Устройство для изготовления многослойных полупроводниковых структур методом жидкостной эпитаксии

Номер патента: 460826

Авторы: Андреев, Жиляев, Ларионов, Никитин

ZIP архив

Текст

ОП ИСАНИЕИЗОВРЕтИНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социалистических Республик(43) Опубликовано 05,Государственный комитет Совета Министров СССР во делам изобретений и открытий1,77,Бюллетень1 К 621,3888,8) 45) Дата опубликования описания 27.04,7 Ларионов и В, Г, Никит В, Жиляев, М. Андре 2) Авторы изобретени рдена Ленина физико-технический институт им. А, ф, Иоффе 1) Заявител НЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХТА КСИИ ТРОЙСТВО ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МНОГОСЛ СТРУКТУР МЕТОДОМ ЖИДКОСТНОЙ Э 4ертеже показано предлагаемое устойств еподвижно укподложек 3 В корпусе 1 нный держатель 2положены параллесвоими поверхносдавливается распл плен съем- Подложки рас ой, образуя которой проа в зазоре роводния в нено одна друг ями зазо ав. Из расплавллизация полупшень 4 находитс происходит крис кового слоя, По подвижной камер оедин еннои с подвим- лавов каналом 7 несколько объеже три объема) помещенной в теинеромый контеи расплаво ным Подв нер имеетв (на чертечой детали,авляюшие вплавов преду м.ов дл и выло специал отработ вуар 8 лнен из од.ьные напранных рас отрен резе о работает следующим образом. бъемов подвижного контейнера 6 строис ин и 0 с расплав обходи, которыижду подложка дат зазор м агается над распол При ржатеым каналосторону отон в исходи единитель ршня 4 в движенииля подложекянин плотно к которомуприлегает Известны устройства для изготовления многослойных полупроводниковых структур методом. жидкостной эпитаксии, включающие контейнер для нескольких расплавов и подложкодержатель, выполненные с возможностью перемещения подложки относительно контейнера с целью поочередного приведения подложки в контакт с расплавамНедостатком этих устройств является то, что при перемещении подложки может происходить либо перетаскивание одного рас плава в другой и их перемешивание, либо частичное сдергивание расплава и механическое повреждение вырашенного слоя стенками контейнера, что ухудшает условия смачивания для следующего расплава и приводит к возникновению дефектов в многослойных полупроводниковых структурах,С целью уменьшения дефектов изготовляемых структур предлагаемое устройство снабжено дополнительной соединенной с контейнером камерой с поршнем, в которую помещены держатели подложек, образующие ка нал, соединяющий камеру с резервуаром для отработанных расплавов. крывается соединительный каналЗаказ 893/79 Тираж 976 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5Филиал ППП фПатентф, г, Ужгород уп, Проектная, 4 и расплав перетекает под действием собственного веса в неподвижную камеру 5, Во время обратного движения поршня, при перекрытии канаца 7, расплав продавливается через зазор до тех пор, пока поршень не дойдет до держателя подпожек и не вытеснит весь расплав из неподвижной камеры 5,Для замены расплава в зазоре над каналом 7 устанавливается следующий объем контейнера, и операции с поршнем повторяются, Дпя попного вытеснения предыдушего расплава поспедуюшим объем зазора между подложками устанавливают не большим обьема неподвижной камеры. 15Таким образом, благодаря тому, что с помощью предлагаемого устройства замена расплава на подложке происходит путем. вытеснения предыдущего расплава последующим, уменьшается количество дефектов в эпитак сиапьных структурах, В частности, испопьзование предлагаемого устройства для изготовпения гетеролазерных структур позвопяет значительно улучшить воспроизводимость параметров инжекционных лазеров. Формупа изобретения Устройство для изготовления многослойных попупроводниковых структур методом жидкостной эпитаксии, включающее держатель подложки и контейнер для расплавов, о т л и ч а ю щ е е с я тем, что, с целью уменьшения дефектов изготовпяемых структур, устройство снабжено соединенной с контейнером камерой с поршнем, в которой размещены держатепи подложек, образующие канал, соединякший камеру с резервуаром. для отработанных расплавов.

Смотреть

Заявка

1836833, 16.10.1972

ОРДЕНА ЛЕНИНА ФИЗИКО-ТЕХНИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ ИМ. А. Ф. ИОФФЕ

АНДРЕЕВ В. М, ЖИЛЯЕВ Ю. В, ЛАРИОНОВ В. Р, НИКИТИН В. Г

МПК / Метки

МПК: H01L 21/36

Метки: жидкостной, методом, многослойных, полупроводниковых, структур, эпитаксии

Опубликовано: 05.01.1977

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-460826-ustrojjstvo-dlya-izgotovleniya-mnogoslojjnykh-poluprovodnikovykh-struktur-metodom-zhidkostnojj-ehpitaksii.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Устройство для изготовления многослойных полупроводниковых структур методом жидкостной эпитаксии</a>

Похожие патенты