Кремниевый диффузионный транзистор
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 546042
Автор: Добкин
Текст
Союз Советских Социалистических РеспубликОП ИСАНИЕИЗОБРЕТЕН ИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ/22 некием заявкис присое Государственный комите Совета Министров ССС па делам иэооретений и открытийДата опубликования описания 05. 04. 77) Заявитель 4) КРЕМНИЕВЫЙ ДИФФУЗИОННЫЙ ТРАНЗИСТ- =-й,ХОРл 0 где М Известные кремниевые диффузионные транзисторы выполнены с максимальной концентрацией примеси в прилегающей к базе области эмиттера и соответственно максимальным значением градиента концентрации в области перехода эмиттер-база, что, однако, не обеспечивает максимального значения коэффициента усиления по току.Предложенный транзистор позволяет получать высокие значения коэффициента усиления по току, обусловленные высоким значением коэффициента инъекции и кремниевых П -р-т 1 диффузионных транзисторах. Особенность описываемого транзистора состоит в обеспечении не максимального значения концентрации примеси в прилегающей к базе области эмиттера и, следовательно, максимального градиента концентрации примеси, а некоторого оптимального значения градиента, составляющего для случая кремния, легированного фосфором, 1,5-3,0 10 смСуществование оптимального распределения примеси в прилегающей к базе области эмиттера, обеспечивающего высокое значение коэффициента усиления, связано с сушествованием связи диффузионной длины неосновных носителей тока и концентрацией примеси и приводит к уменьшению времени жизни и коэффициента диффузии, определяющих значение диффузионной длины. В случае если примеси имеют градиент концентрации выше оптимального, малы геометрические размеры активной области эмиттера. Если 0 значение градиента концентрации примесиниже оптимального, мала концентрация примеси в активной области эмиттера,Для случая распределения примеси в прилегающей к базе области эмиттера по закок 2б ну Я" оптимальное значение градиентаконцентрации определяется по формуле4 й Мгрви ЬРР ЗР н"р ах- концентрация примесей в базе на оЭ границе с эмиттером; Ь тр - эффективная диффузионная длина в эмиттере, равная 0,6 мк; Х - глубина расположения перехода э эмиттер-база;5".6042 Составитель О, ФедюкинаРедактор М, Кречетова Техред О. Луговая Корректор В. Салка Заказ 239/2 Тираж 999 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/бФилиал ППП Патент", г, Ужгород, ул. Проектная, 4 М - характеристическая концентрациячримеси в эмиттерной области,равная 8 10" см";3 - концентрация дырок.В предлагаемом приборе по сравнениюс ранее существующими улучшены следующие характеристики: увеличено значение коэффициента усиления, уменьшено значениеемкости перехода эмиттер-база, увеличенозначение пробивного напряжения того жеперехода,Формула изобретения Кремниевый диффузионный транзистор,о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с це лью повышения коэффициента усиления, увеличения пробивного напряжения переходаэмиттер-база и уменьшения емкости тогоже перехода, эмиттер транзистора выполненс граничной концентрацией примеси в нем 10 на расстоянии от перехода эмиттер-база,равном диффузионной длине в эмиттере.
СмотретьЗаявка
1049454, 04.01.1966
ПРЕДПРИЯТИЕ ПЯ 281
ДОБКИН АРКАДИЙ САМУИЛОВИЧ
МПК / Метки
МПК: H01L 21/22
Метки: диффузионный, кремниевый, транзистор
Опубликовано: 05.02.1977
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-546042-kremnievyjj-diffuzionnyjj-tranzistor.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Кремниевый диффузионный транзистор</a>
Предыдущий патент: Устройство для отпая и съема-лампывспышки к полуавтомату откачки лапм
Следующий патент: Травитель
Случайный патент: Устройство для кристаллизации молочного сахара