. Ермакова, В. Р. Ларионо и Г, Н, Шепованова2) Авторы изобретения Иофф аявите ескии инстиут им,дена Ленина физико-т 54) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТ ннои техпопу ия посают р методо ава. ания, стро т темлируют оставтствии веаего рабочего опоям стравливании истаппизарастворо, обесп Изобретение относится к эпект нике и может быть испопьзовано чении попупроводниковых структу кристаппизации из раствора-распп Известно,что ряд параметров полупроводни. ковых приборов, например светоизпучазощих, и технологичность их изготовления в значительной степени определяются качеством поверхности используемой эпитаксиапьной 10 структуры. Получение хорошей поверхности методом кристаллизации из раствора-расплава - сложная задача, Известны способы получения структур кристаллизацией из раствора-расплава, причем раствор, из которого производится 15 кристаппизация последнего слоя, удаляется механически, При неполном удалении с поверхности структуры поспеднего растворарасппава он кристаллизуется в процессе охпаждения установки до комнатной темпера туры. В ржупьтате получают неровную поверхность, с наппывами, со слоями твердых растворов переменного состава которую необходимо подвергать механической и химической обработке перед дальнейшими тех нопогическими операциями изготовленияборов, Дпя обеспечения попного удаленпеднего раствора-расплава разрабатывспециальные устройства рпя выращивго (с точностью до + 1 С) соблюдаюпературные режимы, тщательно контросостав защитной среды, подбирают срастворов-расппавов в точном соотвес диаграммой состояния и др,Цепь изобретения - упучшение качесповерхности попупроводниковых структуужесточения требований к усповиям прдения процесса эпитаксиапьного выращив ния,Сущность изобретения заключается в в ращивании поверх последнеи последующем химическодополнительного слоя материала, скорость травления которого бопее,чем на порядок превосходит скорость трввпения материапа последнего рабочего слоя.Дпя выращивания в конце крции последнего рабочего сЛоя врасплав, из которого производится ее о кристаллизация, вводится веществ е463394 Составитель Н, ОстровскаяРедактор Т, Орловская Техред О, Луговая Корректор В. Куприянов Заказ 893/79 Тираж 976 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская набд. 4 Юфилиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4 чивакцее кристаллизацию дополнительного слоя, После окончания эпитаксии этот слой стравливается в специально подобранном химическом травитепе, скорость растворения рабочего слоя в котором значительно меньше,Предложенный способ позволяет получать поверхность эпитаксиальных структур пэ 14 классу и использовать полученные структуры для фотолитографических, диффузион ных и других технологических процессов без дополнительной механической обработки поверхности структуры.При получении структур в системе алюминий-гаплий-мышьяк после кристаллизации последнего слоя с содержанием арсенида алюминия менее 60% в раствор-расплав из которого производится вырашивание по. следнего слоя, вводится дополнительное ко личество алюминия которое обеспечивает кристаллизацию твердого раствора алюминия-галлия-мышьяка с содержанием арсенида алюминия более 80-90%. Вырашивание дополнительного слоя производится при выключенной печи, 25После окончания процесса эпитаксии этот дополнительный слой стравливается, например, в соляной кислоте, скорэсть растворения в которой слоев твердых растворов с содержанием арсенида алюминия более 80- зО -90% на несколько порядков бэльше, чем скорость растворения слоев твердого раствора с содержанием 0-604 арсенида алюминия,Подученная после страьпивания поверхность имеет хорошее качество и не нуждается в дополнительной механической обработке. Формула изобретения 1, Способ получения попупроводниковых структур методом последовательной кристаллизации из растворов-расплавов, о т и и - ч а ю ш и й с я тем, что, с целью получения гладкой рабочей поверхности, поверх последнего рабочего слоя структуры вырашивают и после окончания процесса эпитаксии химически стравливают дэпэлнитепьный слой материала, скорость травления которого более чем на порядок превосходит скорость травления материала пэслед - негэ рабочего слоя.2. Способ пэ п. 1, э т л и ч а ю ш и й с я тем, что при попучении структур в системе алюминий-гаплий-мышьяк с содержанием арсенида алюминия в последнем рабочем слое не более 600 о поверх него выращивают слой твердого раствора алюминий-галлий-мышьяк с содержанисм арсенида алюминия 80-90%,