Шенкевич

Номер патента: 1797684

Опубликовано: 23.02.1993

Авторы: Глауберман, Курмашев, Шенкевич

МПК: G01B 7/00

Метки: линейных, перемещений

...100 м при этом емкость кабеля10 изменялась от 50 до 5000 пФ), В качествегенератора использовался прибор Г 3-118,настроенный на частоту 18 кГц, подключенный к контуру через резистор МЛТ,25, равный 1 кОм. Амплитуда сигнала на выходегенератора составляла 10 В,Коэффициент преобразования опредеЛЧляпся как А = -- (напряжение на контуреа. Ч измерялось с помощью цифрового вольт 20 метра В 7-16 А) и имел значение 25 мВ/см,При изменении длины кабеля, с помощьюкоторого подключалась катушка индуктивности, от 10 до 110 м коэффициент преобразования изменялся не более чем на + 2,25 то есть йа величину + 0,5 мВ. Он такжеоставался постоянным (с точностью+ 3;)при перемещении сердечника вдоль оси катушки индуктивности на 155 мм.Формула...

Номер патента: 1657945

Опубликовано: 23.06.1991

Авторы: Ильинский, Канчуковский, Могильницкий, Моржаков, Першин, Шенкевич

МПК: G01B 7/18

Метки: качества, металлических, поверхностях, приклейки, тензорезисторов

...время приклейки составляет 6 кгс/см.После того, как тензорезистор приклеен, производят изгиб балки посредством смещения ее свободного конца на 10 мм и с помощью приклееных тензорезисторов производят измерение ее относительной деформации. В качестве измерительного прибора используют тензоусилитель "Топаз",Полученные результаты показали, что отклонение измеренной относительной деформации от теоретической, вычисленной по формуле ЙАЕ=ггде й - толщина балки;д - величина прогиба конца балки;1 - длина балки,составляет не более 5 , что не намного превышает погрешность измерений на приборе "Топаз" (2%), Емкость между решетками приклеенных тензорезисторов и основанием(балкой), измеренная с помощью прибора ВМ 560 (Тесла), позволяющего измерять...

Номер патента: 1569014

Опубликовано: 07.06.1990

Авторы: Преснов, Пядышев, Шенкевич

МПК: A61H 39/02

Метки: акупунктуры, локализации, преснова, точек

...амплитуду колебаний,жимается к паверхчости кажи навай поверхности голени, а ззтемггеремепгают в зоне предпалагаемолокализации точки и по максималвеличине колебаний , регистрирус помопгью датчика, включающегоселективный усилитель, настроенна резонансную частоту 1650 Ги,деляют точную локализацию тачкипунктуры, При локализации датчина точке ХТчастота механич1569014 де собственных шумов датчика (примерно 10-20 мкВ). При пояске точек акупунктуры предлагаемым споссбом сигнал с датчика в точке акупунктуры увеличивался в ;О раз пс прав; нию с прилегающей областью кожи,ЭААек-, явность .пособа определяется независимост .ю ло.з,зизации тогек акупунктуры о, состоя,ия кожи,Формула и зобретени частот с х-.;р:"ктери тической частотой1650...

Номер патента: 1262309

Опубликовано: 07.10.1986

Авторы: Канчуковский, Пядышев, Фастыковский, Шенкевич

МПК: G01L 1/20

Метки: датчик, контактного, сопротивления

...до температуры плавленияфторопласта при давлении 4000 кгс/см . фю1 ил.1262309 Составитель В.РодинТехред Л,Олейник Корректор В,Вутяга Редактор А,Пишкина Заказ 5412/37 Тираж 778 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета СССРпо делам изобретений и открытий113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 475 Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 Изобретение относится к приборостроению и может найти применениев технике измерений малых усилий.Цель изобретения - увеличениекоэффициента тензочувствительностии повышение точности измерений путемуменьшения гистерезиса.На чертеже изображен датчик контактного сопротивленияПредлагаемый датчик состоит иэтензочувствительного элемента 1 идвух токосъемных электродов...

Номер патента: 1206608

Опубликовано: 23.01.1986

Авторы: Канчуковский, Медведева, Фастыковский, Шенкевич

МПК: G01B 7/34

Метки: поверхности, шероховатости

...является повышение разрешающей способности и точности измерения и обеспечение контроля также и диэлектрических поверхчостей,На чертеже схематически представлено устройство для контроля шероховатости поверхности,Устройство содержит чувствительный элемент, выполненный в виде мезаструктуры 1 с барьером Шоттки, имеющей металлические электроды выпрямляющего 2 и омического 3 контактов. К этим контактам подключены блок 4 питания - источник напряжения смещения диодной мезаструктуры и регистрирующий прибор - измеритель 5 тока. Для контроля шероховатости мезаструктура должна быть прижата выпрямляющим контактом 2 к контролируемой поверхности 6. Для обеспечения более плотного их прилегания производят небольшое поджатие мезаструктуры к этой...

Номер патента: 1008824

Опубликовано: 30.03.1983

Авторы: Канчуковский, Преснов, Сулин, Шенкевич

МПК: H01L 29/84

Метки: механических, напряжений, сигнал, электрический

...расположен по лупроводниковый кристалл 2 с невыпрямляющим (омическим) контактом 3 на пьедестале. На противоположной грани кристалла расположен слой туннельно- прозрачного диэлектрика 4. Со стороны 5 силовведения на туннельно-прозрачномдиэлектрике 4 сформирован слой металла 5. Полупроводниковый кристалл 2,туннельно-прозрачный диэлектрик 4 иметалл 5 в совокупности представляетсобой выпрямляющий контакт. На металле 5 расположен индентор 6 для создания механических давлений. Тензочувствительный преобразователь контактами5 и 3 подключен во внешную цепь, состоящую из источника 7 питания и исполнительного устройства 8. Механическое давление через индентор 6 воздействует на выпрямляющий контакт, в результате чего сопротивление выпрямляющего...

Номер патента: 764977

Опубликовано: 23.09.1980

Авторы: Канчуковский, Мороз, Преснов, Шенкевич

МПК: B25J 15/00

Метки: барьерных, емкостей, манипулятор, поверхностно, структур

...фиг. 1 изображен общий вид предлагаемого манипулятора; на фиг. 2 - то же, вид сверху.Предлагаемый манипулятор содержитподвижный пьедестал 1, на котором расположена полупроводниковая пластина 2 с поверхностно-барьерными структурами 3, рас О положенными на полупроводниковой пластине; контактный зонд 4, осушествляюший контакт с измеряемой поверхностно-барьерной структурой; заземленный электрод 5, размером не менее размера пластины, имею.,сщий две взаимно перпендикулярные щелидля контактного зонда, жестко связанныйс подвижным пьедесталом, электрическиестойки 6 для крепления заземленного электрода к подвижному пьедесталу; две взаимно перпендикулярные щели 7 в заземленномэлектроде для контактного зонда.Работает устройство...

Номер патента: 544019

Опубликовано: 25.01.1977

Авторы: Канчуковский, Мороз, Преснов, Шенкевич

МПК: H01L 21/306

Метки: полупроводниковых, травитель

...го на поверхностьбО наносят слой позитивного фоторезистора на основе нафтохинондиазида методом центрофугирования. Далее образцы подвергают сушке при комнатной температуре в течение 20 мин в сушильномошкафу при 85 С в течение 15 мин. Р эпэнироввние осуществляют при эсвешс .ности 6000 лк в течение 1,5 мин. Проявление проводят в 0,125% ном растворе МстОНв течение 30-40 сек. Процесс задубливания фоторезиста осуществляют при 70 С в течение 30 мин. с постепенным повышением температуры доо170 С и выдерживают при этой температуре в течение 35 мин, Вскрытие окон в 50 проводят в трввителе следующего состава;544019 Составитель Е. БычковаРедактор Т, Иванова ТехРед Н. АндРейчУк КоРРектоР Ж. КеслеР Заказ 836/67 Тираж 976 Подписное БНИИПИ...