Травитель для полупроводниковых материалов
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 544019
Авторы: Канчуковский, Мороз, Преснов, Шенкевич
Текст
юз Советс 1)544019 Социалистическ Республик ИЗОБРЕТЕН К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВ(51) М КлН 011. 21/3 явки-с присоедин ем Государстеенный комитеСовета Министрое СССРпо делам изобретенийн открытийВния еснов, О. П, Квнчуковский, Л. В. 71 ороз Шенкеви десский эрдена Трудэвэгэ Краснэгэ Знамени гэсударственный университет им. И. И. 1 ечникэва Заявите.Нр.ню, ярО, = 7) Изобретение относпроводниковых матери к обработке полупреимущественно с оотношени : (О, 1-2,5) с.э НГопри 6 С в течение 35 миокон защитный слой фоторВ концентироввнноййе 504 пр После вскрытия стора удаляют в 50 С, После удаостигается зяты в сл ем, что дующем 25дпя травления кремния.Известен травитель дпя получения углубленийнавскрытой поверхности кремния на глубину 90 С 1000 А, содержащий НИОе, НР;СйеСООН=6:1;2 ЗД.Однако этот трввитель содержит фтористо водородную кислоту, поэтому нельзя получить углубления более 4000 А, т.е. одновременно полностью стравливается защитный слой ЬОНаиболее близким по техническому решению к предлагаемому является травитель дпяр полупроводниковых материалов, например кремния, содержащий фтористоводородную ки лоту, азотную киспоту и азэтнэкислэе сереб 12 .Однако этот травитель не позволяет поп чить полированную поверхность, и кроме т го, растравливание в стороны (увеличение диаметра) составляет порядка 10%.Бель изобретения - уменьшение растравливания углублений.Поставленная цель д т компоненты трввителя в е ПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ П р и м е р . Вскрытие окон диаметром 60 мкм в защитном слое ЬОа осуществляют методом контактной фотолитографии. Для:. тэ го на поверхностьбО наносят слой позитивного фоторезистора на основе нафтохинондиазида методом центрофугирования. Далее образцы подвергают сушке при комнатной температуре в течение 20 мин в сушильномошкафу при 85 С в течение 15 мин. Р эпэнироввние осуществляют при эсвешс .ности 6000 лк в течение 1,5 мин. Проявление проводят в 0,125% ном растворе МстОНв течение 30-40 сек. Процесс задубливания фоторезиста осуществляют при 70 С в течение 30 мин. с постепенным повышением температуры доо170 С и выдерживают при этой температуре в течение 35 мин, Вскрытие окон в 50 проводят в трввителе следующего состава;544019 Составитель Е. БычковаРедактор Т, Иванова ТехРед Н. АндРейчУк КоРРектоР Ж. КеслеР Заказ 836/67 Тираж 976 Подписное БНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5филиал ППП "Патентф, г. Ужгород, ул, Проектная, 4 ления слоя фэтэрезиста тщательно прэмывают, сушат и проводят контроль геометрических размеров отверстий, полученных в окисном слое с помощью микроскопа ММУ-З.Диаметр отверстий, полученных вЬ 060 мкм,Для получения углублений на поверхностикремния образцы подвергают травлению втравителе следующего состава;НУ: Н ) Оз . АОз = 1:- 7; О, 1 - 2, 5(все компоненты марки ОСЧ или ХЧ), ГлуПолучение выпряьляющего контакта в уг- золублениях рекомендуется наносить сразу после вытравливания. Ф ормула изобретения 35 Травитель для полупроводниковых материалов, например, кремния, содержащий фтористоводородную кислоту, азотную кислоту и азотнокислое серебро, о т л и ч а ю ш и й -40 4бину вытравливания углублений контролируютс помошью микроскопа МИИ, Также с помощью этого микроскопа проводят контропьтолщины защитной пленки 510, оставшейсяпосле травления.Как видно из представленной таблицы,наибольшая глубина углублений 10 мкм, приэтом защитный слой 5 Опрактически, не стравливается, что получается при использованиитравителя следующего состава:НРНМО:ЯХО =1;6;0,3,с я тем, что, с целью уменьшения растравливания, кэмпэненты травителя взяты в следующих сээтнэшениях, вес.ч.НГ: НИО: ЛОМО=1:(5-7): (0,1 - 2,5)Источники информации, принятые во внимание при экспертизе:1, Патент Японии М 48-2511, 99 (5)Л, опубл. 1973 г.2. Фотолитография в производстве полупроводниковых приборов Энергия М. 1968 г. стр. 86 (прототип).
СмотретьЗаявка
2158793, 22.07.1975
ОДЕССКИЙ ОРДЕНА ТРУДОВОГО КРАСНОГО ЗНАМЕНИ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ИМ. И. И. МЕЧНИКОВА
ПРЕСНОВ ВИКТОР АЛЕКСЕЕВИЧ, КАНЧУКОВСКИЙ ОЛЕГ ПЕТРОВИЧ, МОРОЗ ЛИДИЯ ВАСИЛЬЕВНА, ШЕНКЕВИЧ АЛЕКСАНДР ЛЕОНИДОВИЧ
МПК / Метки
МПК: H01L 21/306
Метки: полупроводниковых, травитель
Опубликовано: 25.01.1977
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-544019-travitel-dlya-poluprovodnikovykh-materialov.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Травитель для полупроводниковых материалов</a>
Способ получения производных декагидроизохинолина или их солей
Номер патента: 622400
Опубликовано: 30.08.1978
МПК: A61K 31/472, C07D 217/04, C07D 217/16
Метки: декагидроизохинолина, производных, солей
...холодильникомч, добавляют 1100 мл воды в течение 30 мин и ки. пятят с обратным холодильником еще 3 ч, 5 затем подщелачивают 50/о-ным водным раст-, вором гидроокиси натрия, используя при этом внешнее охлаждение. 1.Метил-За-(м-метокс и фен ил,2,3,3 а,4,5,6- гепта гидрои идол, не растворимый в щелочном слое, отделяют и щелочной слой экстрагируют эфиром, Эфирный экстракт отделяют, промывают вофениЛ) -1,2,3,3 а,4,5,6а,8-и кдгилроизохино лин,. растворяют в 3,5 л эфира и эфирный слой промывают волой (ЗХ 2,1 л). Эфирный слой сушат, эфир упаривают в вакууме до.суха и получают 162,3 ч декагидроизохинолина.Полученную соль пикрата переволят обратно в свободное основание кипячением с обратным холодильником соли с насыщенюй гидроокисью лития...
Способ получения двуокиси кремния, содержащей фосфат xpoma
Номер патента: 835955
Опубликовано: 07.06.1981
Авторы: Гребенко, Мурашкевич, Островский, Печковский
МПК: C01B 33/18
Метки: xpoma, двуокиси, кремния, содержащей, фосфат
...д Чыгдолп гп Пплостнда 4 Редактор Л. Курасова Заказ 2811/3 3перемешивании прибавляют 10 мл 1 М раствора фосфорной кислоты, затем 10 мл 1 М раствора нитрата хрома, что соответствует соотношению .исходных компонентов (ХН 4)ЯГ 6.НзРО:Сг(ИОз) з = 0,82:0,05: :0,13. Дальнейшие операции аналогичны примеру 1. Химический состав полученного продукта, масс. %: %0 66,4; НО 5,6; СгРОь 25,2, Удельная поверхность 642 м/г,Пример 3. Условия опыта аналогичны примеру 1, количество же исходных компонентов: (МН 4) ф 1 Ра - 500 мл 3%-ного раствора, 2 мл 1 М раствора НзРО 4 и 2 мл 1 М раствора Сг(МОз) 3, что соответствует соотношению (ХН 4) й,ЯГв.НзРО 4.Сг(МОз) з= = 0,96:0,013:0,031. Химический состав полученного продукта, масс. %. ЯО 91,30; Н О 2,65;...
Способ извлечения кобальта из водных растворов
Номер патента: 954471
Опубликовано: 30.08.1982
Авторы: Докучаев, Зинде, Копанев, Кузьмин, Куленов, Пашков, Протасова, Сергиевский, Степанов, Федотов, Холкин, Холькина, Шлемов, Ягодин
МПК: C22B 23/04
Метки: водных, извлечения, кобальта, растворов
...разделения кобальта и фо-.новых элементов органическую фазу -экстракт промывают раствором 1020 г/л серной кислоты, а затем проводят реэкстракцию кобальта 3-10-ным раствором щелочи. Из полученного реэкстракта кобальт выделяют известными способами.Ниже приведены примеры по извлечению кобальта из различных растворов сложного соленого состава.П р и м е р 1. К 20 мл сульфатного раствора с рН = 1 , содержащего, г/л: цинк 119, марганец 2,4, никель 0,058 и кобальт 0,073 добавляют 0,095 г нитрозо-Р-соли и выдерживают раствор при 80 С 10 мин. После этого экстрагируют кобальт 20 мл 5-ного раствора сульфата триоктиламина в толуоле в течение 2 мин. Экстракт отделяют от водной Фазы и промывают 5 мл 10-ного раствора серной кислоты для разрушения...
Способ селективного травления кремний-металлосодержащего слоя в многослойных структурах
Номер патента: 1819356
Опубликовано: 30.05.1993
Авторы: Иванковский, Куницин, Меерталь, Остапчук, Стасюк, Фоминых
МПК: H01L 21/302
Метки: кремний-металлосодержащего, многослойных, селективного, слоя, структурах, травления
...подложке, например пластине кремния, создают диэлектрические изолирующие слои, например термически выращенную двуокись кремния (3102, нитрида кремния (3 за), фосфорно-силикатного стекла (ФСС) или их комбинации, на которых формируют кремний-металлсодержащий слой на основе кобальта (Со) и (или) титана (Т) путем, например, совместимого катодного распыления мишени из металла и мишени из кремния с последующим отжигом наносимого слоя, либо в виде металл- кремниевого (кобальт-кремниевого или титан-кремниевого) сплава в виде резистивных слоев типа РС 3000 К(Со - 30, Я 1-707 ь), РС 2310 К (Соь, Т, 3-67) и других, например путем одновременно ионноплазменного распыления их из мишени, с содержанием металла в слое не более 40, после...
Способ измерения глубины нарушенного слоя на полупроводниковых монокристаллах
Номер патента: 1222147
Опубликовано: 15.08.1994
Авторы: Енишерлова-Вельяшева, Русак
МПК: H01L 21/66
Метки: глубины, монокристаллах, нарушенного, полупроводниковых, слоя
1. СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ГЛУБИНЫ НАРУШЕННОГО СЛОЯ НА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МОНОКРИСТАЛЛАХ преимущественно кремния, германия и арсенида галлия после грубой механической обработки, включающий избирательное травление, изготовление шлифов и оценку глубины нарушений, отличающийся тем, что, с целью повышения точности способа, избирательное травление проводят в травителе, содержащем 0,5 - молярный водный раствор хромового ангидрида и плавиковую кислоту в весовом соотношении от 3 : 1 до 1 : 3, в течение 60 - 300 с, а оценку глубины H нарушенного слоя производят по формулеH= Z2-Z ,где Z1 и...
Предыдущий патент: Электростатический энергоанализатор
Следующий патент: Магниторезистор
Случайный патент: Кривошипно-ползунный механизм с звеном, движущимся прямолинейно-поступательно