Способ управления электрическими свойствами кристаллов класса авс

ОП ИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕН ИЯ Союз Советскии Социалистических Реслублин(11) 490888 ВТОР СКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВ ву Солнительное к авт. с 25 22) Заявлено 10,04.74.(21) 2015140/2 51) М. Кл,-" Н 01 Ь 7/00 рисоединением заявкиГосударственный иомитеСовета Министров СССРпо делам изобретенийи открытий,15) Дата опубликования спи ния 2(71) Заявитель физико-технический институт пм. Ленин 54) СПОСОБ УПРАВЛЕНИЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКИМИ СВОЙСТВАМИКРИСТАЛЛОВ КЛАССА А Ь С Введение примесейвсеми указанными спасизменить тип проводимвить конверсию. такие соединения бами не позволяетсти, т. осущес т Изобретение относится к технике получения р-д -переходов в кристаллах сложных полупроводниковых соединений которые не изменяют типа проводимости при введении в них различных примесей, и может быть широко использовано в технологии получения полупроводниковых монокристаллов с заданными свойствами.Известно несколько спосооов осуществле -10 ния конверсии типа проводимости полупроводниковых монокристаллов, Наиболее широко гри этом используются методы, основанные на легировании полупроводниковых соединений различными химическими элемен -15 тами, не входящими в состав основного ве - щества (примесями), Введение примесей осуществляется различными методами: введением в расплав полупроводника, диффузией в твердую фазу из контактирующего слоя ли -20 бо из пара, ионным легированием и т, д. Целью изобретения является создание заданного типа проводимости в соединениях2классами В Ь, не конвертирующих при вве - дении в них примесей.Поставленная цель достигается путем отжига исходных монокристаллов соединее 4ний класса А Ь С в присутствии одного из легколетучих компонентов, входящих в состав указанных полупроводников. При этом для регулирования интенсивности протекания процесса последний ведут при таких температурах кристалла, когда равновесный сос - тав твердой фазы, который установливается в результате отжига, не выходит за пределы области гомогенности. Отжиг в парах легко- летучего компонента позволяет создать наде Ф 5кристаллами А Ь Гпрактически неограниченный избыток элементов Ц или Г группы.Согласно предлагаемому способу берути Фкристаллы соединений класса А В Ср помещают в вакуумированную кварцевую ампулу совместно с чистым компонентом, избыток которого необходимо растворить в твердой фазе. Ампулу затем помещают в двухтемпературную электропечь и устанавливают темЗаказ 806/111 Тираж 1002 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета .Министров СССР по делам изобретений и открытий 113035, .Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4 пературу кристалла, прн которой раствори -2 лмость взятого компонента в соециненииАВСдостаточна для наступления конверсии.Температуру источника установливают такой, чтобы обеспечить требу.емую величину д )ц . Время отжига определяется с учетом размеров образца и значения коэффициента химической диффузии для обеспеченияоднородной либо с заданным градиентом проводимости. После завершения процесса отжи-(Ога ампулу с кристаллом погружают в воц -ный раствор поваренной соли для быстро -го охлажения с целью "замораживания" высокотемпературного состояния.П р н м е р . Выращенньсе монокристаллы Йт 2 ЙАБ р-типа разрезают на пластиныи помешают в кварцевую ампулу. Туда жедобавляют металлический мышьяк в колчестве 0,4-0,5 г. Ампулу откачивают ( 10мм рт, ст,) и запаиваюг и затем помещают рОв цвухзонную печь с двумя изотермическими участками. Один из участков поддерживает температуру кристалла, а цругой - температуру источника, Для 1 лсклкчения конденсации летучего компонента температура 25кристалла всегда цолжна быть выше температуры источника,Температура крист слла, нри когорой растворимость АВ в твердой фазе Е иА достаточна для получения д -типа провоциллос- .10ти, подбирается экспериментально,Обнаружено, что конверсию уцается осу - шествить при отжиге кристаллов р -2 п 5 лЛ 5о 2 в области температур 850-900 С, Поэтому для получения И - типа провоцимости ука - занных кристаллов темпеопатуру кристалла установливают 850 - 900 С, а давление пара мышьяка 2,5-4 атм,Как показывают измерения электричес - ких св ойс тв отжигаемых кристаллов, цля осуществления объемной конверсии р-типа проводимости в 11 - типа (толщина пластин 1- 1,5 мм) процесс отжига проводят в течение "50 - 400 час, после чего производят закалку. Ф ормула изобретения 1. Способ управления электрическими свойствами кристаллов класса А В С путем2 4 бациффузии из газовой фазы, о т л и ч а ю щс и йс я тем, что, с целью осуществленияконверсии типа проводимости, кристаллы исходного ве - щества отжигают в парах одного из легколе 1 учих кодлпонентов, входящих в состав соединения А В с, .2 4 5Е, Способ по п. 1, о т л и ч а ю щ и йс я тем, что, с целью получения в кристаллах Еп блАьэлектронной проводимости, от - жиг производят в насыщенных парах мышьяка при 850 - 900 С.